近年來，為實現(xiàn)無碳社會，電動汽車的普及速度進一步加快。在電動汽車領(lǐng)域，為延長車輛的續(xù)航里程并提升充電速度，所采用的電池正在往更高電壓等級加速推進，同時，提升OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出功率的需求也日益凸顯。另一方面，市場還要求這些應用實現(xiàn)小型化和輕量化，其核心是提高功率密度，同時亟需在影響功率密度提升的散熱性能改善方面實現(xiàn)技術(shù)性突破。

新品直擊

針對這些挑戰(zhàn)，羅姆于2025年4月推出4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產(chǎn)品非常適用于xEV(電動汽車)車載充電器(以下簡稱“OBC”)的PFC和LLC轉(zhuǎn)換器等應用。其通過將各種大功率應用的電路中所需的基本電路集成到小型模塊封裝中，可有效減少客戶的設計時間，而且有助于實現(xiàn)OBC等應用中電力變換電路的小型化。

產(chǎn)品特點

1構(gòu)建大功率電源電路拓撲(PFC、LLC)的理想產(chǎn)品陣容

- 內(nèi)置4枚/6枚1,200V/750V耐壓的SiC MOSFET，可構(gòu)建更簡潔小巧的電源電路

- 產(chǎn)品陣容豐富，提供多種導通電阻(13mΩ~62mΩ)，用戶可根據(jù)需求選擇合適的產(chǎn)品

2采用導熱性能優(yōu)異的絕緣材料，散熱性能出色，絕緣設計簡便

- 與散熱性好的分立器件封裝產(chǎn)品相比，其卓越的散熱性能可有效抑制封裝發(fā)熱

3與同等小型功率模塊相比，輸出功率更高

- 采用具有高散熱性封裝和低導通電阻的SiC MOSFET，電流密度是其他公司DIP模塊的1.5倍

產(chǎn)品陣容

HSDIP20是羅姆SiC功率器件家族的新成員，作為SiC領(lǐng)域的深耕者，羅姆自2010年在全球率先實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)以來，已經(jīng)自主開發(fā)了從SiC晶圓制造到元器件結(jié)構(gòu)、制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法等SiC元器件所需的各種技術(shù)。

另外，羅姆還提供各種形式的SiC元器件，其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模塊。不僅如此，為滿足SiC市場不斷擴大的需求，羅姆于2023年開始生產(chǎn)8英寸襯底，并計劃從2025年開始量產(chǎn)并銷售相應的元器件。

除新推出的HSDIP20，羅姆于2024年推出的2款產(chǎn)品同樣引人矚目。

新型二合一SiC封裝模塊

“TRCDRIVE pack”

TRCDRIVE pack的功率密度高，并采用ROHM自有的引腳排列方式，有助于解決牽引逆變器面臨的小型化、效率提升和減少工時等主要課題。

產(chǎn)品陣容

寬爬電距離封裝

SiC肖特基勢壘二極管

采用自主設計封裝，絕緣電阻顯著提高!與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理。

產(chǎn)品陣容

未來，ROHM將繼續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，通過提供滿足市場需求的優(yōu)質(zhì)功率元器件，為汽車和工業(yè)設備的節(jié)能和效率提升貢獻力量。