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使SiC相關(guān)業(yè)務(wù)銷售額達(dá)到160億日元 - 羅姆開始量產(chǎn)工業(yè)設(shè)備用全SiC模塊

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互通有無(wú)擴(kuò)展生態(tài),英飛凌與達(dá)成碳化硅功率器件封裝合作

將成為對(duì)方 SiC 功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商,未來(lái)客戶可在英飛凌與各自的對(duì)應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換,從而提升設(shè)計(jì)與采購(gòu)的靈活性。 具體而言,將采用英飛凌的 2.3mm 標(biāo)準(zhǔn)高度 SiC 頂部散熱平臺(tái);而英飛凌則將導(dǎo)入的半橋結(jié)構(gòu) SiC 模塊 "DOT-247" 并開發(fā)兼容封裝。 左:英飛凌
2025-09-29 18:24:361709

亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新

2025 年 9 月 24 日,在 PCIM Asia Shanghai 展會(huì)現(xiàn)場(chǎng),(ROHM)攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。展會(huì)上重點(diǎn)展示了EcoSiC?碳化硅(SiC模塊
2025-09-29 14:35:1812442

與英飛凌攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性,為客戶帶來(lái)更高靈活度

全球知名半導(dǎo)體制造商(總部位于日本京都市)宣布,與英飛凌科技股份公司(總部位于德國(guó)諾伊比貝格,以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”)就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽(yáng)能
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ROHM發(fā)布全新SiC模塊DOT-247

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”,該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性,同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。
2025-09-26 09:48:02705

助力舍弗勒新型高電壓逆變磚實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

全球知名半導(dǎo)體制造商(總部位于日本京都市)與德國(guó)大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)(總部位于德國(guó)赫爾佐根奧拉赫,以下簡(jiǎn)稱“舍弗勒”)宣布,作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑,舍弗勒開始量產(chǎn)搭載SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國(guó)大型汽車制造商設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。
2025-09-26 09:37:27577

傾佳電子SiC功率模塊:超大功率橋LLC應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)深度分析報(bào)告

傾佳電子BMF540R12KA3 SiC功率模塊:超大功率橋LLC應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)深度分析報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)
2025-09-19 15:32:57661

將攜眾多先進(jìn)解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai

SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時(shí),還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦技術(shù)研討會(huì),分享其最新的電力電子解決方案。 憑借其業(yè)界先進(jìn)的碳化硅為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和模塊技術(shù)。在提供電源解決方案的同時(shí),為工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的節(jié)能化、小型化做出
2025-09-17 15:59:47360

鏡頭:傾斜對(duì)焦 讓工業(yè)成像更精準(zhǔn)

在眾多工業(yè)鏡頭中,沙鏡頭憑借其獨(dú)特的光學(xué)設(shè)計(jì)和功能,成為許多專業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景中不可或缺的工具。它通過(guò)傾斜功能幫助用戶更好地控制透視和景深,滿足高精度成像需求。核心原理沙鏡頭的核心原理基于沙定律
2025-09-12 17:02:32864

邀您相約PCIM Asia Shanghai 2025

設(shè)備和汽車領(lǐng)域中卓越的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時(shí),還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦技術(shù)研討會(huì),分享其最新的電力電子解決方案。
2025-09-10 14:34:45811

傾佳電子行業(yè)洞察:碳化硅(SiC模塊加速全面取代IGBT模塊的深度剖析

專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)
2025-09-09 10:46:16797

傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因

傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因與SiC模塊應(yīng)用系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)深度研究 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源
2025-09-07 14:57:042117

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面升級(jí)替代 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源
2025-09-05 08:36:442199

傾佳電子行業(yè)洞察工業(yè)機(jī)器人伺服電控技術(shù)深度解析:SiC功率模塊的變革與未來(lái)

傾佳電子行業(yè)洞察工業(yè)機(jī)器人伺服電控技術(shù)深度解析:SiC功率模塊的變革與未來(lái) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-05 06:18:22703

BASiC_SiC MOSFET工業(yè)模塊產(chǎn)品介紹

BASiC_SiC MOSFET工業(yè)模塊產(chǎn)品介紹
2025-09-01 16:02:370

BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹

BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹
2025-09-01 15:24:120

引領(lǐng)高效能新紀(jì)元:基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業(yè)應(yīng)用

引領(lǐng)高效能新紀(jì)元:傾佳力推基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業(yè)應(yīng)用 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,對(duì)高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切。基本半導(dǎo)體(BASiC
2025-08-25 18:07:22836

貼片電阻器熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)研討會(huì)亮點(diǎn)回顧

除此以外,君選取了研討會(huì)中一些有代表性的提問(wèn)在這里與大家分享,供大家回顧。
2025-08-13 09:40:0217961

SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時(shí)代

SiC MOSFET模塊革命:傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時(shí)代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者 ? ? 一、產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì)(直擊客戶痛點(diǎn)) 極致能效,成本銳減
2025-07-29 09:57:57511

深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍性提升:效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03

與獵芯網(wǎng)簽署正式代理銷售協(xié)議

~同步啟動(dòng)面向中國(guó)市場(chǎng)的“ROHM官方技術(shù)論壇(Engineer Social Hub?)”技術(shù)支持服務(wù)~ 全球知名半導(dǎo)體制造商(總部位于日本京都市)今日宣布,與中國(guó)電子元器件平臺(tái)型電商*獵芯網(wǎng)
2025-07-22 09:25:37425

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬(wàn)顆,為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231043

