電子發燒友網綜合報道 隨著大算力AI芯片的爆發式發展,單顆GPU功耗突破1kW、供電電流達1000A +級別,不僅將傳統 PSU 功率推向新高度,更對板載電源設計提出三重嚴峻挑戰:一是空間集約化要求下,電源轉換器需實現更高功率密度;二是第三代寬禁帶半導體的普及,雖通過極低開關損耗支撐了 MHz 級高頻運行,卻帶來更復雜的控制邏輯與更快的實時計算需求;三是高頻開關與寬禁帶器件導致 dv/dt 數量級提升,電磁干擾(EMI)強度激增,對控制器的抗干擾能力提出嚴苛要求。?
AI 數據中心引發的功率膨脹,正推動供電架構全面優化,而數字電源控制器作為核心樞紐,成為破解上述難題的關鍵突破口。
最近上海海思推出新一代數字電源 MCU 產品 Hi3071,針對高功率密度電源進行了多方面的適配。Hi3071 搭載成熟的高性能 Cortex-M7 內核,采用超標量雙發射 6 級流水線架構,具備強大的并行任務處理能力。為滿足開關電源環路控制的極致實時性要求,產品配置了 4KB 指令緩存(I-Cache)、4KB 數據緩存(D-Cache),并創新性引入 64KB 指令緊耦合內存(I-TCM)與 64KB 數據緊耦合內存(D-TCM),大幅提升程序運行速度,為高頻場景下的精準控制提供底層支撐。
隨著開關電源邁入 MHz 時代,數字控制器的環路計算時間需壓縮至 1us 以內。Hi3071 搭載 3 路獨立硬化環路控制單元,每路均配備 15.6MSPS 高速誤差采樣 ADC 與硬件 PID 濾波單元,實現 400ns 級數字 PID 控制環路更新,遠超行業常規水平。?
該模塊支持靈活配置:可按需設定為電壓外環 + 電流內環、三環取小或雙環取小模式,適配電流型控制、電壓型控制及充電電路的恒壓恒流控制;同時支持 1 路硬件濾波環路前饋配置,搭配 7 組可配置 PID 參數及區間動態平滑切換功能,實現四開關 Buck-Boost 拓撲不同模式的自動平滑過渡。僅需寄存器配置即可啟動硬化環路工作,大幅降低軟件編程工作量,縮短產品上市周期。
高頻開關帶來的極限環振蕩問題,核心癥結在于 PWM 分辨率與輸出電壓精度的失配。Hi3071 提供 6 組共 12 路高精度 PWM 輸出,分辨能力達 125ps,完美滿足 MHz 級高頻下脈沖寬度調制(PWM)與脈沖頻率調制(PFM)的精度要求。?
模塊支持多 PWM 通道內部同步或外部信號同步,可實現多相控制的錯位移相發波;結合緩存寄存器與多種加載模式,確保復雜電磁干擾環境下波形穩定輸出。其靈活適配性覆蓋 Buck、Boost、Buck-Boost、PSFB、LLC 等多種定頻 / 變頻控制拓撲,為電源設計提供充足自由度。
逐波限流(CBC)是電源過載保護的核心方案,Hi3071 在此基礎上實現功能革新:支持硬件信號源或軟件觸發 fault 信號啟動 CBC,配備可編程計時 / 計數濾波功能;創新推出 CBC 封波 match 功能,當主開關管故障斬波時,從開關管將同步進行同等寬度斬波,避免主從管脈沖寬度不對稱導致的磁性器件電流累積過大、關斷損耗激增等問題。?
該功能支持主從固定與主從切換兩種模式,切換模式下先發生 fault 斬波的通道自動成為主通道,另一通道同步跟隨斬波與緩展,顯著提升電源進入 CBC 狀態時的可靠性。
針對開關機、故障保護的復雜發波邏輯及同步整流死區時間自適應調整需求,Hi3071 集成 6 路小型可配置邏輯單元(CLC)。每路 CLC 支持 4 組輸入,每組輸入為 8 選 1 通道,可接入數字比較器輸出、模擬比較器輸出、PWM 輸出及其他 CLC 模塊輸出信號,實現靈活的邏輯組合與時序控制。這一設計可替代外部邏輯器件或 CPLD,降低系統成本,助力客戶實現創新控制方案。
面對寬禁帶半導體帶來的傳導 / 輻射電磁干擾激增問題,Hi3071 從設計源頭強化防護能力:pin 腳端口 HBM ESD 防護等級超 ±2000V,閂鎖觸發電流超 ±100mA;采用金線鍵合工藝提升電氣性能與抗彎折性;封裝選用超低 α 粒子 ULA 材料,降低存儲器單粒子翻轉錯誤發生率。這些設計大幅減少外圍防護器件成本,顯著提升電源系統在惡劣電磁環境下的長壽命與高可靠性。
Hi3071 通過硬件 PID 環路與 Cortex-M7 內核的深度融合,結合高精度 PWM、智能 CBC、可配置邏輯單元、集成高精度運放等核心元素,形成全方位技術優勢。其適配圖騰 PFC、交錯 LLC、移相全橋、Buck-Boost、Hybrid Switched Capacitor 等主流拓撲,可作為服務器電源、工業定制電源、磚模塊電源及中間母線轉換電源的平臺性控制器,為數據中心、工業控制等領域的高功率密度電源設計提供一站式解決方案。?
