伦伦影院久久影视,天天操天天干天天射,ririsao久久精品一区 ,一本大道香蕉大久在红桃,999久久久免费精品国产色夜,色悠悠久久综合88,亚洲国产精品久久无套麻豆,亚洲香蕉毛片久久网站,一本一道久久综合狠狠老

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內不再提示

      貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 為各類電源應用提供更好的支持

      21克888 ? 來源：廠商供稿 ? 作者：貿澤電子 ? 2022-06-09 16:44 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      2022年6月9日– 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線架構中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。

      貿澤電子分銷的UF4C/SCSiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝選項。1200 V SiC FET的導通電阻 (RDS(on)) 值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關感性負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。

      UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V至12V或15V柵極驅動電壓安全驅動，從而在不改變柵極驅動電壓的情況下，成為硅IGBT、FET或超級結器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復特性和內置ESD柵極保護箝位。

      如需更多信息，敬請訪問https://www.mouser.cn/new/unitedsic/unitedsic-uf4csc-1200v-gen4-sic-fets/。

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 電子元器件
        +關注

        關注

        134

        文章

        3946

        瀏覽量

        114351
      • 電源應用
        +關注

        關注

        1

        文章

        74

        瀏覽量

        9907
      • 貿澤電子
        +關注

        關注

        17

        文章

        1220

        瀏覽量

        100365
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關推薦
        熱點推薦

        芯塔電子推出1200V/12mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產品TM4G0012120K

        芯塔電子近日推出新一代1200V/12mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET——TM4G0012120K。該產品集成了多項技術創(chuàng)新，
        的頭像 發(fā)表于 03-26 16:33 ?642次閱讀
        芯塔電子推出<b class='flag-5'>1200V</b>/12mΩ TO-247-<b class='flag-5'>4</b>封裝<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET產品TM<b class='flag-5'>4</b>G0012120K

        芯塔電子推出1200V/16mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產品TM4G0016120K

        　　芯塔電子近日推出新一代1200V/16mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET——TM4G0016120K。該產品集成了多項技術創(chuàng)
        的頭像 發(fā)表于 03-26 16:30 ?646次閱讀
        芯塔電子推出<b class='flag-5'>1200V</b>/16mΩ TO-247-<b class='flag-5'>4</b>封裝<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET產品TM<b class='flag-5'>4</b>G0016120K

        一文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動態(tài)【上】

        ），1200V SiC MOSFET 在光伏逆變器、AI 服務器電源領域批量出貨。 28 蘇州東微半導 2026 年 3 月，第四代 1200V
        發(fā)表于 03-24 13:48

        Wolfspeed最新推出TOLT封裝650V第四代MOSFET產品組合

        在 AI 數據中心和可再生能源系統(tǒng)等高要求應用的推動下，功率半導體封裝技術正加速發(fā)展。Wolfspeed 于近期最新推出 TOLT (TOLL-T) 封裝 650V 第四代 (Gen 4
        的頭像 發(fā)表于 01-21 14:25 ?3297次閱讀

        1200V-23mΩ SiC FET（UF4SC120023B7S）：高性能功率開關的新選擇

        在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率開關器件至關重要。今天，我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC
        的頭像 發(fā)表于 12-02 11:19 ?1035次閱讀
        <b class='flag-5'>1200V</b>-23mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>FET</b>（<b class='flag-5'>UF4SC</b>120023B7S）：高性能功率開關的新選擇

        Wolfspeed發(fā)布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET

        Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領先的第四代 (Gen 4) 技術
        的頭像 發(fā)表于 11-30 16:13 ?938次閱讀

        新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

        EasyPACK1C1200V13mΩ四單元模塊，搭載第二代CoolSiCMOSFET技術，集成NTC溫度傳感器，采用大電流PressFIT引腳，并預涂2.0代導熱界面材料。產品型號：
        的頭像 發(fā)表于 11-24 17:05 ?1614次閱讀
        新品 | 采用.XT擴散焊和第二<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET的Easy <b class='flag-5'>C</b>系列

        小馬智行與三一重卡及東風柳汽聯(lián)合打造第四代自動駕駛卡車

        11月19日，小馬智行宣布與三一重卡、東風柳汽達成合作，將聯(lián)合打造第四代自動駕駛卡車家族。第四代自動駕駛卡車系統(tǒng)采用平臺化設計，具有極強的車型適配能力。
        的頭像 發(fā)表于 11-21 15:51 ?551次閱讀

        Melexis推出第四代汽車LIN電機驅動器MLX81350

        Melexis推出第四代汽車LIN電機驅動器MLX81350，可為電機提供高達5W（0.5A）的功率。該驅動器專為電動汽車（EV）的空調風門與自動通風系統(tǒng)設計，具備高性價比，不僅能實現電機靜音、高效運行，還可簡化系統(tǒng)集成流程，并確保性能穩(wěn)定可靠。
        的頭像 發(fā)表于 11-08 17:04 ?2984次閱讀

        派恩杰第四代碳化硅產品在AI基建的應用

        在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數據中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設備的穩(wěn)定運行，派恩杰第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建
        的頭像 發(fā)表于 08-18 15:56 ?1635次閱讀

        Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

        Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環(huán)境設計。
        的頭像 發(fā)表于 08-11 16:54 ?3322次閱讀

        派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產品

        近日，派恩杰半導體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比上一
        的頭像 發(fā)表于 08-05 15:19 ?1780次閱讀
        派恩杰發(fā)布<b class='flag-5'>第四代</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET系列產品

        新唐科技發(fā)布第四代Gerda系列車用HMI顯示IC

        新唐科技日本有限公司 （NTCJ） 將于 2025 年 5 月開始量產第四代 Gerda 系列車用HMI[1]顯示IC，共三款型號（Gerda-4M、Gerda-4L 和 Gerda-4C
        的頭像 發(fā)表于 07-24 17:41 ?1156次閱讀

        瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產交付應用

        近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品，憑借優(yōu)秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單，已量產
        的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?1427次閱讀
        瞻芯電子第3<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>1200V</b> 35mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET量產交付應用

        高通推出第四代驍龍7移動平臺

        高通技術公司今日推出最新驍龍7系產品——第四代驍龍7移動平臺。這一全新平臺旨在增強用戶喜愛的多媒體體驗并提供全面的穩(wěn)健性能。無論是利用先進圖像處理功能拍攝珍貴瞬間，還是借助精選的Snapdragon
        的頭像 發(fā)表于 05-19 15:02 ?2639次閱讀