全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，其EcoGaN Power Stage IC已應用于包括游戲筆記本電腦在內的MSI（微星）產品的AC適配器。

這款AC適配器由全球領先的電源制造商臺達開發，采用EcoGaN Power Stage IC “BM3G005MUV-LB”， 具備高速電源切換、低導通電阻等特色，結合臺達先進的電源管理技術，與以往適配器相比，大幅縮減體積同時提升能效。

通過搭載EcoGaN Power Stage IC，臺達為 MSI 設計的適配器不僅提高供電瓦數，還可在峰值狀態下維持一小段時間的高輸出功率，即使在要求高性能的電競高負載環境下，也能實現穩定的電力供應。

近年來，隨著游戲筆記本處理能力的提升，其搭載的GPU和CPU的性能也越來越高。這使得功耗也隨之增大，要求AC適配器既要提供穩定支撐這種高負荷運算處理的大功率，又要滿足用戶對便攜性日益增長的需求，因此在提升性能的同時縮小體積已成為當務之急。

另一方面，具有低導通電阻和高速開關特性的GaN器件因其有助于電源的高效率工作和外圍元器件（如電源電路中使用的電感器等）的小型化而備受矚目。羅姆的Power Stage IC集650V GaN HEMT、柵極驅動器、保護功能及外圍元器件于一體，僅需替換以往的Si MOSFET即可更大程度地激發出GaN HEMT的性能。

臺達邊際信息科技電源事業部總經理林政毅表示：“結合臺達最先進的電源方案和羅姆的EcoGaN Power Stage IC技術優勢，我們成功地滿足游戲筆記本AC適配器對大功率供電、能效優化及小型化的需求，并被全球知名的電競品牌MSI采用。羅姆在GaN的技術領域擁有許多優勢，也是我們長期合作的重要伙伴。我們期待未來持續透過與其技術合作，為客戶提供更多新世代的高效電源方案。”

羅姆 LSI開發本部 功率GaN解決方案開發部統括課長名手智表示：“臺達與羅姆在電源系統領域已合作多年。此次合作成果是臺達多年積累的電源開發技術和羅姆的功率元器件開發制造技術、模擬電源技術的深度融合，很高興能夠被MSI的產品采用。未來，我們不僅致力于在游戲筆記本領域，還將致力于在服務器、工業設備、汽車等更廣泛的領域為電源的小型化和效率提升貢獻力量。”

關于Power Stage IC

羅姆的GaN HEMT Power Stage IC可為需要高功率密度和效率的各種電力電子系統提供理想的解決方案。該產品集下一代功率器件GaN HEMT和為了更大程度地激發GaN HEMT性能而優化的柵極驅動器于一體，支持2.5V～30V的寬輸入電壓范圍，可以與各種控制器IC結合使用。這些特點和優勢使其能夠取代超級結MOSFET等傳統的分立功率開關。

什么是EcoGaN

EcoGaN是通過更大程度地發揮GaN的性能，助力應用產品進一步節能和小型化的羅姆GaN器件，該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。

?EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。