概覽

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實現99.3%的系統能效，且每個開關位置并聯三個器件。

好處

不需要柵極驅動電路

顯著降低死區時間損耗

所需驅動功率更少

讓人更專注于Pre-switch核心技術

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術證明Pre-Switch解決方案在高頻電動車開關中的效率。

Pre-Switch是硅谷初創公司，專注提升電動車傳動系統的效率和降低成本，方法是在高壓（500-900V）分立器件中支持更高的開關頻率、降低dV/dT和改進電流分流。該公司使用人工智能控制強制性諧振回路，以確保即使在輸入電壓、器件降級、設備溫度和負載發生動態變化時系統中也能實現軟開關。

解決方案

新開發的Pre-Switch CleanWave200是200kW的3相直流轉交流功率器件，用于評估Pre-Switch的軟開關技術。該系統使用由先進的人工智能控制的強制諧振ARCP電路，基本可以消除開關損耗。該技術還允許開關頻率位于50kHz至100kHz范圍內，為客戶提供更純粹的正弦波、更高的電動機效率、更低的電磁干擾和更小的直流母線電容。在UnitedSiC提供測試樣本協助Pre-Switch的早期開發后，Pre-Switch圍繞UJ3C120040K3S 35m? SiC共源共柵配置的FET設計出了新的CleanWave200。

【圖1.Pre-Flex 3設計】

好處

與其他競爭性的SiC MOSFET相比，UnitedSiC的共源共柵FET器件“物超所值”。在結合了Pre-Switch的技術和UnitedSiC的性價比優勢后，末端系統為Pre-Switch的客戶提供了更低成本的解決方案，并開創了在汽車評價系統的直流/交流逆變器應用中使用UnitedSiC器件的先河。

減少憂慮，更加專注

與其他競爭性SiC MOSFETS 相比，UnitedSiC器件的V(GS) 輸入范圍廣，V(GS, th)高。這允許Pre-Switch專注于核心技術和系統優勢，而非擔憂設計柵極驅動電路。

功率更低

UnitedSiC器件的低Q(g)意味著驅動它們所需的功率較低，尤其是在100kHz下。

降低了死區時間損耗

在自諧振邊沿轉換期間，由于二極管導電，可能出現一些死區時間損耗。競爭對手的典型SiC MOSFET體二極管V(f) = 3-4V，而UJ3C120040K3S的規格低得多，為V(f) = 1.5V。所以，競爭對手產品的損耗比UnitedSiC的多3倍左右。

性能數據

【圖2. 效率與電流】

審核編輯：郭婷