全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，其EcoGaN Power Stage IC已應用于包括游戲筆記本電腦在內(nèi)的MSI（微星）產(chǎn)品的AC適配器。

這款AC適配器由全球領先的電源制造商臺達開發(fā)，采用EcoGaN Power Stage IC “BM3G005MUV-LB”， 具備高速電源切換、低導通電阻等特色，結(jié)合臺達先進的電源管理技術，與以往適配器相比，大幅縮減體積同時提升能效。

通過搭載EcoGaN Power Stage IC，臺達為 MSI 設計的適配器不僅提高供電瓦數(shù)，還可在峰值狀態(tài)下維持一小段時間的高輸出功率，即使在要求高性能的電競高負載環(huán)境下，也能實現(xiàn)穩(wěn)定的電力供應。

近年來，隨著游戲筆記本處理能力的提升，其搭載的GPU和CPU的性能也越來越高。這使得功耗也隨之增大，要求AC適配器既要提供穩(wěn)定支撐這種高負荷運算處理的大功率，又要滿足用戶對便攜性日益增長的需求，因此在提升性能的同時縮小體積已成為當務之急。

另一方面，具有低導通電阻和高速開關特性的GaN器件因其有助于電源的高效率工作和外圍元器件（如電源電路中使用的電感器等）的小型化而備受矚目。羅姆的Power Stage IC集650V GaN HEMT、柵極驅(qū)動器、保護功能及外圍元器件于一體，僅需替換以往的Si MOSFET即可更大程度地激發(fā)出GaN HEMT的性能。

臺達邊際信息科技電源事業(yè)部總經(jīng)理林政毅表示：“結(jié)合臺達最先進的電源方案和羅姆的EcoGaN Power Stage IC技術優(yōu)勢，我們成功地滿足游戲筆記本AC適配器對大功率供電、能效優(yōu)化及小型化的需求，并被全球知名的電競品牌MSI采用。羅姆在GaN的技術領域擁有許多優(yōu)勢，也是我們長期合作的重要伙伴。我們期待未來持續(xù)透過與其技術合作，為客戶提供更多新世代的高效電源方案?！?/p>

羅姆 LSI開發(fā)本部 功率GaN解決方案開發(fā)部統(tǒng)括課長名手智表示：“臺達與羅姆在電源系統(tǒng)領域已合作多年。此次合作成果是臺達多年積累的電源開發(fā)技術和羅姆的功率元器件開發(fā)制造技術、模擬電源技術的深度融合，很高興能夠被MSI的產(chǎn)品采用。未來，我們不僅致力于在游戲筆記本領域，還將致力于在服務器、工業(yè)設備、汽車等更廣泛的領域為電源的小型化和效率提升貢獻力量。”

關于Power Stage IC

羅姆的GaN HEMT Power Stage IC可為需要高功率密度和效率的各種電力電子系統(tǒng)提供理想的解決方案。該產(chǎn)品集下一代功率器件GaN HEMT和為了更大程度地激發(fā)GaN HEMT性能而優(yōu)化的柵極驅(qū)動器于一體，支持2.5V～30V的寬輸入電壓范圍，可以與各種控制器IC結(jié)合使用。這些特點和優(yōu)勢使其能夠取代超級結(jié)MOSFET等傳統(tǒng)的分立功率開關。

什么是EcoGaN

EcoGaN是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應用產(chǎn)品進一步節(jié)能和小型化的羅姆GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應用產(chǎn)品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。

?EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。