來源：寬禁帶半導體技術創新聯盟

江蘇通用半導體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設備（碳化硅晶錠激光剝離設備）成功實現剝離出130μm厚度的超薄SiC晶圓片。該設備可以實現6寸和8寸SiC晶錠的全自動分片，包含晶錠上料，晶錠研磨，激光切割，晶片分離和晶片收集的全自動工藝流程，晶片拋光后的形貌可以達到LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW≤10μm，Warp≤20μm。

圖：8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備

通用半導體自設立以來，一直在高端半導體設備領域深耕，并專注于激光隱切設備的研發和產業化應用，勵志成為全球領先的激光微納加工裝備制造商。

通用半導體于2020年研發出國內首臺半導體激光隱形切割機；2022年成功推出國內首臺18納米及以下SDBG激光隱切設備（針對3D Memory)；2023年成功研發國內首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產線；2024年研制成功SDTT激光隱切設備（針對3D HBM）。

通用半導體表示，隨著公司激光隱切設備產品覆蓋度持續提升，市場應用規模的不斷擴大，且公司持續保持高強度的研發投入，迭代升級各產品系列，滿足客戶在技術節點更新迭代過程中對高產能及更嚴格的技術性能指標的需求。

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