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電子發燒友網>模擬技術>為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

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2024-07-11 16:10:111291

Nexperia發布650V超快速恢復整流二極管

在半導體技術的持續創新浪潮中,Nexperia再次站在了行業的前沿,隆重推出了兩款專為高壓環境精心設計的650V超快速恢復整流二極管。這兩款產品不僅代表了Nexperia在高壓半導體元件領域的深厚積累,也預示著工業及消費領域將迎來更高效、更可靠的電力轉換解決方案。
2024-07-12 15:20:431381

新品 | 650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F

:2ED2388S06F產品特點工作電壓(相對于VS)高達+650V負VS瞬態抗擾度100V集成超、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓25V應用價值集成自舉
2024-07-27 08:14:36869

STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規格書

電子發燒友網站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規格書.pdf》資料免費下載
2024-09-05 11:36:560

森國科推出650V/60A IGBT

森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能,在電力電子領域引起了廣泛關注。
2024-10-17 15:41:59898

森國科650V/6A IGBT的性能特點

森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅動和精準控制。
2024-11-13 16:36:131162

SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基勢壘二極管介紹

SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)是采用小型表貼封裝、實現了寬爬電距離的SiC肖特基勢壘二極管。雖為小型表貼封裝,但通過確保足夠的爬電距離,可減輕采取特殊絕緣對策(灌
2024-12-19 09:43:181316

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準,無鹵且符合RoHS標準。產品具備超快速開關、零反向恢復
2025-02-25 15:44:15792

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊

P3D06002T2 是一款耐壓 650VSiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標準,無鹵。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871

SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標準,采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 17:23:30763

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作
2025-02-25 17:44:07773

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P6D06004T2 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS
2025-02-25 18:13:42813

SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

的電源轉換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超開關速度 零反向恢復電流
2025-02-26 17:07:13727

SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46774

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16854

Vishay推出多款采用工業標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管,提升高頻應用效率

40 A至240 A二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35763

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。封裝形式 TO - 220 - 2,具備超快速
2025-02-27 17:11:28678

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標準。封裝形式 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44805

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06715

SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數
2025-02-27 18:25:13833

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數、高
2025-02-28 17:12:48792

SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產品通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08851

SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數、高
2025-02-28 17:52:15813

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 通過 AEC-Q101 認證 TO-263-2 封裝 超快速
2025-02-28 18:21:04900

PI超快速Qspeed H系列二極管可替代碳化硅元件

PI的超快速Qspeed H系列二極管現可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業界最低的硅二極管反向恢復電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品,可提供與其相當的效率和電壓降額性能,同時具有硅二極管的價格優勢和供應保證。
2025-03-27 13:46:55864

Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二極管

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產品組合,推出五款高性能、低品質因數 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
2025-05-12 16:06:34900

森國科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態

第三代半導體碳化硅功率器件領軍企業森國科推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),針對不同場景的散熱、空間及絕緣要求,提供7種封裝形態,靈活覆蓋車規、工業電源、消費電子三大領域。通過
2025-08-16 15:55:442377

深入解析 FGHL50T65MQDTL4650V、50A 場截止溝槽 IGBT

在功率半導體領域,IGBT(絕緣柵雙型晶體)一直扮演著至關重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611

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