上海貝嶺最新推出雙通道、14位、2.0GSPS/2.6GSPS/3GSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器BL1049系列產(chǎn)品。
2026-01-05 17:37:46
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采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的,用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻,并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度,基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
的功率放大器,以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,成為眾多工程師的首選。今天,我們就來深入了解這款放大器的特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。 文件下載: HMC453ST89.pdf 一、產(chǎn)品概述
2026-01-04 09:45:05
199 一款備受關(guān)注的產(chǎn)品——HMC452ST89 / 452ST89E InGaP HBT 1W功率放大器,它在0.4 - 2.2 GHz的寬頻范圍內(nèi)展現(xiàn)出了卓越的性能。 文件下載
2026-01-04 09:45:02
203 博通Subminiature LED Lamps系列產(chǎn)品解析 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,指示燈、背光源等功能的實(shí)現(xiàn)常常離不開LED燈。博通(Broadcom)的HLMP - Pxxx、HLMP
2025-12-30 16:05:10
71 博通Subminiature LED Lamps系列產(chǎn)品深度解析 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)領(lǐng)域,LED燈作為重要的組件,其性能和特性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)有著關(guān)鍵影響。博通(Broadcom)的HLMP
2025-12-30 15:35:02
70 ? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列,采用了最新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06
185 ABP2基本型系列產(chǎn)品介紹:霍尼韋爾ABP2板載壓力傳感器是壓阻式硅壓力傳感器,提供數(shù)字輸出,用于讀取指定全尺寸壓力跨度(4bar至12bar|400kPa至1.2MPa|60psi至175psi
2025-12-15 12:08:06
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Amphenol LTW壓力釋放通風(fēng)口系列產(chǎn)品解析 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,壓力管理是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),它直接關(guān)系到設(shè)備的安全性和使用壽命。Amphenol LTW提供的壓力釋放通風(fēng)口(Pressure
2025-12-12 09:50:02
157 Amphenol Socapex USBFIELD? 系列產(chǎn)品:滿足嚴(yán)苛環(huán)境的 USB 連接解決方案 在電子設(shè)備的連接領(lǐng)域,面對(duì)復(fù)雜惡劣的環(huán)境,可靠且高性能的 USB 連接方案至關(guān)重要
2025-12-12 09:35:10
238 推出,該系列可提供TSSOP24、TSSOP20和QFN20等封裝。CW32F系列產(chǎn)品已全面實(shí)現(xiàn) -40℃ ~105℃超寬溫度范圍和 1.65V~5.5V 超寬工作電壓,面向最廣泛的各種基礎(chǔ)應(yīng)用,開始
2025-12-12 06:22:27
近日,意法半導(dǎo)體ST87M01系列NB-IoT無線模塊新增兩款產(chǎn)品,同時(shí)發(fā)布了一套增強(qiáng)版開發(fā)生態(tài)系統(tǒng),以降低窄帶移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)智能物聯(lián)網(wǎng)解決方案的開發(fā)難度。新產(chǎn)品代表性目標(biāo)應(yīng)用包括智能物流、環(huán)境監(jiān)測(cè)、智能照明、智慧停車、工業(yè)設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)、牲畜寵物追蹤、安全報(bào)警以及遠(yuǎn)程醫(yī)療。
2025-12-11 14:22:53
1200 在工業(yè)電子領(lǐng)域,電纜接頭作為連接電纜與設(shè)備的關(guān)鍵部件,其性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。Amphenol的GuardXcel?電纜接頭系列產(chǎn)品,憑借其卓越的性能和廣泛的適用性,在眾多工業(yè)應(yīng)用中脫穎而出。今天,我們就來深入剖析這個(gè)系列的產(chǎn)品。
2025-12-09 13:39:32
232 高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件,憑借高耐壓、低損耗、高速開關(guān)的核心優(yōu)勢(shì),已成為工業(yè)電源、新能源儲(chǔ)能、汽車電動(dòng)化等場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)鍵引擎”。意法半導(dǎo)體深耕高壓MOSFET技術(shù)研發(fā),以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案,為多領(lǐng)域發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
2025-12-03 09:57:02
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Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級(jí) 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺(tái)開發(fā), 為汽車車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電子壓縮機(jī)和加熱與冷卻系統(tǒng)等應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:14:51
658 Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級(jí) 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺(tái)開發(fā),為硬開關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:13:27
564 仁懋電子(MOT)推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性,適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-21 10:57:56
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仁懋電子(MOT)推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性,適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-19 15:25:38
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uA,為什么?
