貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子

??(Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的Unite dSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電和IT/服務(wù)器電源等應(yīng)用。
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貿(mào)澤電子供應(yīng)的UJ4C/SC器件采用獨(dú)特的共源共柵SiC FET技術(shù)，其中常開SiC JFET與Si MOSFET封裝在一起形成常關(guān)SiC FET。這些FET降低了緊湊型內(nèi)部連接回路的電感，與包含的開爾文源極連接一起，可降低開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率和系統(tǒng)功率密度。
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UJ4C/SC系列的D2PAK-7L版本提供從9 mΩ到60 mΩ的導(dǎo)通電阻選項(xiàng)，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)保持充足的設(shè)計(jì)冗余和電路穩(wěn)健性。這些FET具有750 V額定電壓、出眾的導(dǎo)通電阻×面積 (RDS(on) × A) 品質(zhì)因數(shù)、較低的體二極管、超低柵極電荷，以及支持0 V至15 V柵極驅(qū)動的4.8 V閾值電壓，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)多功能性與低傳導(dǎo)損耗。

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作為全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤電子庫存有極其豐富的半導(dǎo)體和電子元器件并支持隨時(shí)發(fā)貨?。貿(mào)澤旨在為客戶供應(yīng)全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。為幫助客戶加速設(shè)計(jì)，貿(mào)澤網(wǎng)站提供了豐富的技術(shù)資源庫，包括技術(shù)資源中心、產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊、供應(yīng)商特定參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計(jì)信息、設(shè)計(jì)工具以及其他有用的信息。
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工程師還可以一鍵訂閱免費(fèi)的貿(mào)澤電子報(bào)，及時(shí)了解業(yè)界新品動態(tài)和資訊。在訂閱貿(mào)澤的電子報(bào)時(shí)，我們可以根據(jù)您不斷變化的具體項(xiàng)目需求來提供相關(guān)的新聞報(bào)道和參考信息。貿(mào)澤充分尊重用戶的權(quán)利，讓您能自由掌控想要接收的內(nèi)容。歡迎登陸https://sub.info.mouser.com/subscriber-sc 注冊，及時(shí)掌握新興技術(shù)、行業(yè)趨勢及更多資訊。
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貿(mào)澤(28166) 貿(mào)澤(28166)

貿(mào)澤電子開售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET

2022年4月29日?– 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo

2022-04-29 16:36:30

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UnitedSiC宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V 第四代 SiC FET

(SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車

2022-05-17 11:55:24

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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 為各類電源應(yīng)用提供更好的支持

車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。 ? 貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC?SiC FET為設(shè)計(jì)人員提供了多種導(dǎo)通電阻和封裝

2022-06-09 16:44:43

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英飛凌CoolSiC? MOSFET Gen2：性能全面升級，工業(yè)應(yīng)用的理想選擇！

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新

2025-08-19 14:45:00

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UnitedSiC在UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)

美國新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)。

2019-07-25 11:44:32

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UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件，其RDS（ON）值低至7mΩ

UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。

2019-12-10 13:45:24

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貿(mào)澤開售Microchip AgileSwitch相臂功率模塊兼具SiC MOSFET與二極管之長

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MOSFET模塊。

2020-10-15 14:17:12

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貿(mào)澤電子開售QPL181x系列CATV放大器

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開售Qorvo?的 QPL181x系列CATV 放大器。

2021-06-04 15:43:59

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UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。

2021-09-14 14:47:19

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貿(mào)澤開售Skyworks Solutions的高科技陶瓷帶通濾波器

貿(mào)澤電子即日起開售Skyworks Solutions的高科技陶瓷帶通濾波器。

2021-11-10 15:15:36

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貿(mào)澤電子開售醫(yī)療用Sensirion SFM3003和SFM3013流量計(jì)

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開售Sensirion的SFM全系列數(shù)字流量計(jì)，包括SFM3003和SFM3013流量計(jì)。

2021-12-21 14:05:10

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貿(mào)澤開售面向AI視覺IoT應(yīng)用的Renesas RZ/V2L高精度MPU

選擇。 ? 貿(mào)澤電子供應(yīng)的Renesas RZ/V2L微處理器搭載Renesas獨(dú)有的AI動態(tài)可配置處理器? (DRP-AI)，因此能夠支持各種圖像處理用途，包括輸入

