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電子發燒友網>測量儀表>650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

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2024-04-10 17:03:020

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數據手冊

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2024-04-10 17:08:180

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UE數據手冊

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2024-04-10 17:09:161

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數據手冊

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2024-04-10 17:10:360

650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65HE數據手冊

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650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數據手冊

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2024-04-10 17:52:381

650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UH數據手冊

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650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數據手冊

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2024-04-10 17:56:151

650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數據手冊

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2024-04-10 17:57:221

650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HCN數據手冊

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2024-04-10 17:58:320

650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數據手冊

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2024-04-10 18:01:090

650V 300mA/1000mA電機驅動應用電源ic U5402應用說明

650V?300mA/1000mA電機驅動應用電源ic U5402? ? 電源ic U5402典型應用在功率MOSFET / IGBT驅動器、家電電機驅動應用、LED照明電源、感應加熱、DC-AC
2024-07-24 16:49:381232

新品 | 650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F

新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅動功率MOSFET和IGBT。產品型號
2024-07-27 08:14:36869

新潔能650V Gen.7 IGBT系列產品介紹

新潔能650V Gen.7系列IGBT產品,基于微溝槽場截止技術,可大幅提高器件的元胞結構密度。采用載流子存儲設計、多梯度緩沖層設計、超薄漂移區設計,大幅度提升器件的電流密度。同時優化了器件的開關特性,為系統設計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808

森國科推出650V/60A IGBT

森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能,在電力電子領域引起了廣泛關注。
2024-10-17 15:41:59898

森國科650V/6A IGBT的性能特點

森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅動和精準控制。
2024-11-13 16:36:131162

NSG6000 650V單通道半橋柵極驅動芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅動器。自帶死區保護、高低側互鎖功能,防止高低側直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261547

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術。
2025-01-16 14:16:081125

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

ROHM攜手ATX量產650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:531194

超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441054

內置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉換器CN1812

內置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

微源半導體推出650V半橋柵極驅動芯片LPD2106

輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力,高壓耐壓650V,開關節點動態能力支持達50V/ns,瞬態耐壓能力達-60V (100ns)。LPD2106集成了完善的保護功能,集成了輸入最小
2025-03-08 10:11:281252

新品 | 650V CoolMOS? 8超結 (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術,為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017

英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開關產品介紹

CoolGaN BDS 650V G5雙向開關。這款基于氮化鎵(GaN)技術的單片雙向開關,憑借其卓越的性能和創新的設計,正在成為高效電力轉換領域的明星產品。
2025-08-28 13:52:113435

龍騰半導體推出四款650V F系列IGBT新品

隨著便攜儲能、新能源及工業電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統的核心開關器件,其性能已成為決定整機效能與可靠性的關鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應用提供更優異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877

合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應用

在工業電源、電機驅動及照明系統等高壓應用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導通電阻,為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101418

深入解析 FGHL50T65MQDTL4:650V、50A 場截止溝槽 IGBT

在功率半導體領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直扮演著至關重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611

深挖1ED21x7x系列650V高端柵極驅動器的卓越性能與應用解析

深挖1ED21x7x系列650V高端柵極驅動器的卓越性能與應用解析 在電力電子領域,柵極驅動器的性能對于功率器件的高效、穩定運行起著關鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-18 16:10:12227

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