美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2901 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:282027 全球知名半導體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速開關版）”，共21種機型。這些產(chǎn)品
2018-04-17 12:38:468645 
與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:008908 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001692 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共
2023-11-03 11:40:491465 
ROHM面向工業(yè)設備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
我想控制20Hz到20KHz脈沖波的幅值，步進100mv輸出最大達到3v，我嘗試過用ad603、vca810等壓控放大器，但效果不理想，請問大神們有什么方法可以把輸入為300mv20Hz到20KHz脈沖波達到這要求嗎？
2014-08-16 22:59:38
在《電子學》這個大布頭里面看見過喇叭在20到20kHz的頻響曲線，這個文章還詳細的介紹了分貝和響度
2019-05-31 08:15:57
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
希望20k~100kHz范圍內(nèi)THD+N能達到75db以上。從figure22可以推算在20kHz以下，工作條件如上，THD+N可以達到0.003%（90db）。
煩請大俠們幫忙！萬分感謝！
2024-09-13 07:45:07
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
隨著電動汽車普及率提升，交流充電樁的能效優(yōu)化成為降低運營成本、減少能源浪費的核心課題。負載能效提升需從硬件設計、拓撲優(yōu)化、智能控制及熱管理等多維度展開，以下結(jié)合技術原理與實踐方案進行闡述。
一、高效
2025-05-21 14:38:45
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 16:57 編輯
針對10V以下 20kHz正弦信號的隔離變壓器 信號失真程度不能太高 請幫忙推薦一款芯片 謝謝了！
2014-04-22 10:09:19
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
PSIEVM僅支持2KHZ的信號輸入，我想請問一下有沒有支持20KHZ的低通濾波器？
2024-11-14 07:38:20
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
現(xiàn)在想用adau1452輸出20khz以上的正弦波，比如40khz或者60khz。目前調(diào)節(jié)了sampling rate之后，仍然無法達到想要的正弦頻率，而且本身的正弦波控件頻率也改變了，比如我設置
2023-11-28 06:18:03
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
控制15A 650V TO-220
XD020H065CX1H3應用：電機控制20A 650V TO-220F
XD040H065AY1S3應用：電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)40A 650V
2024-12-19 15:03:24
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
雙極晶體管(High Speed IGBT)已針對高頻率硬切換應用優(yōu)化，因此，該零件為太陽能應用中功率模塊的理想選擇。 本文將說明650伏特(V)IGBT3、650V IGBT4及650V高速
2018-10-10 16:55:17
20KHz非穩(wěn)態(tài)電路:
在溫度、電壓和晶體管增益變化范圍很寬的情況下，單電容器電路是可靠的。電源電壓在6～12V之間變化時，頻率變化僅為0.05%。用R1、R2和C可改變時間周期，
2007-06-15 12:16:53
22
AFSK偏移到20KHz的電路
2009-03-21 18:57:261171 
20kHz帶通有源濾波器電路圖
2009-03-30 09:05:313285 
20kHz方波發(fā)生器
2009-06-10 10:06:118603 
韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能
首爾大學指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術，可大幅提升手機性能。
2010-01-28 09:23:521308 
美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴苛環(huán)境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:181200 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 擴展碳化硅（SiC）肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應用。
2013-10-30 16:09:571171 2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 ，用于三電平逆變器的 SKiM 在 15 kHz 頻率范圍內(nèi)可減少高達 10％的損耗。 SKiM功率模塊集成了最新的IGBT和二極管。600/650V IGBT3和 1200V IGBT4具有低開關和導
2017-11-14 13:03:0212 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002708 意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:534151 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505549 650 V 場截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時間，同時實現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴格的能源之星標準。 這些趨勢對選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應加熱系統(tǒng)中的關鍵
2021-06-01 14:56:252726 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優(yōu)勢： 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:203459 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用藍牙制作20khz信號發(fā)生器.zip》資料免費下載
2023-02-06 14:42:350 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關型）”共21種機型，該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關特性，并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:251901 
20khz 60W超聲波清洗換能器振子是能量傳遞件，將輸入220V電壓和電功率轉(zhuǎn)換成機械功率傳遞到不銹鋼板，在水里面產(chǎn)生無數(shù)的水波，水波對工件進行無數(shù)次的沖刷達到清潔的效果。超聲波清洗換能器振子主要
2023-03-06 17:10:05911 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:571193 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產(chǎn)品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342035 引言： 在現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換和電子系統(tǒng)中，高壓MOSFET扮演著重要的角色。其中，CMW65R041DFD是一款備受矚目的650V SJ MOSFET型號，具備許多引人注目的特點和廣泛應用領域。本文將從
2023-06-13 14:06:481245 新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應加熱半橋評估板采用新一代650V逆導型R6系列IGBT和SOI技術的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器，產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關應用感應
2022-03-01 09:32:401608 
RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272049 
SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:273419 
供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:198 IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:351604 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
近日，國內(nèi)半導體功率器件領軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業(yè)界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-08 16:35:253 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費下載
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2024-04-10 16:56:381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30A溝槽和場阻IGBT JJT30N65SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:03:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:08:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:09:161 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:10:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:49:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:52:381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:53:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:56:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:57:221 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HCN數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:58:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:01:090 新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號
2024-07-27 08:14:36869 
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場截止技術，可大幅提高器件的元胞結(jié)構密度。采用載流子存儲設計、多梯度緩沖層設計、超薄漂移區(qū)設計，大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關特性，為系統(tǒng)設計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能.pdf》資料免費下載
2024-09-24 11:27:100 在比較頻響范圍100Hz 20kHz與60Hz 20kHz哪個更好時，可以從以下幾個方面進行分析： 一、頻響范圍的定義 頻率范圍 ：音箱最低有效回放頻率與最高有效回放頻率之間的范圍，單位赫茲（Hz
2024-10-12 16:43:1215095 森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領先的低傳導損耗和高速開關性能，在電力電子領域引起了廣泛關注。
2024-10-17 15:41:59898 森國科推出的650V/6A IGBT（型號：KG006N065SD-B）在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅(qū)動和精準控制。
2024-11-13 16:36:131162 
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動器。自帶死區(qū)保護、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261547 
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術。
2025-01-16 14:16:081127 內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23891 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設計?？删幊痰膶?b class="flag-6" style="color: red">轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
電壓裕量，有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動汽車充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應用提供額外的浪涌保護。我們的650V
2025-07-04 17:09:031017 CoolGaN BDS 650V G5雙向開關。這款基于氮化鎵（GaN）技術的單片雙向開關，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設計，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113435 隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關器件，其性能已成為決定整機效能與可靠性的關鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應用場景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101420 在功率半導體領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直扮演著至關重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611 
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