2022-07-05 10:15:34

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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計(jì)性能

D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60m

2024-01-31 15:19:34

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Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET，推動斷路器技術(shù)的革命性變革

至關(guān)重要。 UJ4N075004L8S 的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是業(yè)內(nèi)采用標(biāo)準(zhǔn)分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導(dǎo)

2024-06-14 15:29:58

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貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

2024 年 7 月 24 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2

2024-07-25 16:14:17

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650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)最大功率密度

40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度

2018-10-23 16:21:49

SiC MOSFET：經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L

2019-07-30 15:15:17

貿(mào)澤備貨ams OSRAM Mira220全局快門圖像傳感器滿足多種機(jī)器視覺應(yīng)用需求

系列傳感器為設(shè)計(jì)工程師提供了適用于工業(yè)機(jī)器視覺應(yīng)用的2D和3D解決方案，如移動面部識別、智能家居和家電、QR掃描器、AR/VR、無人機(jī)、智能可穿戴設(shè)備、結(jié)構(gòu)化光視覺等。貿(mào)澤電子備貨的Mira220

2023-02-28 09:31:06

使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易

業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率

2022-07-27 11:00:52

用于C2M1000170J SiC MOSFET的輔助電源評估板CRD-060DD17P-2

CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面

2019-04-29 09:25:59

請問L7812c2t d^2pak封裝上標(biāo)注什么意思？

在L7812c2t d^2pak封裝上，經(jīng)常能看到三行標(biāo)識，分別是l7812c2tgkodj v6chn 327請問第二行第三行那些是什么意思？

2019-06-25 04:36:10

UF3C120400B7S是一款晶體管

柵極驅(qū)動特性允許真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出

2023-05-11 15:28:08

UF3C170400B7S是一款晶體管

柵極驅(qū)動特性允許真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出

2023-05-11 15:41:16

UJ3C065030B3是一款晶體管

市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合開關(guān)電感

2023-05-11 16:55:02

UJ3C065080B3是一款晶體管

市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復(fù)特性。這些器件采用 D2PAK-3L 封裝，非常適合開關(guān)

2023-05-11 17:09:34

UJ4C075023B7S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4C075023B7S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝

2023-05-11 17:39:53

UJ4C075023K4S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4C075023K4S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝

2023-05-11 17:47:24

UJ4C075033B7S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4C075033B7S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝

2023-05-11 17:50:43

UJ4C075044B7S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4C075044B7S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝

2023-05-12 09:23:36

UJ4C075044K4S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4C075044K4S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝

2023-05-12 09:28:29

UJ4C075060B7S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4C075060B7S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝

2023-05-12 09:35:54

UJ4SC075005L8S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4SC075005L8S 是一款 750 V、5.4 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同

2023-05-12 09:58:02

UJ4SC075006K4S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4SC075006K4S 是一款 750 V、5.9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si

2023-05-12 10:14:25

UJ4SC075008L8S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4SC075008L8S 是一款 750 V、8.6 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同

2023-05-12 10:22:05

UJ4SC075009B7S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4SC075009B7S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si

2023-05-12 10:27:07

UJ4SC075009K4S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4SC075009K4S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝

2023-05-12 10:31:25

UJ4SC075011B7S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同

2023-05-12 10:39:28

UJ4SC075011K4S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4SC075011K4S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同

2023-05-12 10:47:32

UJ4SC075018B7S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同

2023-05-12 10:55:29

UJ4SC075018L8S是一款晶體管

Qorvo 的 UJ4SC075018L8S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同

2023-05-12 10:58:10

UJ3C065030B3 柵極驅(qū)動 SiC 器件

MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢

2023-05-12 15:54:18

UJ3C065030T3S 柵極驅(qū)動 SiC 器件

UJ3C065030T3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC JFET

2023-05-12 16:02:53

UJ4SC075018B7S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UJ4SC075018B7S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中

