導語：

? 隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體技術的普及，功率模塊的功率密度和開關頻率不斷提升，對溫度監測的實時性和準確性提出了極致要求。然而，許多工程師發現，系統過熱保護總是“慢半拍”，測溫結果與芯片實際結溫偏差較大。問題的根源，往往出在溫度傳感器的“站位”上。

正文：

在當前的功率模塊設計中，表面貼裝（SMD）NTC熱敏電阻是常用的測溫方案。但它存在一個結構性的痛點：

由于需要保證足夠的電氣絕緣距離，NTC通常被放置在遠離發熱核心（如SiC芯片）的位置。

這種“遠程測溫”方式帶來了三大核心問題：

1. 響應速度慢：? 熱量從芯片傳遞到遠處的NTC，存在顯著的延遲。當NTC感知到溫度超標時，芯片可能早已長時間處于過熱狀態，對可靠性造成不可逆的損害。
2. 測量精度差：? 傳遞路徑上的熱阻會導致溫度衰減，NTC的讀數無法真實反映芯片的結溫，使系統保護設定在錯誤的閾值上。
3. 布局復雜化：? 需要為NTC預留專門的安裝區域，增加了電路布局的復雜性和基板成本。

解決方案前瞻：

理想的方案是讓NTC能夠“緊貼”著功率芯片安裝，實現近乎直接的結溫監測。這需要NTC本身具備優異的絕緣性能以承受高電壓。這正是日本立山科學株式會社TWT系列引線鍵合NTC的革新之處。