回復(fù):IDSS電流小,表明實(shí)際的漏電流小于測(cè)試規(guī)范的要求,因此產(chǎn)品合格。
問題24:功率MOSFET管損壞后,阻抗變?yōu)橐粋€(gè)中間值,有時(shí)工作有時(shí)不工作,為什么?
回復(fù):通常功率
2025-11-19 06:35:56
仁懋電子(MOT)推出的MOT5146T是一款面向120V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借4.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、250A超大電流承載能力及先進(jìn)溝槽單元設(shè)計(jì),適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-18 16:04:11
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在電子設(shè)備小型化與高功率密度需求日益凸顯的今天,功率器件的封裝與性能平衡成為行業(yè)技術(shù)突破的核心痛點(diǎn)。江西薩瑞微電子作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體IDM企業(yè),推出的P6SMFTHE系列產(chǎn)品,以"
2025-11-11 10:00:05
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11月6日,第八屆世界聲博會(huì)暨2025科大訊飛全球1024開發(fā)者節(jié)發(fā)布會(huì)上,科大訊飛以《更懂你的AI》為主題發(fā)布訊飛星火大模型最新技術(shù)升級(jí)及系列產(chǎn)品。
2025-11-10 11:49:25
737 等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT15N50F為N溝道功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{DSS
2025-11-05 12:10:09
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近日,上海貝嶺自主研發(fā)的安規(guī)級(jí)IGBT功率器件-BLG15T65FUA系列產(chǎn)品成功通過UL1557認(rèn)證。這一突破標(biāo)志著產(chǎn)品在安全性、可靠性表現(xiàn)上達(dá)到了先進(jìn)水平,為進(jìn)軍高端安規(guī)級(jí)工業(yè)市場(chǎng)拿到了關(guān)鍵“通行證”,為電力電子設(shè)備的安全穩(wěn)定運(yùn)行注入強(qiáng)勁信心。
2025-11-04 17:07:31
1468 。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT4N65F為N溝道功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):6
2025-11-04 15:59:03
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領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT9N50D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{DSS
2025-11-04 15:22:12
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電源模塊等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT90N03D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V
2025-11-03 16:33:23
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領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT5N50MD為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{D
2025-11-03 15:26:33
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、負(fù)載開關(guān)等)。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT50N02D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(
2025-10-31 17:36:09
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管理系統(tǒng)(BMS)、無人機(jī)等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT5122T為N溝道功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源
2025-10-31 17:33:14
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,已開始量產(chǎn)TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品
2025-10-23 11:25:48
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大功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品定位與封裝設(shè)計(jì)MOT8576T是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用表面貼裝封裝,集成先進(jìn)溝槽單元(Supertrench)與to
2025-10-23 11:23:49
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今日,南芯科技(證券代碼:688484)宣布推出工業(yè)級(jí)高壓超低靜態(tài)電流降壓轉(zhuǎn)換器系列產(chǎn)品,僅10μA的超低靜態(tài)電流,支持最高120V 耐壓和最大5A 的連續(xù)電流。高耐壓可顯著減少外圍電壓尖峰抑制器
2025-10-22 17:36:19
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)MOSFET分立器件產(chǎn)品組合具有強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力和先進(jìn)的技術(shù)特性,能夠全面滿足高功率密度、高開關(guān)頻率以及高可靠性電源應(yīng)用的需求。該系列產(chǎn)品矩陣涵蓋 650?V、 750?V、 1200?V 和 1400
2025-10-21 10:12:15
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合作、高效響應(yīng)需求,現(xiàn)正式開通開源鴻蒙系列產(chǎn)品專項(xiàng)業(yè)務(wù)咨詢與商務(wù)合作通道,誠邀各界伙伴攜手共進(jìn)! 合作內(nèi)容方向開源鴻蒙硬件定制開發(fā)基于OpenHarmony的智能終端、邊緣計(jì)算設(shè)備、行業(yè)定制化硬件
2025-10-20 16:23:05
GoodDesignAward作為國(guó)際性設(shè)計(jì)大獎(jiǎng),自1957年創(chuàng)立以來一直致力于表彰那些兼具美學(xué)與社會(huì)價(jià)值的優(yōu)秀設(shè)計(jì)。在今年的年度評(píng)審中,M5Stack系列產(chǎn)品以卓越的產(chǎn)品體系、模塊化結(jié)構(gòu)及開放
2025-10-17 17:42:02
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,照亮生活每一面。這系列產(chǎn)品以其卓越的性能、廣泛的適用性和出色的可靠性,正在為全球各地的用戶帶來前所未有的光體驗(yàn)。億光代理商南山電子給大家介紹一下億光67-22ST系
2025-10-14 14:19:21