2023-05-12 16:16:38

UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET

Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同

2023-12-17 10:50:35

Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET

Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳

2024-02-26 19:40:31

D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET

UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET

2024-02-26 19:57:09

UJ4C075033L8S

750V、33 mΩ的SiC FET，采用新一代技術(shù)設(shè)計(jì)，專為高密度電路板和高溫應(yīng)用而優(yōu)化，成為服務(wù)器和通信電源供應(yīng)的理想選擇。產(chǎn)品概述UJ4C075033L8S具有以

2024-11-10 08:38:06

UJ4C075060L8S

深入解析UJ4C075060L8S：高性能750V SiC FET的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用在當(dāng)今高效電力電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，選擇合適的功率半導(dǎo)體器件至關(guān)重要。UJ4C075060L8S作為一款750V、58

2024-11-10 08:43:55

UJ4C075044L8S

深入解析UJ4C075044L8S：高性能750V SiC FET的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中，功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響到系統(tǒng)的效率和可靠性。UJ4C075044L8S作為一款750V

2024-11-10 08:44:13

UJ4C075023L8S

UJ4C075023L8S：高效能750V SiC FET助力服務(wù)器和通信電源在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)中，隨著對高效率、低功耗和高密度組件的需求不斷增加，碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）逐漸成為電力電子

2024-11-10 08:49:33

UnitedSiC推出UJ3C1200系列基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)

功率因數(shù)校正（PFC）、主動前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）共源共柵

2018-05-25 16:42:00

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碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅

2019-01-01 10:33:00

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UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET

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2019-05-08 09:04:02

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全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項(xiàng)，有助于選擇應(yīng)對設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的理想功率器件。

2020-05-14 09:03:59

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貿(mào)澤將開售采用英特爾?和Xilinx? FPGA技術(shù)的BittWare高端板卡級解決方案。

2020-10-14 14:44:00

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英飛凌新品：采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET

英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。了解

2020-11-03 14:09:49

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UnitedSiC SiC FET用戶手冊

UnitedSiC SiC FET用戶手冊

2021-09-07 18:00:13

安森美推出采用TOLL封裝的SiC MOSFET

晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。

2022-05-11 11:29:33

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UnitedSiC推出具有顯著優(yōu)勢的第四代SiC FET

2020年 750V第四代SiC FET 誕生時(shí)，它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚，以 6毫歐器件為例，品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復(fù)能量，動態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉

2022-05-23 17:31:29

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UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。

2022-06-06 09:33:57

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電源設(shè)計(jì)說明：面向高性能應(yīng)用的新型SiC和GaN FET器件分析

第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強(qiáng)大，導(dǎo)通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分

2022-07-29 09:14:20

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額定電壓450/750V及以下橡皮絕緣電纜，實(shí)驗(yàn)方法和標(biāo)準(zhǔn)

450/750V及以下橡皮絕緣電纜，實(shí)驗(yàn)方法和標(biāo)準(zhǔn)

2022-07-31 09:15:12

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝

2022-08-01 12:14:08

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UnitedSiC提供七個(gè)采用七引腳設(shè)計(jì)的新750V SiC FET

許多人選擇“七”這個(gè)數(shù)字是因?yàn)樗摹靶疫\(yùn)”屬性，而UnitedSiC選擇它則當(dāng)然是因?yàn)槠邆€(gè)引腳非常適合D2PAK半導(dǎo)體封裝。

2022-08-01 14:42:36

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UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器成為更好的器件選擇工具

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需：

2022-10-11 09:03:28

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貿(mào)澤電子開售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高

2022-10-27 16:33:29

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用更多選擇回應(yīng)積極的反饋

為了提供這種靈活性，UnitedSiC 提供了額外的第 4 代 750V SiC FET，導(dǎo)通電阻為 23、33 和 44 毫歐，以及 6、9 和 11 毫歐的部件，這是對已經(jīng)推出的 18 和 60

2023-02-21 09:29:46

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采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

2023-02-23 18:45:04

D2PAK中的N溝道 80V,3mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 FET-PSMN2R8-80BS

D2PAK 中的 N 溝道 80 V、3 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 FET-PSMN2R8-80BS

2023-03-03 18:57:11

D2PAK中的N溝道 60 V 2mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R7-60BS

D2PAK 中的 N 溝道 60 V 2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R7-60BS

2023-03-03 18:58:27

Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

來源：Qorvo 近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低

2023-03-22 16:13:20

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Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線（TOLL）封裝技術(shù)，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)

