～為實現(xiàn)千兆瓦級AI基礎(chǔ)設(shè)施的800 VDC構(gòu)想提供支持～

2025年10月28日，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，作為半導(dǎo)體行業(yè)引領(lǐng)創(chuàng)新的主要企業(yè)，發(fā)布基于下一代800 VDC架構(gòu)的AI數(shù)據(jù)中心用的先進(jìn)電源解決方案白皮書。

本白皮書作為2025年6月發(fā)布的“羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案”合作新聞中的組成部分，詳細(xì)闡述了羅姆為AI基礎(chǔ)設(shè)施中的800 VDC供電系統(tǒng)提供強(qiáng)力支持的理想電源解決方案。

800 VDC架構(gòu)是高效且可擴(kuò)展性強(qiáng)的供電系統(tǒng)，因其可助力實現(xiàn)千兆瓦級AI工廠而有望為未來數(shù)據(jù)中心設(shè)計帶來革命性轉(zhuǎn)變。

羅姆不僅提供硅(Si)功率元器件，還提供包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等在內(nèi)的豐富的功率元器件產(chǎn)品群，而且是世界上少數(shù)擁有模擬IC(控制IC和電源IC，可以更大程度地激發(fā)出這些功率元器件的性能)技術(shù)開發(fā)能力的企業(yè)之一。

本白皮書不僅介紹了羅姆引以為傲的豐富的功率元器件和模擬IC技術(shù)，還介紹了熱設(shè)計等各種仿真、電路板設(shè)計以及實際應(yīng)用案例等綜合電源解決方案。

<白皮書點擊這里>

<本白皮書的要點>

在AI數(shù)據(jù)中心，每個機(jī)架的功耗激增，導(dǎo)致以往48V/12V的直流供電方式已接近極限。

向800 VDC架構(gòu)轉(zhuǎn)型，將會顯著提升數(shù)據(jù)中心的效率、功率密度及可持續(xù)發(fā)展能力。

在800 VDC架構(gòu)下，以往在服務(wù)器機(jī)架內(nèi)進(jìn)行的從交流電向直流電的轉(zhuǎn)換(PSU)，將改為在獨立的電源機(jī)架內(nèi)進(jìn)行。

對于800 VDC架構(gòu)而言，SiC和GaN器件不可或缺。電源機(jī)架部分的AC/DC轉(zhuǎn)換單元因移至IT機(jī)架外部，使得可實現(xiàn)更高效率的拓?fù)渥兊糜葹橹匾Ａ硪环矫妫琁T機(jī)架部分的DC/DC轉(zhuǎn)換單元，為提高其 GPU集成度而采用可實現(xiàn)高功率密度的結(jié)構(gòu)也非常重要。

在各轉(zhuǎn)換單元(如從交流電向800V直流電的轉(zhuǎn)換，或IT機(jī)架部分從800V直流電的降壓)中，可支持 800 VDC架構(gòu)的拓?fù)渫ㄟ^采用羅姆推薦的SiC和GaN器件，可實現(xiàn)更高效率、更低噪聲及外圍元器件小型化，進(jìn)而使功率密度得以大幅提升。

羅姆的EcoSiC?系列產(chǎn)品以業(yè)界超低導(dǎo)通電阻著稱，其產(chǎn)品陣容中包括適用于AI服務(wù)器的頂部散熱型模塊等產(chǎn)品，非常有助于提升功率密度。另外，羅姆的EcoGaN?系列通過融合超高速脈沖控制技術(shù) "Nano Pulse Control?"、以及可更大程度地激發(fā)GaN性能的模擬IC技術(shù)，實現(xiàn)了穩(wěn)定的高頻控制和柵極驅(qū)動，并已在市場上獲得高度好評。

向800V VDC架構(gòu)的轉(zhuǎn)型意義重大，需要全行業(yè)的協(xié)同合作。羅姆作為實現(xiàn)下一代AI工廠的重要合作伙伴，不僅持續(xù)與NVIDIA等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者保持緊密協(xié)作，還將與數(shù)據(jù)中心運營商及電源制造商開展深度合作。例如，羅姆于2022年就已經(jīng)與臺達(dá)電子達(dá)成“電源系統(tǒng)用功率元器件戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系”。羅姆將通過提供自身擅長的SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)，為構(gòu)建可持續(xù)且高能效的數(shù)字化社會貢獻(xiàn)力量。

關(guān)于EcoSiC?

EcoSiC?是采用了因性能優(yōu)于硅(Si)而在功率元器件領(lǐng)域備受關(guān)注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法，ROHM一直在自主開發(fā)SiC產(chǎn)品升級所必需的技術(shù)。另外， ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系，已經(jīng)確立了SiC領(lǐng)域先進(jìn)企業(yè)的地位。

?EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

關(guān)于EcoGaN?

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計工時和元器件數(shù)量等。

?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

關(guān)于EcoMOS?

EcoMOS?是ROHM開發(fā)的Si功率MOSFET品牌，非常適用于功率元器件領(lǐng)域?qū)?jié)能要求高的應(yīng)用。 EcoMOS?產(chǎn)品陣容豐富，已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設(shè)備和車載等領(lǐng)域。客戶可根據(jù)應(yīng)用需求，通過噪聲性能和開關(guān)性能等各種參數(shù)從產(chǎn)品陣容中選擇產(chǎn)品。

?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

審核編輯 黃宇