美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”,導通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:01
2900 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。
2019-11-22 15:16:32
2459 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
2572 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。 關斷波形圖(650V/10A產品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
~150攝氏度。6N65的電性參數是:連續二極管正向電流(IS)為6A,漏源電壓為650V,二極管正向電壓(VSD)為1.4V,其中有3條引線。 6N65參數描述型號:6N65封裝:TO-220特性
2021-10-23 15:17:05
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基勢壘二極管)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在拓展第二代SiC-SBD,并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經實現量產,1700V產品正在開發中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
產品架構與核心特性
1. 高壓耐受與負壓免疫
650V開關節點耐壓 +50V/ns dv/dt抗擾 :應對電機反電動勢和MOSFET開關尖峰
-7V VS負壓承受 :消除體二極管導通導致的負壓擊穿
2025-06-25 08:34:07
小輕薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性:?極低反向電流? 無反向恢復電流? 溫度無關開關? VF上的正溫度系數? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優勢:?基本上
2021-11-06 09:26:20
;TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經過100%雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數:應用:高效開關模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
)
XD040Y120AB1S3(1200V 40A應用:快充/OBC/PCS/BMS/充電樁,電機控制)
XD006Y065AB1L2 (650V 6A應用:快充/OBC/PCS/BMS/充電樁,電機控制
2024-12-19 15:03:24
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關頻率范圍內(通用應用的典型范圍),其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
650nm紅光鐳射二極管
2009-11-11 16:16:06
20 *6 電壓:650V 電流:6A 碳化硅二極管MSL06065G1,碳化硅二極管,耐壓650V,150℃連續正向電流6A,工作
2023-07-05 15:50:06
電壓:650V 電流:6A 碳化硅二極管MSL06065G1,碳化硅二極管,耐壓650V,150℃連續正向電流6A,工作溫度范圍-
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝,原裝,庫存現貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量,可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列,以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:37
1526 (1)可用特性相同,參數指標不低于原件的二極管代用。比如可用Ru2(650V、1A、1.5v)代用$5295J(650V、1A、1.5V)、RG2(400V、1.5A、1.5v)代用S5295G(400V、1A、1.5V)。
2011-01-28 17:43:27
31868 
英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:17
2280 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:02
1772 東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26
975 
FRED Pt? Gen 4 Ultrafast快恢復二極管,這些器件適用于電源模塊、電機驅動、UPS、太陽能逆變器、焊機逆變器里的高頻轉換器。
2015-06-02 15:10:53
1320 ---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF,擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產品組合。
2016-05-12 14:01:14
924 ?正溫度系數,易于并聯使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 3A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 ?正溫度系數,易于并聯使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:14
7 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產品特性
?
正溫度系數,易于并聯使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數,易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:19
0 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果,讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢,性能一代更比一代強。因此,G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代,在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:52
4926 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5544 2020年7月4日 華潤微電子(CR MICRO)正式向市場投入1200V 和650V 工業級SiC肖特基二極管功率器件產品系列,與此同時宣布國內首條6英寸商用SiC晶圓生產線正式量產。 華潤微電子
2020-07-04 22:28:50
8397 森國科針對大功率快充推出了兩款碳化硅二極管,賦能高功率密度快充產品。該兩款產品型號為:KS06065(650V/6A)、KS10065(650V/10A),KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。
2021-03-10 16:24:21
3243 前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:20
3459 
工業級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規級部件。
2021-11-05 16:18:34
1116 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告,電動汽車充電市場的增長將非常強勁,高達59%。
2022-08-02 15:06:55
1515 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
1160 
產品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列,共有十一項 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產品,以及 DIODES DSCxx120 系列,共有八款 1200V 額定電壓 (2A、5A 和 10A) 產品。
2023-02-16 12:09:03
1185 SiC碳化硅二極管起步電壓為650V,電流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控。碳化硅二極管料號為:KN3D06065F(650V碳化硅二極管,電流6A,貼片
2023-02-21 10:12:24
4172 
Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57
1193 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02
1596 
功率晶體管與標準門極驅動器兼容,方便集成到現有系統中。 優秀的性能:具備出色的功率損耗特性,顯著降低能量損失,提高系統效率。 無需自由輪二極管:由于650V GaN功率晶體管的特性,無需額外添加自由輪二極管,簡化了系統設計。 低開關損耗:采用先進的GaN技術,650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34
2034 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V
2023-09-22 09:25:32
840 電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:57
0 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:25
0 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:15
1 供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:47
3 供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:06
2 電子發燒友網站提供《PSC1065H:DPAK R2P中的650 V、10 A SiC肖特基二極管產品介紹.pdf》資料免費下載
2023-12-19 16:06:24
0 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的650V軟特性發射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝,具有2個引腳,不僅增加了安規距離,提高了可靠性,而且適用于多種應用場景。