2023-04-11 15:55:09

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UnitedSiC FET-Jet 計(jì)算器，讓 SiC FET 的選擇過程不再全憑猜測

是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、

2023-05-17 12:05:02

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英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT

英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc

2023-05-19 12:42:27

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UnitedSiC 推出第 2 版 FET-Jet 計(jì)算器，性能邁向新高度

進(jìn)行功率設(shè)計(jì)時(shí)，如何選擇合適的部件可能非常棘手，有時(shí)還讓人極度煩惱。對于 SiC FET 和 SiC 肖特基二極管，利用 FET-Jet 計(jì)算器（第 2 版）可以幫您免除盲目猜測的煩惱。閱讀本博文

2023-05-19 13:45:02

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新品 | 120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用TO-247PLUS SMD封裝

新品120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產(chǎn)品型號

2023-05-18 09:41:31

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第4代碳化硅場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用

Qorvo （UnitedSiC）近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴(kuò)大了公司的性能地位，并擴(kuò)大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產(chǎn)品組合

2023-08-07 14:47:17

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以更小封裝實(shí)現(xiàn)更大開關(guān)功率，Qorvo SiC FET如何做到的？

（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無疑已經(jīng)做到了這一點(diǎn)。與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方面都有了質(zhì)的飛躍。憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技術(shù)用于采用TO-Leadless（TOLL）封裝的750V器件開發(fā)，并擴(kuò)大了其領(lǐng)先優(yōu)勢。

2023-08-29 18:10:01

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UnitedSiC SiC FET用戶指南

UnitedSiC SiC FET用戶指南

2023-12-06 15:32:24

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至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。

2024-01-16 15:45:17

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Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

Qorvo，全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商，近日發(fā)布了其全新車規(guī)級碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS

2024-02-01 10:18:06

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Qorvo借助SiC FET獨(dú)特優(yōu)勢，穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位

在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。

2024-02-21 14:40:52

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貿(mào)澤電子開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件

貿(mào)澤電子即日起開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件。XPLR-HPG-2探索套件為厘米級精度的定位應(yīng)用（如自主機(jī)器人、資產(chǎn)跟蹤和互聯(lián)健康）提供了一個(gè)緊湊的開發(fā)和原型設(shè)計(jì)平臺。

2024-04-17 10:25:24

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Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET

至關(guān)重要。 UJ4N075004L8S 的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是業(yè)內(nèi)采用標(biāo)準(zhǔn)分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導(dǎo)

2024-06-12 14:04:44

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新品 | D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP?的IGBT7系列

新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK

2024-11-14 01:03:50

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瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn)，讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效，組裝時(shí)能自動化生產(chǎn)。

2024-11-27 14:58:20

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新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為

2024-11-29 01:03:07

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新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET

750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅(jiān)固的SiCMOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性

2024-12-20 17:04:51

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貿(mào)澤電子開售Raspberry Pi Hailo 8L AI套件

近日，全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品的領(lǐng)先授權(quán)代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)正式宣布開售Raspberry Pi的Hailo 8L AI套件。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著貿(mào)澤

2025-01-15 14:25:18

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新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V

新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個(gè)高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統(tǒng)性

2025-01-17 17:03:27

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D2PAK-7L,SMD卷盤包裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《D2PAK-7L,SMD卷盤包裝.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-12 16:11:31

71 FCO-7L-UJ√

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《71 FCO-7L-UJ√.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-03-03 16:53:57

Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD

2025-03-20 11:18:11

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Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET

汽車應(yīng)用場景，例如電動汽車(EV)的車載充電器(OBC)、牽引逆變器，以及DC-DC轉(zhuǎn)換器、暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)等。這些器件采用愈發(fā)流行的D2PAK-7表面貼裝封裝，相

2025-05-09 19:42:53

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貿(mào)澤開售Nordic nRF54L低功耗藍(lán)牙SoC

貿(mào)澤電子開售Nordic Semiconductor的全新nRF54L低功耗藍(lán)牙SoC解決方案。nRF54L系列結(jié)構(gòu)緊湊、功耗低，適用于醫(yī)療和智能家居設(shè)備、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、游戲控制器和其他物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

2025-06-03 14:37:28

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