高功率半導體激光芯片的單顆出光功率不斷提升，目前主流應用已升至45W，但向更高功率50W、60W甚至更高功率邁進時，作為芯片 "散熱后盾" 的陶瓷熱沉的熱導率成為制約因素，雖然AlN陶瓷的熱導率由之前的170W/m·K提升至當前的230W/m·K，仍成為制約芯片出光功率突破的 "絆腳石"。度亙核芯全流程自主研發生產的單晶SiC熱沉，為行業帶來了顛覆性的散熱解決方案。

從 "夠用" 到 "卓越"

散熱技術必須先行

高功率激光芯片的"功率提升" 與 "散熱能力" 始終是一對共生的命題。主流熱沉廠商通過不斷優化AlN陶瓷性能，將其熱導率提升至230W/m·K，可滿足光功率45W及以下的芯片的散熱需求，然而，當芯片功率高于50W時，結溫升高明顯、電光效率下降、可靠性變差。

度亙核芯依托芯片FAB半導體工藝，建設了先進的全套熱沉產線，在常規AlN熱沉穩定量產出貨的基礎上，創新采用高熱導率SiC作為基板，攻克了金屬附著力差、難切割等系列技術難題，研發出熱導率≥370W/m·K的SiC熱沉。批量應用于66W芯片的封裝，對比測試表明，芯片的結溫、發散角、偏振（PER）等指標能保證高功率芯片處于穩定、高效的運行狀態。

SiC熱沉封裝的66W芯片，在68.5A測試電流下輸出功率比AlN熱沉高出2W（提升3%），芯片結溫降低7.5℃。這樣的性能差異，直觀體現了SiC熱沉在散熱能力上的顯著優勢，確保了高功率芯片的長期可靠性。

四大核心突破

鑄就熱沉技術新高度

采用半導體級的金屬化及磨拋工藝

依托半導體級金屬化及磨拋設備開發的全自動工藝技術，可精準控制單面Cu層厚度、表面粗糙度及附著力，同時實現整體熱沉的熱膨脹系數（CTE）與芯片的精準匹配，使得芯片的偏振度（PER）表現更優，能在后續泵浦源光纖耦合過程中有效提升耦合效率。

采用先進的激光切割工藝

單晶SiC硬度遠高于AlN陶瓷，度亙核芯針對性研發的高精度激光切割工藝，從根本上解決了殘渣飛濺、切割錯位等加工難題，將Cu pullback精準控制在10~20μm范圍。這一突破不僅提升了生產效率與加工精度，更直接保障了COS共晶貼片環節的一致性及光學耦合工藝的穩定性，為高功率激光芯片的COS封裝性能提供了關鍵支撐。

500V 耐壓的絕對保障

采用高純本征SiC作為基板，使熱沉具備 500V 耐電壓能力。配合獨特的檢測技術，在生產過程中即可精準識別因基板缺陷導致的耐壓不足產品，確保每一片出廠的熱沉都100%通過耐電壓測試，為泵浦模塊的整體耐電壓性能提供保障。

全流程品控的極致追求

從關鍵參數的精準把控到全生命周期的質量追溯，度亙核芯建立了嚴謹的品控體系：精準調控AuSn組分（75±5wt% Au），熔點穩定，保障貼片程序固定不變；通過AOI自動檢驗分選，結合拍照留檔追溯機制，讓每一片熱沉的質量都有據可查；每一批次產品抽樣封裝測試，驗證合格后再出貨，全方位保證出貨產品質量。

充足的量產能力

具備強大交付能力

如今，度亙核芯SiC熱沉已成功應用于高端泵浦源產品，憑借卓越性能贏得多家客戶的青睞。這不僅是市場對我們技術的肯定，更標志著高功率激光芯片散熱領域邁入SiC時代。

從突破技術瓶頸到引領行業標準，度亙核芯將持續技術創新，以創新為引擎，為高功率半導體激光產業的發展提供更強大的散熱支持，助力行業突破功率極限，共創技術新未來！