2024-02-01 10:50:02
1808 本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07
46430 
電子發燒友網站提供《650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-08 16:35:25
3 電子發燒友網站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費下載
2024-04-08 17:15:31
1 電子發燒友網站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:08:18
0 電子發燒友網站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:10:36
0 電子發燒友網站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:49:43
0 電子發燒友網站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:52:38
1 電子發燒友網站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UH數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:53:39
0 電子發燒友網站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:56:15
1 電子發燒友網站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:57:22
1 電子發燒友網站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:01:09
0 2024年7月10日,半導體行業的領軍企業Nexperia隆重推出了兩款專為高壓環境設計的650V超快速恢復整流二極管,這些產品采用了獨特的D2 PAK真雙引腳(R2P)封裝技術,旨在廣泛應用于工業及消費領域,如充電適配器、光伏(PV)系統、逆變器、數據中心服務器以及開關模式電源(SMPS)等。
2024-07-11 15:02:01
11753 Nexperia(安世半導體)近日推出了采用D2PAK真雙引腳 (R2P) 封裝的650V兩種超快速恢復整流二極管,可用于各種工業和消費應用,包括充電適配器、光伏 (PV)、逆變器、服務器和開關模式
2024-07-11 16:10:11
1291 在半導體技術的持續創新浪潮中,Nexperia再次站在了行業的前沿,隆重推出了兩款專為高壓環境精心設計的650V超快速恢復整流二極管。這兩款產品不僅代表了Nexperia在高壓半導體元件領域的深厚積累,也預示著工業及消費領域將迎來更高效、更可靠的電力轉換解決方案。
2024-07-12 15:20:43
1381 :2ED2388S06F產品特點工作電壓(相對于VS)高達+650V負VS瞬態抗擾度為100V集成超快、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓為25V應用價值集成自舉
2024-07-27 08:14:36
869 
電子發燒友網站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規格書.pdf》資料免費下載
2024-09-05 11:36:56
0 森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能,在電力電子領域引起了廣泛關注。
2024-10-17 15:41:59
898 森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅動和精準控制。
2024-11-13 16:36:13
1162 
SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)是采用小型表貼封裝、實現了寬爬電距離的SiC肖特基勢壘二極管。雖為小型表貼封裝,但通過確保足夠的爬電距離,可減輕采取特殊絕緣對策(灌
2024-12-19 09:43:18
1316 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:43
1780 
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58
844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準,無鹵且符合RoHS標準。產品具備超快速開關、零反向恢復
2025-02-25 15:44:15
792 
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標準,無鹵。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30
888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23
871 
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標準,采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 17:23:30
763 
:SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作
2025-02-25 17:44:07
773 
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS
2025-02-25 18:13:42
813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52
783 
的電源轉換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流
2025-02-26 17:07:13
727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48
806 
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46
774 
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16
854 
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35
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P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。封裝形式為 TO - 220 - 2,具備超快速
2025-02-27 17:11:28
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P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標準。封裝形式為 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44
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P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06
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P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數
2025-02-27 18:25:13
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P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數、高
2025-02-28 17:12:48
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P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產品通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08
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P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數、高
2025-02-28 17:52:15
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:SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 通過 AEC-Q101 認證 TO-263-2 封裝 超快速
2025-02-28 18:21:04
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PI的超快速Qspeed H系列二極管現可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業界最低的硅二極管反向恢復電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品,可提供與其相當的效率和電壓降額性能,同時具有硅二極管的價格優勢和供應保證。
2025-03-27 13:46:55
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Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產品組合,推出五款高性能、低品質因數 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
2025-05-12 16:06:34
900 第三代半導體碳化硅功率器件領軍企業森國科推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),針對不同場景的散熱、空間及絕緣要求,提供7種封裝形態,靈活覆蓋車規、工業電源、消費電子三大領域。通過
2025-08-16 15:55:44
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在功率半導體領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直扮演著至關重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:35
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