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近日,DeepSeek宣布在其新版本中擁抱國(guó)產(chǎn)GPU語言TileLang,引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注。作為國(guó)產(chǎn)高性能GPU的代表,沐曦曦云C系列產(chǎn)品已率先在這一新興開源社區(qū)獲得支持。TileLang項(xiàng)目是由
2025-10-14 09:25:25
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作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的同系列產(chǎn)品,PT2432 與 PT2432C 雖共享核心技術(shù)架構(gòu),卻在參數(shù)細(xì)節(jié)與場(chǎng)景適配性上形成互補(bǔ),精準(zhǔn)覆蓋不同功率控制需求。
2025-10-11 14:52:44
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Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校,可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中,80 V
2025-10-10 11:22:27
700 安世半導(dǎo)體近期推出了12/16/24通道、每通道100mA驅(qū)動(dòng)能力的線性LED驅(qū)動(dòng)系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品集成芯片級(jí)ASIL-B功能安全,滿足車燈系統(tǒng)針對(duì)功能安全日漸增加的高要求,非常適用于車外照明中的轉(zhuǎn)向燈、剎車燈、貫穿式尾燈,以及日間行車燈等信號(hào)燈和裝飾燈。
2025-09-26 17:35:00
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南山電子介紹一下君耀壓敏電阻34S系列產(chǎn)品特點(diǎn)和選型建議。君耀壓敏電阻34S系列是一種金屬氧化物壓敏電阻(MOV),采用先進(jìn)的陶瓷燒結(jié)技術(shù)制造而成,并通過樹脂封裝
2025-09-25 16:50:11
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,持續(xù)迭代升級(jí)IGBT和MOSFET技術(shù)平臺(tái),通過精密的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、優(yōu)化的制造工藝和先進(jìn)的封裝方案,打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴(yán)苛
2025-09-16 14:56:05
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1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:40
1034 新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:35
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度亙核芯推出1470nm和1550nm兩大波長(zhǎng)系列芯片,其額定輸出功率達(dá)到7.5W,創(chuàng)業(yè)界新高!基于度亙核芯強(qiáng)大的平臺(tái)化技術(shù)優(yōu)勢(shì),形成了5.5W、6.5W、7.5W等系列產(chǎn)品。在芯片開發(fā)的基礎(chǔ)上
2025-08-12 12:03:54
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近日,派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺(tái)下,5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)7mΩ,達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。相比
2025-08-05 15:19:01
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基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:14
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7月30日,奧迪威將工業(yè)智能機(jī)器人系列產(chǎn)品方案亮相2025(第六屆)全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大會(huì)暨智能工業(yè)展,助力精密制造設(shè)備、激光生產(chǎn)設(shè)備、智能分揀設(shè)備等實(shí)現(xiàn)更精細(xì)、準(zhǔn)確、智能的生產(chǎn)升級(jí)。
2025-07-30 08:28:20
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近年來,充電基礎(chǔ)設(shè)施保有量快速增長(zhǎng),運(yùn)營(yíng)管理過程中普遍存在充電樁利用率低、設(shè)備維護(hù)困難等問題。千方科技推出AI視頻充電樁系列產(chǎn)品,從感知系統(tǒng)、控制系統(tǒng)到運(yùn)維體系實(shí)現(xiàn)智能化升級(jí),助力充電場(chǎng)站實(shí)現(xiàn)運(yùn)營(yíng)增效。
2025-07-26 14:47:37
1997 近日,中軟國(guó)際與華為云“同舟共濟(jì)”戰(zhàn)略合作8周年慶典暨“云智能行業(yè)賦能,全場(chǎng)景AI正當(dāng)時(shí)”高峰論壇隆重舉行。會(huì)上,中軟國(guó)際正式發(fā)布全場(chǎng)景AI-R1系列產(chǎn)品。R1品牌傳承中軟國(guó)際自2000年來依托自研平臺(tái)迭代創(chuàng)新的理念和初心,面向AI原生應(yīng)用展開全新范式探索。
2025-07-18 17:18:59
1317 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

NCP51752是一款隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品,具備+4.5A源極電流和-9A吸收峰值電流,專為快速切換設(shè)計(jì),能夠驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiCMOSFET功率開關(guān)。該系列產(chǎn)品提供短而匹配的傳播
2025-07-09 09:01:00
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在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景,能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:19
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35

先進(jìn)的半導(dǎo)體解決方案,今日正式推出E-fuse系列產(chǎn)品—— 以?“精密保護(hù)、智能控制”?為核心設(shè)計(jì)理念,集成高精度保護(hù)、浪涌管理、故障診斷于一體,為汽車配電、電池管理系統(tǒng)(BMS)、工業(yè)電源等場(chǎng)景提供高可靠性的功率保護(hù)方案,樹立行
2025-06-30 16:21:15
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揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:53
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,標(biāo)志著芯旺微KF32A158系列產(chǎn)品嚴(yán)格依照ISO26262:2018版標(biāo)準(zhǔn)要求,達(dá)成了功能安全等級(jí)ASILB完整性的目標(biāo),意味著獨(dú)立KungFu內(nèi)核生態(tài)的功能安全產(chǎn)
2025-06-25 10:36:41
