高效能與低功耗已成為產品設計的核心需求，羅姆憑借其創新的技術和卓越的產品性能，為各行各業不斷提供可靠的解決方案。本文將重點介紹羅姆的MOSFET系列產品，帶您了解其技術優勢和應用場景，更多信息您可點擊文內相關鏈接查看。

羅姆MOSFET具有低導通電阻、高速開關的特點，其產品線覆蓋小信號器件至800V高耐壓規格，廣泛適用于電源、電機等多元化應用場景。同時，MOSFET是汽車電動化的必需品，羅姆的車載MOSFET是符合車載可靠性標準AEC-Q101的高可靠性產品，并且封裝陣容豐富，可靈活滿足各種車載系統的需求。

車載MOSFET

該系列提供可用于各種應用的可高速開關的低導通電阻產品。而且封裝產品陣容豐富，可以適應小型化、大電流化的趨勢，靈活滿足客戶的要求。還將通過開發新工藝結構，進一步降低導通電阻、提高開關速度。

產品推薦

車載Nch MOSFET

產品特點

車載Nch MOSFET“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”的耐壓分別為40V、60V和100V，均通過采用split gate實現了低導通電阻，有助于車載應用的高效運行。所有型號的產品均符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101，并確保高可靠性。

封裝有適用于不同應用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA（2.0mm×2.0mm）和HSMT8AG（3.3mm×3.3mm）非常適用于高級駕駛輔助系統（ADAS）等安裝面積較小的應用。另外還有已被廣泛用于車載電源等應用的TO-252（DPAK）封裝（6.6mm×10.0mm）。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是可潤濕側翼（Wettable Flank）成型技術，TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結構，安裝可靠性都非常高。

產品陣容

190-800V功率MOSFET

羅姆額定電壓為600-800V的功率MOSFET產品，采用先進的超級結技術，兼具高速開關與低導通電阻的卓越性能，能降低應用過程中的能耗損失。該系列精心打造了低噪聲規格和高速開關規格兩類產品，可依據客戶的具體需求精準推薦。

在電源應用領域，如PC、服務器、充電器及照明等設備的PFC電路，低噪聲規格和高速開關規格產品都是理想之選。專為電機及逆變器節能化量身定制的PrestoMOS系列產品，內置運用羅姆專利技術制成的快速二極管。此系列適配空調、冰箱、洗衣機等家電，以及太陽能發電等領域所使用的電機及逆變器電路，同時也適用于圖騰柱型PFC電路和LLC電路，能有效提升能源利用效率。對于LED照明和工業用途，羅姆特別推薦使用800V規格的產品，以滿足其對高電壓和高性能的嚴苛要求。

產品推薦

采用SOT-223-3小型封裝的

600V耐壓Super Junction MOSFET

產品特點

1. 與以往TO-252封裝（6.60mm × 10.00mm × 2.30mm）的產品相比，該產品的面積減少約31%，厚度減少約27%，有助于實現更小、更薄的應用產品。另外，該產品還支持TO-252封裝電路板上的布線圖案（焊盤圖案），因此也可以直接使用現有的電路板。

2. 五款產品分別適用于小型電源和電機應用，各有不同的特點。

適用于小型電源的有3款型號，“R6004END4”具有低噪聲的特點，適用于需要采取降噪措施的應用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速開關的特點，適用于需要低損耗且高效率工作的應用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技術加快了反向恢復時間（trr）并大大降低了開關損耗，屬于“PrestoMOS”產品，非常適用于電機應用。

產品陣容

12-150V MOSFET

該系列涵蓋N通道、P通道MOSFET以及Dual MOSFET。這些產品均具備低導通電阻與高開關速度的卓越特性，能有效提升系統效率與響應速度。從小信號處理所需的 MOSFET，到滿足大功率需求的功率MOSFET，該系列構建起了完備的產品矩陣，可廣泛適用于各類應用場景。另外羅姆還為各位工程師提供產品選型手冊及網頁，您可點擊查看。

- PchMOS專用選型指南

- 電機用新產品規格書數據下載頁面

產品推薦

100V耐壓雙MOSFET

產品特點

1. 采用ROHM新工藝和背面散熱封裝，實現了業界超低的導通電阻（Ron） （Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與普通的雙MOSFET相比，導通電阻降低達56%，非常有助于進一步降低應用設備的功耗。

2. 通過將兩枚芯片一體化封裝，可以減少安裝面積，有助于應用設備進一步節省空間。

產品陣容

Nch MOSFET RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列

產品特點

1. 該產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron），相比以往產品，導通電阻降低了50%。

2. 通過改進柵極結構，Qgd（柵-漏電荷，通常與導通電阻之間存在權衡關系）也比以往產品減少了約40%（Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產品之間的比較）。這可以降低開關損耗和導通損耗，非常有助于各種應用產品的高效率工作。

產品陣容

羅姆的MOSFET系列產品憑借其顯著的技術特性、豐富多元的產品陣容以及在車載領域穩定可靠的表現，為電子行業提供了廣泛且適配性強的解決方案。