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近年來，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增，降低SiC成本的呼聲日益強烈，最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結構中占比最高，達到50%左右。

這意味著襯底領域的成本降低和利用率的提高尤為重要。因此，大尺寸襯底由于其成本優勢，逐漸被人們寄予厚望。

根據中國SiC襯底制造商TankeBlue半導體的測算，從4英寸升級到6英寸預計單片成本可降低50%；從6英寸到8英寸，成本預計還能再降低35%。

同時，8英寸襯底可以生產更多芯片，從而減少邊緣浪費。簡單來說，8英寸襯底的利用率更高，這也是各大廠商積極研發的主要原因。

目前，6英寸SiC襯底仍占主導地位，但8英寸襯底已開始滲透市場。例如，2023年7月，Wolfspeed宣布其8英寸晶圓廠已開始向中國客戶出貨SiC MOSFET，表明其8英寸SiC襯底已批量出貨。TankeBlue半導體也已開始小規模出貨8英寸基板，計劃到2024年實現中規模出貨。

8英寸SiC襯底陣容加速發展

自2015年Wolfspeed首次展示樣品以來，8英寸SiC襯底已經經歷了7-8年的發展歷史，近兩年技術和產品開發明顯加速。

縱觀國際廠商，除了已實現量產的Wolfspeed外，還有7家SiC襯底、外延，預計今年或未來1-2年內實現8英寸襯底的量產。

投資方面，Wolfspeed繼續在美國北卡羅來納州建設John Palmour碳化硅制造中心（SiC襯底工廠）。該工廠將進一步帶動基板產能的擴張，以滿足日益增長的8英寸晶圓需求。

Coherent公司去年還宣布計劃擴大8英寸襯底和外延片的生產，在美國和瑞典都有大規模的擴建項目。在產品出口渠道方面，相干公司已獲得三菱電機和電裝10億美元的投資，為兩家公司長期提供6/8英寸SiC襯底和外延片。

意法半導體去年也投資8英寸領域，與湖南三安半導體合作建設8英寸SiC晶圓廠。后者將配套建設8英寸SiC襯底工廠，確保合資公司穩定的材料供應。同時，ST正在開發自己的襯底，此前與Soitec合作實現了8英寸SiC襯底的量產。

就中國廠商而言，目前已有10多家企業8英寸SiC襯底進入樣品和小規模生產階段。其中包括Semisic Crystal Co、晶盛機電、SICC Co、Summit Crystal Semiconductor Co、Synlight Semiconductor Co、TanKeBlue Semiconductor Co、Harbin KY Semiconductor、IV Semitec、Sanan Semiconductor、Hypersics等公司。

除了上述公司外，目前研究8英寸基板的中國廠商還有很多，例如環球晶圓、東尼電子、和盛硅業、天成半導體等。

目前，中國襯底制造商與國際巨頭的差距已明顯縮小。英飛凌等公司已與中國廠商建立了長期合作伙伴關系。從技術角度來看，這種差距的縮小反映了全球襯底技術的整體進步。展望未來，預計各廠商的共同努力將推動8英寸基板技術的發展。

總體來看，8英寸SiC襯底整體發展勢頭強勁，數量和質量均取得重大突破。

全球8英寸SiC工廠加速擴張

隨著襯底材料不斷突破技術天花板，2023年全球8英寸SiC晶圓廠擴產規模再創新高。

據TrendForce統計，2023年大約有12個與8英寸晶圓相關的擴產項目，其中8個項目由Wolfspeed、Onsemi、意法半導體、英飛凌、羅姆等全球廠商主導。意法半導體還與三安半導體合作開展了一個項目。此外，還有3個項目由環球電源科技、聯星科技、J2半導體等中國制造商牽頭。

從地區角度來看，預計歐洲、美洲、日本、韓國、中國和東南亞等重點地區將大量投資新建8英寸SiC晶圓廠。截至目前，全球大約有11座8英寸晶圓廠正在建設或規劃中。

其中包括 Wolfspeed 的 2 個工廠（位于美國莫霍克和德國薩爾）、博世的 1 個工廠（美國羅斯維爾）、意法半導體自建的 1 個工廠（意大利卡塔尼亞）、與三安的 1 個合資工廠（位于重慶、中國）、英飛凌 1 個（馬來西亞居林）、三菱電機 1 個（日本熊本）、羅姆 2 個（日本筑后和日本國富）、安森美半導體 1 個（韓國富川），以及富士電機（位于日本松本）的 1 個。