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依托海康觀瀾大模型技術(shù)底座,海康睿影帶來<新一代工業(yè)探傷系列產(chǎn)品>,它以“X光感知+AI”能力,一眼洞穿零部件內(nèi)部缺陷,與傳統(tǒng)切開樣本進(jìn)行部分有損抽檢相比,再復(fù)雜的工件,它也可以做到快速、無損檢測(cè),更好保障汽車等制造業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量。
2025-06-24 14:44:54
742 eSUN易生PLA基礎(chǔ)(PLA-Basic)、PETG基礎(chǔ)(PETG-Basic)等基礎(chǔ)(Basic)系列產(chǎn)品已陸續(xù)上線,它們的主要特點(diǎn)在于出色的性價(jià)比,在保持價(jià)格優(yōu)勢(shì)的同時(shí),也為用戶提供較好的打印使用體驗(yàn)。
2025-06-20 15:38:15
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此前,6月11日-13日,第十八屆(2025)國(guó)際太陽能光伏與智慧能源(上海)大會(huì)暨展覽會(huì)(SNEC)在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦。天合綠建作為光伏建筑一體化產(chǎn)品解決方案提供商,攜TEG系列產(chǎn)品解決方案亮相SNEC展會(huì),為綠色建筑發(fā)展提供了兼?zhèn)鋵徝纼r(jià)值的新選擇。
2025-06-16 10:45:35
1312 作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:59
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英飛凌新發(fā)布了CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品,單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新
2025-06-09 17:45:19
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什么是功率 MOSFET?
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)信號(hào)
2025-06-03 15:39:43
CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器的功率吸收路徑,
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎?
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)?
2025-05-28 06:51:33
的最新成果,也標(biāo)志著我國(guó)在智能操作系統(tǒng)領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。開鴻Bot系列產(chǎn)品:構(gòu)建開發(fā)者友好的“底座生態(tài)”大會(huì)伊始,深開鴻C(jī)EO王成錄發(fā)布了開鴻Bot系列產(chǎn)品,這
2025-05-26 12:06:35
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隨著健康意識(shí)的提升與生活方式的轉(zhuǎn)變,人們對(duì)健康光源的要求越來越高。鴻利智匯集團(tuán)旗下子公司斯邁得憑借領(lǐng)先的光譜技術(shù),推出自然光系列產(chǎn)品,以智能科技模擬自然日光律動(dòng),為客戶帶來健康、舒適且高度個(gè)性化的全天候光環(huán)境體驗(yàn)。
2025-05-22 13:47:24
885 天津見合八方光電科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“見合八方”)發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品;包括850nm SLD,850nm RSOA,同時(shí),850nm SOA也在測(cè)試驗(yàn)證階段,即將發(fā)布。
2025-05-17 11:15:33
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意法半導(dǎo)體ST25R系列NFC讀卡器推出兩款喚醒速度和檢測(cè)距離俱佳的車規(guī)新產(chǎn)品,提升用戶體驗(yàn)。ST25R500和ST25R501符合車聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟(CCC)和無線充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium)兩大標(biāo)準(zhǔn)的要求,目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)汽車數(shù)字鑰匙、設(shè)備配對(duì)、發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)和中控臺(tái)無線充電NFC卡保護(hù)。
2025-05-14 09:44:29
931 此前,4月29日-30日,第八屆數(shù)字中國(guó)建設(shè)峰會(huì)在福州隆重舉行。中國(guó)電科以“乘數(shù)而上,以智致遠(yuǎn)”為主題,全方位展示數(shù)字科技領(lǐng)域創(chuàng)新實(shí)力。30日上午,在電科新品發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng),易華錄存儲(chǔ)事業(yè)部副總經(jīng)理呂曉鵬正式發(fā)布了“易存一體機(jī)”系列產(chǎn)品。
2025-05-08 11:41:46
911 (Gen3)1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品,旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場(chǎng)提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比,該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí),其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)
2025-05-07 10:56:10
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近日,半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì),具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗,適用于
2025-04-25 11:39:28
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高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心需求,羅姆憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能,為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案。
2025-03-27 14:15:26
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和計(jì)算領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度,顯著改善了前代產(chǎn)品的性能。SiHK050N65E采用了先進(jìn)的n-channel設(shè)計(jì),與之前的MOSFET相比,具備48.2%的導(dǎo)
2025-03-27 11:49:46
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飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產(chǎn)品族)。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17
