本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開(kāi)發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:508296 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:262550 SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長(zhǎng)度、寬度和并聯(lián)
2023-01-07 10:24:372627 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)封裝雜
2023-09-24 10:42:401700 
近年來(lái)，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，其主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在汽車領(lǐng)域，特別是
2019-07-05 11:56:2835239 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 千瓦。更高的功率水平和簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的動(dòng)力將推動(dòng)SiC模塊的開(kāi)發(fā)工作，但是不能過(guò)分夸大封裝，控制電路和周圍功率元件的寄生電感優(yōu)化的重要性。 圖6：SiC功率模塊開(kāi)發(fā)活動(dòng)的狀態(tài)。藍(lán)色圓圈表示僅具有SiC器件
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小。 主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。 2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
不具備足夠的堅(jiān)固性。當(dāng)前對(duì)大功率、高溫器件封裝技術(shù)的大量需求引起了對(duì)這一領(lǐng)域的研發(fā)熱潮。 SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上
2018-09-11 16:12:04
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
代表，SiC材料、器件已經(jīng)列入國(guó)家“十四五”科技規(guī)劃，其具有電壓高、損耗低、耐高溫工作等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于電力電子裝備高效化、小型化具有重要作用。 SiC材料的這些優(yōu)良特性，需要通過(guò)封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)功率和信號(hào)高效
2023-02-27 14:22:06
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻(xiàn)報(bào)道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進(jìn)行了性能測(cè)試和環(huán)境試驗(yàn)， 證實(shí)了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強(qiáng)等特點(diǎn)。
2019-08-12 06:59:10
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開(kāi)發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)
2018-10-23 16:22:24
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過(guò)程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
在太陽(yáng)能光伏（PV）和能量存儲(chǔ)應(yīng)用中，存在功率密度增加以及始終存在的提高效率需求的趨勢(shì)。該問(wèn)題的解決方案以碳化硅（SiC）功率器件的形式出現(xiàn)。 ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器是單通道器件，在25 V工作電壓（VDD至VSS）下具有典型的7A源/灌電流驅(qū)動(dòng)能力
2020-05-27 17:08:24
分析mos管的封裝形式 主板的供電一直是廠商和用戶關(guān)注的焦點(diǎn)，視線從供電相數(shù)開(kāi)始向MOS管器件轉(zhuǎn)移。這是因?yàn)殡S著MOS管技術(shù)的進(jìn)展，大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOS管以及多芯片DrMOS開(kāi)始
2018-11-14 14:51:03
在畫(huà)器件pcb封裝的時(shí)候，器件的引腳一般多畫(huà)多少，芯片的尺寸一般多畫(huà)多少？我看到“電阻電容本身的大小與封裝形式無(wú)關(guān)，封裝與標(biāo)稱功率有關(guān)”，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)標(biāo)稱功率怎么計(jì)算。
2019-09-20 09:37:21
大功率白光LED封裝從實(shí)際應(yīng)用的角度來(lái)看，安裝使用簡(jiǎn)單，體積相對(duì)較小的大功率LED器件，在大部分的照明應(yīng)用中必將取代傳統(tǒng)的小功率LED器件。小功率的LED組成的照明燈具為了達(dá)到照明的需要，必須集中
2013-06-10 23:11:54
常用的元器件的封裝形式有幾種十分普遍，而且不同的封裝編號(hào)也可能對(duì)應(yīng)著一個(gè)額定功率值，所以查詢這些參數(shù)對(duì)于實(shí)際設(shè)計(jì)電路十分重要
2014-05-15 10:50:47
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
電子元器件的封裝形式,元器件封裝形式大的來(lái)說(shuō),元件有插裝和貼裝. 1．BGA 球柵陣列封裝 2．CSP 芯片縮放式封裝 3．COB 板上芯片貼裝 4．COC 瓷質(zhì)基板上芯片貼裝 5．MCM 多芯片
2009-05-05 10:16:01
電子元器件的封裝形式,元器件封裝形式大的來(lái)說(shuō),元件有插裝和貼裝. 1．BGA 球柵陣列封裝 2．CSP 芯片縮放式封裝 3．COB 板上芯片貼裝 4．COC 瓷質(zhì)基板上芯片貼裝 5．MCM 多芯片
2013-08-27 18:26:06
電子元器件的封裝形式有多種，常見(jiàn)的包括：
DIP封裝（Dual Inline Package）。這是一種較早的芯片封裝類型，主要用于排列直插式的引腳，有直插式和表面貼裝式兩種形式。
SOP封裝
2024-05-07 17:55:06
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
電子元器件的封裝形式,元器件封裝形式
大的來(lái)說(shuō),元件有插裝和貼裝. 1．BGA 球柵陣列封裝 2．CSP 芯片縮放式封裝 3．COB 板上芯片貼裝 4．COC 瓷質(zhì)基
2009-05-05 10:10:10
324 元器件的封裝形式:元器件封裝查詢A.名稱 Axial 描述 軸狀的封裝 名稱 AGP （Accelerate Graphical Port） 描述 加速圖形接口 名稱 AMR
2010-04-05 06:46:38122 SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432709 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:025379 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5412107 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:006667 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1815770 
隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:502235 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:505048 SiC功率器件作為一種新型功率器件，在新能源汽車的應(yīng)用中具有極大優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉，SiC材料具有耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，能夠極大地提升現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率。新能源汽車
2020-08-26 09:56:321017 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源等需求逐步提升，預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6100萬(wàn)美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領(lǐng)域營(yíng)收
2021-05-03 16:18:0013729 
的 3 倍，而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0964 碳化硅 （SiC） 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較小的管芯尺寸相關(guān)的散熱問(wèn)題、管芯上與封裝相關(guān)的應(yīng)變以及襯底可用性。
2022-08-09 10:13:162601 
