為提供卓越的效率和功率密度，意法半導體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設計進程，推出了基于MasterGaN1L系統級封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計。

意法半導體的MasterGaN-SiPs將GaN功率晶體管與經特殊優化的柵極驅動器相結合，以確保開關快速且受控。使用此類SiP代替分立器件的等效網絡有助于增強性能和可靠性，同時加速設計并節省PCB空間。

全新的參考設計針對的是空間有限但效率至關重要的工業應用。結合MasterGaN1L（含兩個650V 150m GaN-FET，采用意法半導體的L6599A諧振控制器），PSU的峰值效率超過94%，且能在初級側無散熱器的情況下運行。該裝置還利用了意法半導體的SRK2001A同步整流控制器，80mmx50mm的整體尺寸十分緊湊，功率密度高達34W/inch^3。

PSU可提供高達10A的輸出電流，相當于24Vdc下的250W，同時待機電流消耗低于1μA，擁有出色的節能效果。L6599A和SRK2001A內置的保護功能可確保對過電流、短路和過電壓的彈性保護，而輸入電壓監測則可確保啟動正確并提供欠壓鎖定功能。

關鍵特性

緊湊的高效率解決方案，面向使用

MasterGaN1L轉換

輸出電壓：24V

輸出功率：高達250W

標稱輸入電壓：400V+/-10%

效率：>92%

輸出具有短路和過電流保護

輸入電壓監控用于管理正確的D2D轉換器序列，并具有欠壓保護功能

板子尺寸：80x50（WxH）mm。最大組件高度：30mm

符合WEEE和RoHS標準

EVL250WMG1L現已上市，整套預裝系統可直接進行測試驗證。產品頁面上發布了全面的相關文檔，以幫助系統設計者加快GaN電源項目。