最近，泰科天潤董事長陳彤表示，國內SiC單項目突破100萬片的關鍵在于成本，即“碳化硅器件成本僅為硅器件的2倍”。

碳化硅器件降本需要全產業鏈的共同努力，其中碳化硅襯底成本占比高達50%左右，因此亟需新技術將成本“打下來”。碳化硅襯底降本主要存在兩大瓶頸，除了長晶外，還有晶錠切割。

目前，碳化硅襯底主流的切割技術包括砂漿線切割、金剛石線切割等，然而傳統切割技術的損耗率太高，而且工時太長。

以砂漿線切割為例，多達40%的碳化硅晶錠以粉塵的形式浪費掉，而且切割線的高速行走過程還會造成20~50μm的粗糙起伏與表面/亞表面結構損傷，據分析，碳化硅多線切割技術的總材料損耗量高達30%~50%。同時，切制一塊6英寸SiC晶錠通常需要150個小時左右，不利于SiC襯底的快速交付。另外，切割后的襯底Ra值較大，還需要進行粗磨、精磨和CMP三道處理工藝，合計耗時超過5天。

如果改用激光剝離技術，則有望極大降低碳化硅襯底成本。激光剝離技術是通過激光處理，在碳化硅晶錠內部形成改質層，從而在碳化硅晶錠上剝離出晶圓。這種技術具有材料損耗低、加工效率高、出片數量多等優勢，總材料損耗率可降至30%-50%左右（視晶錠類型而定）。

如果激光剝離技術成功應用于碳化硅襯底的量產，必將為碳化硅產業帶來輕資產、高效益的新模式，有望進一步降低碳化硅器件成本，推動碳化硅器件在更廣領域的應用。

碳化硅行業國外廠商已經開展長達5年以上的激光剝離技術探索。截至目前，激光剝離技術未導入量產線，仍有一些技術挑戰需要解決。

據“行家說三代半”了解，西湖儀器在碳化硅襯底激光剝離技術上實現了突破，并且成功開發了整套碳化硅襯底激光剝離設備，可直接投入生產，為碳化硅襯底的生產提供了新型高效的解決方案。?




審核編輯：劉清