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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>羅姆開始量產(chǎn)工業(yè)設(shè)備用全SiC模塊 - 全文

羅姆開始量產(chǎn)工業(yè)設(shè)備用全SiC模塊 - 全文

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傾佳電子行業(yè)洞察工業(yè)機器人伺服電控技術(shù)深度解析:SiC功率模塊的變革與未來

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2025-09-05 06:18:22703

BASiC_SiC MOSFET工業(yè)模塊產(chǎn)品介紹

BASiC_SiC MOSFET工業(yè)模塊產(chǎn)品介紹
2025-09-01 16:02:370

BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹

BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹
2025-09-01 15:24:120

引領(lǐng)高效能新紀元:基本半導體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業(yè)應用

引領(lǐng)高效能新紀元:傾佳力推基本半導體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業(yè)應用 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,對高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切。基本半導體(BASiC
2025-08-25 18:07:22836

貼片電阻器熱設(shè)計要點研討會亮點回顧

除此以外,君選取了研討會中一些有代表性的提問在這里與大家分享,供大家回顧。
2025-08-13 09:40:0217961

SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代

SiC MOSFET模塊革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者 ? ? 一、產(chǎn)品核心優(yōu)勢(直擊客戶痛點) 極致能效,成本銳減
2025-07-29 09:57:57511

深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升:效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03

與獵芯網(wǎng)簽署正式代理銷售協(xié)議

~同步啟動面向中國市場的“ROHM官方技術(shù)論壇(Engineer Social Hub?)”技術(shù)支持服務(wù)~ 全球知名半導體制造商(總部位于日本京都市)今日宣布,與中國電子元器件平臺型電商*獵芯網(wǎng)
2025-07-22 09:25:37425

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用

近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬顆,為應用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231043

奇瑞-供應鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日:攜手譜寫汽車電子技術(shù)新篇章

-供應鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日”圓滿落幕。奇瑞汽車股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、高級執(zhí)行官 阪井 正樹等多位高層領(lǐng)導出席本次活動。雙方技術(shù)專家及供應鏈核心伙伴齊聚一堂,共話汽車電子前沿技術(shù),致力于為未來智慧出行注入強勁創(chuàng)新動力。 右三:
2025-07-10 14:45:35531

顛覆能效極限!BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng)

。傾佳電子攜手基本股份BASiC Semiconductor,為您帶來系高性能SiC MOSFET工業(yè)模塊解決方案,以更低損耗、更高頻效、極致可靠三大核心優(yōu)勢,助力客戶搶占新一代電力電子系統(tǒng)制高點! ? ? ? ? ? ? ? 審核編輯 黃宇
2025-07-08 06:29:15542

聚徽廠家揭秘:貼合觸摸屏為何成為工業(yè)設(shè)備抗干擾“防護盾”?

精度。聚徽工業(yè)設(shè)備通過貼合觸摸屏技術(shù),構(gòu)建了從物理防護到電磁兼容的立體化抗干擾體系,成為工業(yè)場景中保障設(shè)備穩(wěn)定運行的“防護盾”。 二、貼合技術(shù):物理防護的基石 (一)消除空氣層,阻斷污染與干擾 防塵防水性能提升
2025-07-04 18:16:17539

7月直播預告 | 英諾賽科、恩智浦、、英飛凌、廣閎科技與您相約大大通直播間

大大通直播專區(qū)攜手英諾賽科、恩智浦、、英飛凌、廣閎科技等原廠,推出5場精彩線上直播,為您帶來最新技術(shù)分享與行業(yè)洞察。
2025-07-03 11:00:00910

芯馳科技與合作推出車載SoC X9SP參考設(shè)計

全球知名半導體制造商(總部位于日本京都市)宣布,與領(lǐng)先的車規(guī)芯片企業(yè)芯馳科技面向智能座艙聯(lián)合開發(fā)出參考設(shè)計“REF68003”。該參考設(shè)計主要覆蓋芯馳科技的智能座艙SoC*1“X9SP”產(chǎn)品,其中配備了的PMIC*2產(chǎn)品,并在2025年上海車展芯馳科技展臺進行了展示。
2025-06-30 10:48:591525

