在全球算力持續攀升、芯片功率密度不斷突破的科技浪潮中，高效熱管理已成為制約半導體器件性能釋放的核心瓶頸，而基礎材料的性能升級則是突破這一瓶頸的關鍵抓手。近日，江蘇超芯星半導體有限公司接連披露兩項碳化硅（SiC）襯底材料領域的重要技術成果，不僅將碳化硅材料實測熱導率推至 560W/(m?K) 的業界新高度，更創新性推出方形碳化硅散熱晶片，實現從材料性能標桿到應用解決方案的全維度升級，為人工智能、汽車電子、數據中心等尖端領域的高效散熱需求提供了全新路徑。

作為半導體領域核心基礎材料之一，高純度碳化硅憑借優異的熱穩定性與導熱性能，長期被視為高端熱管理方案的核心載體，其室溫下的理論熱導率普遍被行業認知為 420-490W/(m?K)，而實際量產產品的性能則受工藝、缺陷控制等因素限制存在明顯分層。

普通商業碳化硅產品熱導率僅能達到 200-330W/(m?K)，即便行業領先水平產品也僅維持在 350-430W/(m?K) 區間，難以滿足下一代高功率芯片的散熱訴求。

此次超芯星推出的碳化硅襯底經客戶專業設備嚴格測試，實測熱導率達到 560W/(m?K)，遠超行業現有水平與理論認知區間下限，標志著其在特定技術路徑下實現了碳化硅材料熱性能的跨越式突破，為設備在高負載工況下穩定運行提供核心材料支撐，尤其適配人工智能大模型訓練、大型數據中心算力集群、高階自動駕駛實時決策等對熱管理有極致要求的尖端應用場景，同時也為未來高端半導體器件的設計創新開辟了空間，可推動器件在功率設計上進一步突破，助力產業實現 “更高算力、更低能耗” 的發展目標。

在實現材料性能突破的基礎上，超芯星進一步聚焦實際應用場景的痛點，推出方形碳化硅散熱晶片，完成從“材料性能優化”到“應用解決方案深化”的關鍵跨越。傳統碳化硅襯底多采用圓形結構，而芯片封裝、功率模塊等終端產品普遍為矩形布局，這種形態錯配會導致圓形襯底邊緣材料利用率不足，同時熱量在傳導過程中易出現分布不均、局部熱點聚集等問題，間接削弱了材料本身的散熱性能。
針對這一行業共性難題，超芯星延續560W/mK高熱導率卓越性能的基礎上，推出方形碳化硅散熱晶片。其一，空間利用率大幅提升，方形結構可完美契合終端產品的矩形設計，減少邊緣材料浪費，讓單位面積內的散熱效能充分釋放；其二，熱流管理更趨優化，熱量能夠從芯片核心區域向方形晶片四邊均勻、快速擴散，有效規避局部熱點形成，進一步保障器件運行穩定性；其三，封裝適配性顯著增強，尤其適配高功率半導體模塊、先進封裝器件及下一代電力電子器件，可滿足不同高端場景對集成度與散熱效率的雙重嚴苛要求。

隨著AI、算力等需求的不斷增長，碳化硅的應用潛力將會被逐漸挖掘，在產業中占據更加重要的地位。