雖然明確說明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的從站,但它可以用來做主站嗎,還是說必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出兩款先進(jìn)的表面貼片封裝選項(xiàng),擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的高功率MOSFET產(chǎn)品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:46
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納芯微正式發(fā)布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列,該系列產(chǎn)品是對(duì)納芯微已量產(chǎn)的CSP MOS的完美升級(jí)與補(bǔ)充。新一代CSP MOS進(jìn)一步優(yōu)化了性能表現(xiàn),顯著
2025-03-12 10:33:11
2854 西班牙巴塞羅那2025年3月5日?/美通社/ -- MWC25巴塞羅那期間,在以"先進(jìn)數(shù)據(jù)存力,釋放AI時(shí)代數(shù)據(jù)價(jià)值"為主題的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)論壇上,華為發(fā)布新一代全閃數(shù)據(jù)中心系列產(chǎn)品和行業(yè)場(chǎng)景化方案,幫助
2025-03-05 14:36:17
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在工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中,中服云工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)系列產(chǎn)品脫穎而出,為不同規(guī)模和需求的企業(yè)提供了全面、專業(yè)的物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)解決方案。該系列產(chǎn)品包含工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)基本版(SCADA)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)企業(yè)版
2025-03-05 11:25:48
667 隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng),新潔能(NCE)產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品,優(yōu)化了SOA工作區(qū)間,可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:34
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ST的STSPIN32系列產(chǎn)品集成了MCU與功率開關(guān)管柵極驅(qū)動(dòng)器,不僅節(jié)省了成本,還簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程,整個(gè)系統(tǒng)的體積最多可縮小65%,這些特性讓它在市場(chǎng)上脫穎而出備受青睞。
2025-02-21 14:36:02
859 致真精密儀器探針臺(tái)系列產(chǎn)品介紹
2025-02-18 10:47:17
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致真精密儀器低溫設(shè)備系列產(chǎn)品介紹
2025-02-18 10:45:37
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多模態(tài)大模型為安防行業(yè)帶來重大技術(shù)革新,基于觀瀾大模型技術(shù)體系,海康威視將大參數(shù)量、大樣本量的圖文多模態(tài)大模型與嵌入式智能硬件深度融合,發(fā)布多模態(tài)大模型文搜存儲(chǔ)系列產(chǎn)品——文搜NVR、文搜CVR。
2025-02-18 10:33:56
1122 近日,曙光云公司正式對(duì)外宣布,其全系列產(chǎn)品將全面支持DeepSeek技術(shù)。這一舉措標(biāo)志著曙光云在推動(dòng)AI技術(shù)廣泛應(yīng)用方面邁出了重要一步。 曙光云的全系列產(chǎn)品涵蓋了多個(gè)領(lǐng)域。其中,曙光云Stack云
2025-02-14 15:40:18
941 下一代高速PON網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。 此次推出的50G EML+SOA系列產(chǎn)品,是基于源杰科技在10G 1577nm EML+SOA大規(guī)模量產(chǎn)中積累的豐富經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過精心研發(fā)而成。該系列產(chǎn)品不僅滿足了當(dāng)前市場(chǎng)對(duì)高速、大功率PON光芯片的需求,更為未來50G PON OLT系列提供了先進(jìn)的解決方案。 據(jù)悉,該5
2025-02-12 10:23:00
1455 在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:50
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針對(duì)工業(yè)控制領(lǐng)域客戶對(duì)小型化、高效率電源模塊的迫切需求,金升陽公司近日推出了全新的URB24xxLN-10/15WR3G系列DC/DC模塊電源。該系列產(chǎn)品憑借超小的體積和高功率密度設(shè)計(jì),成為市場(chǎng)上
2025-02-06 10:59:49
1264 近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58
994 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N32A455xxL8系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 16:37:51
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N32A455xxL7系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:37:32
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N32G451系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:34:32
1 SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場(chǎng),可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度,降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:54
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近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:22
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系列產(chǎn)品,B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能,高可靠性和易用性,高性價(jià)比,同時(shí)提供驅(qū)動(dòng)電源和驅(qū)動(dòng)IC解決方案!
*附件
2025-01-22 10:43:28
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PIC32CM MC00系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 14:06:24
0 川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布,該系列產(chǎn)品為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和GaN功率管而優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2025-01-10 18:08:42
1602 
評(píng)論