貼片元器件（SMT）是半導(dǎo)體器件的一種封裝形式。
2022-09-22 13:49:2714851 
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:231598 基于以日本、美國(guó)和歐洲為中心對(duì)生長(zhǎng)、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠(yuǎn)未達(dá)到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:282833 介紹碳化硅功率二極管，包括碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）、碳化硅PiN二極管（PiN），碳化硅結(jié)/肖特基二極管（JBS），然后介紹碳化硅聚碳場(chǎng)效應(yīng)管、DMOSFET和幾種MESFET，第三部分是關(guān)于碳化硅雙極器件，如BJT和IGBT。最后，討論了SiC功率器件開(kāi)發(fā)過(guò)程中的挑戰(zhàn)，特別是其材料生長(zhǎng)和封裝。
2022-11-04 09:56:011166 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開(kāi)關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:472664 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:142146 近年來(lái)，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102963 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過(guò)將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19837 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:211334 
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:255 的FBSOA。SiC可以用來(lái)制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:462452 根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測(cè)，在未來(lái) 5 年內(nèi)，SiC 功率器件將很快占據(jù)整個(gè)功率器件市場(chǎng)的 30%，SiC 行業(yè)（從襯底到模塊，包括器件）的增長(zhǎng)率非常高。在Yole看來(lái)，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:162145 前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30926 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:163128 封裝，就是指把硅片上的電路管腳，用導(dǎo)線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接。封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。
2023-05-18 08:46:161951 封裝類型貼片元器件（SMT）是半導(dǎo)體器件的一種封裝形式。SMT所涉及的零件種類繁多，樣式各異，有許多已經(jīng)形成了業(yè)界通用的標(biāo)準(zhǔn)，這主要是一些芯片電容電阻等等。但很多封裝形式仍在經(jīng)歷著不斷的變化，尤其是
2022-09-21 09:19:416325 
碳化硅(SiC)作為一個(gè)新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:111597 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:583239 
長(zhǎng)電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門(mén)產(chǎn)品的封裝和測(cè)試。
2023-10-07 17:41:321447 傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)是采用鉛或無(wú)鉛焊接合金把器件的一個(gè)端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅(jiān)固性。
2023-10-09 15:20:581207 
航天器的重要組成部分——供配電系統(tǒng)和二次電源的發(fā)展面臨兩方面的挑戰(zhàn)，一方面是小型化和輕量化，另一方面是大功率和超大功率航天器的需求。在超大功率方面，目前硅基功率器件的功率容量和工作頻率已不能滿足設(shè)計(jì)要求，限制了宇航電源技術(shù)的發(fā)展，因此SiC功率器件的替代應(yīng)用已勢(shì)在必行。
2023-10-18 10:34:311638 
三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)； 旨在通過(guò)與Coherent的縱向合作來(lái)發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達(dá)成協(xié)議，將SiC
2023-10-18 19:17:171295 1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:522610 
碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨(dú)特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（SiC）的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)大約是硅（Si）的10倍
2024-02-04 16:25:441486 采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無(wú)法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:493692 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開(kāi)關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:432736 
SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段，特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下，其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告，汽車行業(yè)對(duì)SiC功率器件的需求主要來(lái)自于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的升級(jí)需求，包括更高的電池容量和逆變器性能的提升。
2024-04-07 11:20:021215 
SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，如高絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)度、寬禁帶、高熱導(dǎo)率等，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 15:15:586011 汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。
2024-10-16 11:36:311248 
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402036 
較多的闡述，比如IGBT模塊可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估，功率器件IGBT模塊封裝工藝技術(shù)以及IGBT封裝技術(shù)探秘都比較詳細(xì)的闡述了功率模塊IGBT模塊從設(shè)計(jì)到制備的過(guò)程，那今天講解最近比較火的SiC模塊封裝給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 SiC近年來(lái)在光伏，工業(yè)電
2025-01-02 10:20:241787 
BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù)，從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開(kāi)探討。
2025-02-03 14:21:001292 半導(dǎo)體碳化硅（SiC）功率器件作為一種寬禁帶器件，以其耐高壓、高溫、導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)異特性，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的這些優(yōu)勢(shì)性能，封裝技術(shù)起著
2025-02-21 13:18:361795 
功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37768 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽(yáng)能
2025-09-29 10:46:22305 基于SiC碳化硅功率器件的一級(jí)能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-14 07:32:011375 
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