從 AI 數據中心的功率挑戰到寬禁帶半導體的技術革新,海思 Hi3071 以精準的功能定義、硬核的性能參數與靈活的適配能力,成為高功率密度數字電源控制的標桿產品,為電源行業的效率提升與可靠性升級注入強勁動力。
AI 數據中心引發的功率膨脹,正推動供電架構全面優化,而數字電源控制器作為核心樞紐,成為破解上述難題的關鍵突破口。
最近上海海思推出新一代數字電源 MCU 產品 Hi3071,針對高功率密度電源進行了多方面的適配。Hi3071 搭載成熟的高性能 Cortex-M7 內核,采用超標量雙發射 6 級流水線架構,具備強大的并行任務處理能力。為滿足開關電源環路控制的極致實時性要求,產品配置了 4KB 指令緩存(I-Cache)、4KB 數據緩存(D-Cache),并創新性引入 64KB 指令緊耦合內存(I-TCM)與 64KB 數據緊耦合內存(D-TCM),大幅提升程序運行速度,為高頻場景下的精準控制提供底層支撐。
隨著開關電源邁入 MHz 時代,數字控制器的環路計算時間需壓縮至 1us 以內。Hi3071 搭載 3 路獨立硬化環路控制單元,每路均配備 15.6MSPS 高速誤差采樣 ADC 與硬件 PID 濾波單元,實現 400ns 級數字 PID 控制環路更新,遠超行業常規水平。?
該模塊支持靈活配置:可按需設定為電壓外環 + 電流內環、三環取小或雙環取小模式,適配電流型控制、電壓型控制及充電電路的恒壓恒流控制;同時支持 1 路硬件濾波環路前饋配置,搭配 7 組可配置 PID 參數及區間動態平滑切換功能,實現四開關 Buck-Boost 拓撲不同模式的自動平滑過渡。僅需寄存器配置即可啟動硬化環路工作,大幅降低軟件編程工作量,縮短產品上市周期。
高頻開關帶來的極限環振蕩問題,核心癥結在于 PWM 分辨率與輸出電壓精度的失配。Hi3071 提供 6 組共 12 路高精度 PWM 輸出,分辨能力達 125ps,完美滿足 MHz 級高頻下脈沖寬度調制(PWM)與脈沖頻率調制(PFM)的精度要求。?
模塊支持多 PWM 通道內部同步或外部信號同步,可實現多相控制的錯位移相發波;結合緩存寄存器與多種加載模式,確保復雜電磁干擾環境下波形穩定輸出。其靈活適配性覆蓋 Buck、Boost、Buck-Boost、PSFB、LLC 等多種定頻 / 變頻控制拓撲,為電源設計提供充足自由度。
逐波限流(CBC)是電源過載保護的核心方案,Hi3071 在此基礎上實現功能革新:支持硬件信號源或軟件觸發 fault 信號啟動 CBC,配備可編程計時 / 計數濾波功能;創新推出 CBC 封波 match 功能,當主開關管故障斬波時,從開關管將同步進行同等寬度斬波,避免主從管脈沖寬度不對稱導致的磁性器件電流累積過大、關斷損耗激增等問題。?
