具備行業領先的溫控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低溫運行和快速開關，為AI數據中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。

加利福尼亞州托倫斯2024年6月6日訊 —GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導體行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）正式發布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs產品系列，為實現最快的開關速度、最高的效率和功率密度的增進進行優化，將應用于AI數據中心電源、車載充電器（OBCs）、電動汽車超級充電樁以及太陽能/儲能系統（ESS）。產品涵蓋了從D2PAK-7到TO-247-4的行業標準封裝，專為要求苛刻的高功率、高可靠性應用而設計。

G3F產品系列針對高速開關性能進行了優化，與CCM TPPFC系統中的競爭對手相比，硬開關品質因數（FOMs）提高了40%。這將使下一代AI數據中心服務器電源（PSUs）的功率增加到10kW，每個機架的功率從30kW增加到100-120kW。

G3F GeneSiC MOSFETs 基于納微專有的“溝槽輔助平面柵”技術研發，既擁有優于溝槽柵MOSFET的性能，還具備比競爭對手更強的魯棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同時具備高效和高速的性能，可使器件的外殼溫度降低高達25°C，比市場上其他廠商的碳化硅產品的壽命長3倍。

“溝槽輔助平面柵”技術vs平面柵與溝槽柵

“溝槽輔助平面柵”技術能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受溫度影響小，在整個運行范圍內的功率損失降到最低。在高溫的運行環境下中，搭載這一技術的碳化硅MOSFETs，與競爭對手相比，RDS(ON)降低高達20%。

此外，所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩測試中其耐受能力最高，且短路耐受時間延長30%，以及擁有穩定的門極閾值電壓便于并聯控制，因此非常適合高功率并需要快速上市的應用場景。

納微半導體最新發布的4.5kW高功率密度AI服務器電源參考設計，基于CRPS185外形尺寸，其采用了額定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交錯CCM TP PFC拓撲上。與LLC級的GaNSafe氮化鎵功率芯片一起，讓這款電源實現了138 W/inch3的功率密度和超過97%的峰值效率，輕松達到歐盟目前強制執行的“鈦金+”效率標準。

針對電動汽車市場，納微半導體基于1200V/34mΩ（型號：G3F34MT12K）的G3F FETs，打造了一款22kW、800V雙向車載充電機（OBC）+ 3kW DC-DC轉換器的應用，能夠實現3.5kW/L的超高功率密度和95.5%的峰值效率。

審核編輯：彭菁