電子發燒友網綜合報道 最近，湖南三安半導體舉行了碳化硅芯片上車儀式，標志著國產車規級碳化硅主驅芯片實現從技術攻關到規模化裝車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片成功搭載理想高壓平臺車型，不僅驗證了其在性能、可靠性與批量交付能力上的市場認可度，更通過與理想汽車的深度協同，構建起 “芯片自主 + 模塊自研” 的國產新能源汽車核心動力解決方案。

作為國內為數不多具備 SiC 全產業鏈垂直整合能力的企業，三安半導體此次上車的碳化硅芯片背后，是覆蓋長晶、襯底制備、外延生長、芯片制造的全流程技術積淀。該 1200V 13mΩ 車規級 SiC MOSFET 作為第三代產品，通過元胞結構優化，將導通損耗較前代產品降低 18.75%，在 100A 工作電流下導通損耗僅為 13W，顯著提升電驅系統效率。其核心技術優勢源于三安在 8 英寸襯底領域的突破，湖南基地目前已實現 8 英寸襯底月產能 1000 片、外延月產能 2000 片，低缺陷密度工藝為芯片性能穩定性提供了關鍵保障。

依托 IATF16949 體系認證與 AEC-Q101 車規級產品認證，三安碳化硅芯片已累計出貨超 3 億顆，服務全球超 800 家客戶，規模化制造經驗確保了對理想汽車的穩定供應。湖南三安總經理江協龍強調，全產業鏈模式讓企業在產品迭代、質量管控與交付效率上形成獨特優勢，此次上車正是 “車規化、平臺化、高效能、全鏈自主” 核心戰略的實踐成果。

此次芯片成功裝車，是雙方自 2022 年啟動合作以來的重要里程碑。當年，三安與理想合資成立蘇州斯科半導體有限公司，投資 10 億元建設碳化硅功率模塊研發生產基地，規劃年產能 240 萬只碳化硅半橋功率模塊，形成 “芯片制造 - 模塊集成 - 整車應用” 的閉環布局。2024 年底，合資公司一期產線正式通線，為此次規模化裝車奠定產能基礎；2025 年 6 月，理想在 TMC2025 年會上發布自研 LPM 功率模塊后，雙方加速芯片與模塊的適配優化，最終實現核心部件的同步落地。

理想汽車動力驅動研發副總裁劉強表示，三安在第三代半導體領域的戰略布局，為理想純電產品的技術迭代提供了關鍵支撐。在技術交流中，雙方團隊圍繞碳化硅芯片在電驅系統、充電效率及平臺化應用的深度探討，進一步明確了基于三安 8 英寸襯底技術，將為理想高壓平臺車型開發提供持續助力。儀式上，湖南三安贈送的8英寸 SiC MOSFET 芯片成品，既彰顯了技術自信，更預示著合作向更深層次推進。

三安碳化硅芯片的卓越性能，在理想自研 LPM 功率模塊中得到充分釋放。這款歷時 3 年半研發的模塊，以系統級能效優化為核心，通過四大技術創新將等效串聯電感（ESL）降至 10nH，較行業平均水平降低 50%，配合三安芯片的低損耗特性，共同實現整車續航提升 7%。其中芯片本身貢獻 6%（約 40 公里）提升，模塊優化額外帶來 1%（約 7 公里）增益。

理想 LPM 模塊的革命性設計尤為亮眼：其獨創內部開窗架構，徹底取消外露功率端子與螺栓連接，通過高精度 AMB 直接激光焊工藝實現電容與銅排的精準嵌套，使模塊占地面積縮減 50%，Y 向尺寸減小 40mm，為后排乘客釋放寶貴空間。這種跨層級集成設計，需要芯片性能與模塊結構的深度適配，而三安芯片的穩定輸出與靈活定制能力，為該創新提供了堅實基礎。此外，模塊搭載的封閉銅冷板、全自動化組裝工藝及 72 項極端工況驗證，進一步保障了三安芯片在整車場景下的可靠性。

此次合作的落地，不僅打破了國際廠商在高端車載碳化硅芯片領域的壟斷，更構建了車企與半導體企業深度協同的國產創新模式。三安通過 8 英寸產線產能爬坡與良率提升，持續降低碳化硅器件成本，而理想的模塊自研則推動核心技術向應用端高效轉化，兩者形成的合力正在加速 800V 高壓平臺的普及。數據顯示，搭載該方案的理想車型可支持 300 千瓦以上超快充功率，實現 10 分鐘補能 500 公里的用戶體驗。

展望未來，三安半導體計劃在未來三至五年持續加大車規級 SiC MOSFET 與 GaN 研發投入，重慶基地 2000片/月的 8 英寸襯底產能也將逐步釋放；理想汽車則將在純電車型中全系應用該技術方案，并深化與三安在下一代芯片與模塊集成上的合作。隨著國產碳化硅產業鏈從材料、芯片到模塊應用的全面成熟，中國新能源汽車產業正實現核心動力部件的自主可控。