該功能支持主從固定與主從切換兩種模式,切換模式下先發生 fault 斬波的通道自動成為主通道,另一通道同步跟隨斬波與緩展,顯著提升電源進入 CBC 狀態時的可靠性。
針對開關機、故障保護的復雜發波邏輯及同步整流死區時間自適應調整需求,Hi3071 集成 6 路小型可配置邏輯單元(CLC)。每路 CLC 支持 4 組輸入,每組輸入為 8 選 1 通道,可接入數字比較器輸出、模擬比較器輸出、PWM 輸出及其他 CLC 模塊輸出信號,實現靈活的邏輯組合與時序控制。這一設計可替代外部邏輯器件或 CPLD,降低系統成本,助力客戶實現創新控制方案。
面對寬禁帶半導體帶來的傳導 / 輻射電磁干擾激增問題,Hi3071 從設計源頭強化防護能力:pin 腳端口 HBM ESD 防護等級超 ±2000V,閂鎖觸發電流超 ±100mA;采用金線鍵合工藝提升電氣性能與抗彎折性;封裝選用超低 α 粒子 ULA 材料,降低存儲器單粒子翻轉錯誤發生率。這些設計大幅減少外圍防護器件成本,顯著提升電源系統在惡劣電磁環境下的長壽命與高可靠性。
Hi3071 通過硬件 PID 環路與 Cortex-M7 內核的深度融合,結合高精度 PWM、智能 CBC、可配置邏輯單元、集成高精度運放等核心元素,形成全方位技術優勢。其適配圖騰 PFC、交錯 LLC、移相全橋、Buck-Boost、Hybrid Switched Capacitor 等主流拓撲,可作為服務器電源、工業定制電源、磚模塊電源及中間母線轉換電源的平臺性控制器,為數據中心、工業控制等領域的高功率密度電源設計提供一站式解決方案。?
從 AI 數據中心的功率挑戰到寬禁帶半導體的技術革新,海思 Hi3071 以精準的功能定義、硬核的性能參數與靈活的適配能力,成為高功率密度數字電源控制的標桿產品,為電源行業的效率提升與可靠性升級注入強勁動力。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
數據中心
+關注
關注
16文章
5488瀏覽量
74590 -
海思
+關注
關注
43文章
525瀏覽量
118898
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
充電樁品牌定制國產MCU,全國產充電模塊誕生
行業的關注。包括上海海思也在近期推出了針對數據中心高密度數字電源的MCU產品Hi3071。 ? 在近期舉辦的2026特來電技術創新發布會上,
Leadway GaN系列模塊的功率密度
/L,效率96.8%),支持20分鐘快充。數據中心:通過高功率密度設計降低PUE(能源使用效率),如英特爾數據中心12V電源采用GaN后PUE降至1.08。與傳統硅基方案的對比:
硅基
發表于 10-22 09:09
鑫澈導熱與屏蔽方案助力AI數據中心高效散熱
隨著AI數據中心持續擴張,高功率密度AI芯片帶來過量熱負荷與電磁干擾問題,散熱與電磁屏蔽已成為影響系統穩定與能效的核心挑戰。
英飛凌攜手臺達共同開發高功率密度電源模塊, 加速數據中心電源架構升級
(Delta Electronics, Inc.)強化既有合作伙伴關系,共同開發高功率密度電源模塊,為超大型數據中心的AI處理器提供領先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數據中心
發表于 08-29 17:50
?956次閱讀
金升陽推出高功率密度整流模塊LMR3000-4850
在通信與工業控制領域,穩定、高效的電源是保障系統可靠運行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借高功率密度、智能數字化控制及多重安全防護,成為通信基站、數據中心、工業自動化及
納微、臺達爭先入局!數據中心電源迎全新認證標準
5月27日,CLEAResult新增80 PLUS Ruby(紅寶石)認證,這是全球數據中心服務器電源單元(PSU)有史以來建立的最高能效認證級別。 圖/CLEAResult 作為
納微半導體推出12kW超大規模AI數據中心電源
近日,納微半導體宣布推出專為超大規模AI數據中心設計的最新12kW量產電源參考設計,可適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。
功率密度> 100W/in3,TI新款電源管理芯片賦能現代數據中心建設
,安全可靠性的重要性愈發凸顯。 ? 德州儀器系統經理游聲揚表示,現代 AI 數據中心正驅動云計算、人工智能、5G 等技術迅猛發展,隨之而來的是數據中心對電源需求的急劇攀升,更高的功率密度
德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現代數據中心的保護級別、功率密度和效率水平
新聞亮點: ·新款發布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數據中心設計,助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。 ·新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用
發表于 04-09 14:38
?479次閱讀
英飛凌推出新一代高功率密度功率模塊,賦能AI數據中心垂直供電
和高性能計算方面發揮關鍵作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊通過提升系統性能并結合英飛凌一貫的穩健性,為AI數據中心運營商實現業界領先的功率密度,降低總體擁有成本(
納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源,掀起AI數據中心“芯”革命
??氮化鎵功率芯片 進入長城電源供應鏈 ,成功助力其打造 AI數據中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發展對
發表于 03-12 11:02
?656次閱讀
數據中心機房冷水系統
如需了解詳細產品資料、配置方案、產品價格、產品技術參數; ? ? ? 依據自身情況選擇冷卻技術 數據中心在選擇冷卻技術時,不能盲目跟風,而要充分考慮自身的實際情況。規模較小、功率密度較低的數據中心

數據中心高功率密度PSU爆發,海思推出全新數字電源MCU
評論