為英偉達800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案

標志著數(shù)據(jù)中心設(shè)計的關(guān)鍵轉(zhuǎn)變,使兆瓦級人工智能工廠變得更加高效、可擴展和可持續(xù)。 不僅提供硅(Si)功率元器件,還擁有包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容,可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計提供更優(yōu)解決方
2025-06-25 19:45:431211

基本股份SiC功率模塊的兩電平碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-06-24 17:26:28492

SiC MOSFET模塊的損耗計算

為了安全使用SiC模塊,需要計算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對IGBT,MOSFET可以反向?qū)ǎ垂ぷ髟谕秸髂J健1疚暮喴榻B其損耗計算方法。
2025-06-18 17:44:464437

發(fā)布高效能100V功率MOSFET,助力AI服務(wù)器電源管理升級

近日,半導體集團(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET,專為AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路設(shè)計。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性,滿足日益增長的人工智能計算需求。根據(jù)的介紹
2025-06-11 10:35:57903

碳化硅MOSFET模塊在出口型高端逆變焊機中的應用技術(shù)優(yōu)勢

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-06-09 17:22:53857

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代
2025-06-08 11:13:471096

SiC MOSFET模塊并聯(lián)應用中的動態(tài)均流問題

在電力電子領(lǐng)域,當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時,受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應用中的動態(tài)均流問題。
2025-05-30 14:33:432259

國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性

碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行
2025-05-18 14:52:081323

推出SiC塑封型模塊HSDIP20

近年來,為實現(xiàn)無碳社會,電動汽車的普及速度進一步加快。在電動汽車領(lǐng)域,為延長車輛的續(xù)航里程并提升充電速度,所采用的電池正在往更高電壓等級加速推進,同時,提升OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出功率的需求也日益凸顯。另一方面,市場還要求這些應用實現(xiàn)小型化和輕量化,其核心是提高功率密度,同時亟需在影響功率密度提升的散熱性能改善方面實現(xiàn)技術(shù)性突破。
2025-05-16 10:54:58850

內(nèi)置新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊?被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計的模塊化平臺,旨在進一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。 半導體
2025-05-15 17:34:42464

與獵芯網(wǎng)簽訂授權(quán)分銷合同

全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“”)宣布已與中國的電子元器件網(wǎng)絡(luò)電商獵芯網(wǎng)(以下簡稱“ICHunt”)簽訂了授權(quán)分銷合同。
2025-05-12 09:51:02753

國產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學習

Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。
2025-05-05 12:01:57537

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案

SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾
2025-05-04 13:23:07838

電力電子新未來:珠聯(lián)璧合,基本半導體SiC模塊SiC驅(qū)動雙龍出擊

珠聯(lián)璧合,SiC模塊SiC驅(qū)動雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來 珠聯(lián)璧合,雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor SiC功率模塊SiC驅(qū)動板重塑電力電子行業(yè)價值
2025-05-03 15:29:13627

將攜電動交通與工業(yè)領(lǐng)域的最新解決方案亮相PCIM Europe 2025

頂級盛會。將在9號館304展位展示與知名合作伙伴的參考項目及其封裝設(shè)計與評估板的技術(shù)演進。 半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示:“德國紐倫堡的PCIM 2025是電力電子領(lǐng)域創(chuàng)新與突破的盛會。在這里,業(yè)內(nèi)前沿人才匯聚一堂,共同擘畫電動交通和工業(yè)應用的未來藍圖。我們將展示
2025-04-28 16:29:40518

通用變頻器中SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊改變工業(yè)能效格局

結(jié)合國家節(jié)能改造政策,SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電機通用變頻器中的應用潛力巨大,其影響將深刻改變工業(yè)能效格局。以下從政策驅(qū)動、技術(shù)優(yōu)勢、經(jīng)濟性、行業(yè)
2025-04-27 16:18:561017

即將亮相PCIM Europe 2025

是電力電子、智能運動、可再生能源及能源管理領(lǐng)域的國際頂級盛會。將在9號館304展位展示與知名合作伙伴的參考項目及其封裝設(shè)計與評估板的技術(shù)演進。
2025-04-24 10:24:28924

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

三菱電機開始提供SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

三菱電機集團今日宣布,將于4月22日開始供應兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品——SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)和混合SiC SLIMDIP
2025-04-16 14:58:371109

SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC MOSFET模塊通過高效率、高頻化、高溫
2025-04-12 13:23:05799

