9月8日消息，中國科學院半導體研究所旗下的科技成果轉化企業，于近日在碳化硅晶圓加工技術領域取得了重大突破。該企業憑借自主研發的激光剝離設備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一成果不僅填補了國內相關技術應用的空白，更為第三代半導體關鍵制造裝備的國產化進程注入了強大動力，同時也為全球碳化硅產業突破成本瓶頸、提升生產效率開辟了創新路徑。

此前，該激光剝離技術已在6英寸、8英寸碳化硅晶圓加工領域通過了多家行業客戶的實際驗證，設備性能達到國際先進水平，為此次12英寸技術突破奠定了堅實基礎。

此次技術突破對碳化硅產業發展意義重大：

大幅降低生產成本：12英寸碳化硅晶圓的可用面積相比目前主流的6英寸晶圓提升約4倍，單位芯片成本降低30%-40%。

提升產業供給能力：攻克了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術瓶頸，為全球碳化硅產能擴張提供了設備保障。

加速國產化替代進程：打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設備領域的技術壟斷，有力支撐了我國半導體裝備的自主可控發展。

促進下游應用普及：成本的降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領域的廣泛應用。

這一突破性進展，將對全球碳化硅產業格局產生深遠影響，有望推動碳化硅器件在更多領域實現大規模應用，助力相關產業的升級與發展。我們期待未來能看到更多此類創新成果，為半導體行業的發展注入新的活力。

審核編輯 黃宇