引言

通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質界面的表面形貌、晶體質量和界面性能進行了系統研究。

我們研究發現，高溫生長過程中形成非晶SiAlN界面層，這是由于高溫生長過程中燒蝕AlN靶材時，襯底擴散的Si原子與脈沖激光產生的AlN等離子體之間發生了嚴重的界面反應所致。相反，通過在合適的生長溫度下有效控制界面反應，可以實現突變且尖銳的AlN/Si異質界面。

因此英思特提出了通過PLD將界面層從非晶SiAlN層演變為突變且尖銳的AlN/Si異質界面的機制。通過PLD生長的AlN薄膜獲得突變界面和平坦表面的工作對于高質量AlN基器件在Si襯底上的應用至關重要。

實驗與討論

使用H2SO4:H2O2:H2O(3:1:1)和緩沖氧化物蝕刻(BOE)HF(20:1)清潔收到的2英寸 Si(111) 基板以獲得無氧化物且氫封端的Si表面。隨后，將清潔后的Si（111）襯底在背景壓力為1.0×10-8 Torr的超高真空（UHV）負載鎖中脫氣，然后?轉移到背景壓力為1.0×10-8Torr的生長室中。在外延生長之前，脫氣后的Si(111)襯底在850℃下進行60分鐘的退火，以去除殘留的表面污染物，并為后續沉積獲得原子級平坦的Si(111)表面。

在外延生長過程中，我們通過KrF準分子激光（λ= 248 nm，t= 20ns）燒蝕高純度 AlN (4N)靶材，生長出厚度范圍為~6–300nm的AlN薄膜。采用PLD法在Si(111)襯底上生長AlN薄膜示意圖如圖1所示。

圖1：通過PLD在Si（111）襯底上的AlN薄膜的外延生長示意圖

英思特采用RHEED測量來監測整個過程的生長過程。圖2顯示了在750℃下Si襯底上生長的AlN薄膜的照片，顯示了在不同生長溫度下生長的 AlN 薄膜的RHEED圖案。很明顯，在850℃退火60分鐘后，可以在Si方向上識別出尖銳的條紋圖案，這與退火工藝之前形成鮮明對比。隨后，我們在退火后的Si襯底上生長AlN膜。在 850℃高溫下生長約6nm厚的薄膜后，實驗發現幾乎無法識別 RHEED 圖案，這表明發現了非常差的薄膜。這意味著生長出了表面相對粗糙的單晶AlN薄膜。如果在低溫（800-700℃）下生長AlN薄膜，也可以獲得單晶AlN薄膜。

圖2

生長溫度對 AlN 薄膜的結晶質量有重大影響。晶體生長溫度的變化趨勢與表面形貌的變化趨勢非常一致。

結論

根據實驗英思特提出了通過PLD將界面層從非晶SiAlN和層演化為突變且尖銳的 AlN/Si異質界面的機制。這項通過PLD生長的AlN薄膜獲得突變界面和平坦表面的工作對于高質量AlN基器件在Si襯底上的應用具有重要意義。因此英思特提出了通過PLD將界面層從非晶SiAlN和層演化為突變且尖銳的AlN/Si異質界面的機制

審核編輯 黃宇