質(zhì)量亂象:未通過可靠性關(guān)鍵實驗的國產(chǎn)SiC功率模塊應用隱患與后果

質(zhì)量亂象:未通過可靠性關(guān)鍵實驗的國產(chǎn)SiC功率模塊應用隱患與后果 國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊在APF(有源電力濾波器)和PCS(儲能變流器)等電力電子設(shè)備中的應用趨勢日益顯著,主要受益于技術(shù)性
2025-04-02 18:24:49825

ROHM()傳感器_MEMS選型指南

ROHM()傳感器_MEMS選型指南
2025-04-01 15:58:373

中國電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊SiC模塊

中國電力電子客戶逐漸擺脫對國外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應商的依賴,轉(zhuǎn)向國產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊SiC模塊,這一轉(zhuǎn)變是技術(shù)、市場、政策和信任危機等多重因素共同作用的結(jié)果
2025-03-28 09:50:49712

MOSFET系列產(chǎn)品的優(yōu)勢和特點

高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計的核心需求,憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能,為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案。
2025-03-27 14:15:261187

國產(chǎn)SiC模塊如何應對25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價格絞殺戰(zhàn)

進入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對外資功率模的瘋狂價格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊需通過技術(shù)、成本、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等多維度策略應對
2025-03-21 07:00:50933

CAB450M12XM3工業(yè)SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業(yè)SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業(yè)碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21

國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢

國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢分析 FP35R12N2T7_B67是集成有源PFC(維也納整流)和逆變
2025-03-16 17:19:071142

EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT被村田AI服務(wù)器電源采用

Power Solutions的AI(人工智能)服務(wù)器電源采用。的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關(guān)性能,助力Murata Power Solutions的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元實現(xiàn)小型化和高效率工作。預計該電源單元將于2025年開始量產(chǎn)
2025-02-26 15:41:25999

ROHM/ PMR25HZPFV1L00 SMD分流器芯片

特點1) 超低歐姆電阻范圍(1mΩ~)2) 通過微調(diào)較少的結(jié)構(gòu)提高了電流檢測精度。3) 特殊的低電阻溫度系數(shù)。4) 獨特的芯片結(jié)構(gòu)使溫度循環(huán)期間的熱應力最小化,從而提高了可靠性。5) 電阻器已獲得ISO9001/IAFT16949認證。6) 對應AEC-Q200
2025-02-20 15:18:18

BTP1521P解決IGBT模塊升級SiC模塊的正負驅(qū)動電壓

SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟性以及應用場景適配性等方面的綜合優(yōu)勢,使其成為電力電子應用中的首選,推動了IGBT模塊SiC模塊的升級趨勢。國產(chǎn)SiC模塊(如BASiC
2025-02-13 19:19:52950

三菱電機高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

SiC芯片可以高溫工作,與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進,本文帶你詳細了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-12 11:26:411207

高頻感應電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT
2025-02-10 09:41:151007

高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT
2025-02-09 20:17:291126

典范轉(zhuǎn)移 EV生態(tài)系商機 - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.

典范轉(zhuǎn)移 EV生態(tài)系商機 - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
2025-01-22 17:23:47941

半導體宣布2025財年換帥

半導體表示,此次高層調(diào)整旨在加快構(gòu)建堅實的管理基礎(chǔ),進一步提升企業(yè)價值。東克己作為半導體的高級管理執(zhí)行官,目前負責質(zhì)量、生產(chǎn)、通用器件業(yè)務(wù)和模塊業(yè)務(wù),并兼任下屬公司阿波羅的負責人。 在新聞發(fā)布會上,東克己坦誠地表
2025-01-22 14:01:481111

三菱電機工業(yè)用NX封裝SiC功率模塊解析

三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-22 10:58:423052

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

功率半導體產(chǎn)品概要

)排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此,為了實現(xiàn)零碳社會,努力提高能源利用效率并實現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標。 在這種背景下,致力于通過電子技術(shù)解決社會問題,專注于開發(fā)在大功率應用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導體,并提供相關(guān)的電源解決方
2025-01-15 17:26:42914

三菱電機超小型SiC DIPIPM解析

在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機開發(fā)了超小型SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型SiC DIPIPM的優(yōu)勢。
2025-01-08 13:48:552318

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