奇瑞-供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日:攜手譜寫汽車電子技術(shù)新篇章

-供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日”圓滿落幕。奇瑞汽車股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、高級(jí)執(zhí)行官 阪井 正樹等多位高層領(lǐng)導(dǎo)出席本次活動(dòng)。雙方技術(shù)專家及供應(yīng)鏈核心伙伴齊聚一堂,共話汽車電子前沿技術(shù),致力于為未來(lái)智慧出行注入強(qiáng)勁創(chuàng)新動(dòng)力。 右三:
2025-07-10 14:45:35531

顛覆能效極限!BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng)

。傾佳電子攜手基本股份BASiC Semiconductor,為您帶來(lái)系高性能SiC MOSFET工業(yè)模塊解決方案,以更低損耗、更高頻效、極致可靠三大核心優(yōu)勢(shì),助力客戶搶占新一代電力電子系統(tǒng)制高點(diǎn)! ? ? ? ? ? ? ? 審核編輯 黃宇
2025-07-08 06:29:15542

聚徽廠家揭秘:貼合觸摸屏為何成為工業(yè)設(shè)備抗干擾“防護(hù)盾”?

精度。聚徽工業(yè)設(shè)備通過(guò)貼合觸摸屏技術(shù),構(gòu)建了從物理防護(hù)到電磁兼容的立體化抗干擾體系,成為工業(yè)場(chǎng)景中保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的“防護(hù)盾”。 二、貼合技術(shù):物理防護(hù)的基石 (一)消除空氣層,阻斷污染與干擾 防塵防水性能提升
2025-07-04 18:16:17539

7月直播預(yù)告 | 英諾賽科、恩智浦、、英飛凌、廣閎科技與您相約大大通直播間

大大通直播專區(qū)攜手英諾賽科、恩智浦、、英飛凌、廣閎科技等原廠,推出5場(chǎng)精彩線上直播,為您帶來(lái)最新技術(shù)分享與行業(yè)洞察。
2025-07-03 11:00:00910

芯馳科技與合作推出車載SoC X9SP參考設(shè)計(jì)

全球知名半導(dǎo)體制造商(總部位于日本京都市)宣布,與領(lǐng)先的車規(guī)芯片企業(yè)芯馳科技面向智能座艙聯(lián)合開發(fā)出參考設(shè)計(jì)“REF68003”。該參考設(shè)計(jì)主要覆蓋芯馳科技的智能座艙SoC*1“X9SP”產(chǎn)品,其中配備了的PMIC*2產(chǎn)品,并在2025年上海車展芯馳科技展臺(tái)進(jìn)行了展示。
2025-06-30 10:48:591525

為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案

標(biāo)志著數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)變,使兆瓦級(jí)人工智能工廠變得更加高效、可擴(kuò)展和可持續(xù)。 不僅提供硅(Si)功率元器件,還擁有包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容,可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計(jì)提供更優(yōu)解決方
2025-06-25 19:45:431211

基本股份SiC功率模塊的兩電平碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-24 17:26:28492

SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,MOSFET可以反向?qū)ǎ垂ぷ髟谕秸髂J健1疚暮?jiǎn)要介紹其損耗計(jì)算方法。
2025-06-18 17:44:464437

發(fā)布高效能100V功率MOSFET,助力AI服務(wù)器電源管理升級(jí)

近日,半導(dǎo)體集團(tuán)(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET,專為AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路設(shè)計(jì)。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性,滿足日益增長(zhǎng)的人工智能計(jì)算需求。根據(jù)的介紹
2025-06-11 10:35:57903

碳化硅MOSFET模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-09 17:22:53857

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
2025-06-08 11:13:471096

SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題

在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí),受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)電流不均的問(wèn)題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題。
2025-05-30 14:33:432259

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行
2025-05-18 14:52:081323

推出SiC塑封型模塊HSDIP20

近年來(lái),為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì),電動(dòng)汽車的普及速度進(jìn)一步加快。在電動(dòng)汽車領(lǐng)域,為延長(zhǎng)車輛的續(xù)航里程并提升充電速度,所采用的電池正在往更高電壓等級(jí)加速推進(jìn),同時(shí),提升OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出功率的需求也日益凸顯。另一方面,市場(chǎng)還要求這些應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型化和輕量化,其核心是提高功率密度,同時(shí)亟需在影響功率密度提升的散熱性能改善方面實(shí)現(xiàn)技術(shù)性突破。
2025-05-16 10:54:58850

內(nèi)置新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊?被SMA的太陽(yáng)能系統(tǒng)采用

SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺(tái),旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。 半導(dǎo)體
2025-05-15 17:34:42464

與獵芯網(wǎng)簽訂授權(quán)分銷合同

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“”)宣布已與中國(guó)的電子元器件網(wǎng)絡(luò)電商獵芯網(wǎng)(以下簡(jiǎn)稱“ICHunt”)簽訂了授權(quán)分銷合同。
2025-05-12 09:51:02753

國(guó)產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學(xué)習(xí)

Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。
2025-05-05 12:01:57537

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案

SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾
2025-05-04 13:23:07838

電力電子新未來(lái):珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊

珠聯(lián)璧合,SiC模塊SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來(lái) 珠聯(lián)璧合,雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor SiC功率模塊SiC驅(qū)動(dòng)板重塑電力電子行業(yè)價(jià)值
2025-05-03 15:29:13627

將攜電動(dòng)交通與工業(yè)領(lǐng)域的最新解決方案亮相PCIM Europe 2025

頂級(jí)盛會(huì)。將在9號(hào)館304展位展示與知名合作伙伴的參考項(xiàng)目及其封裝設(shè)計(jì)與評(píng)估板的技術(shù)演進(jìn)。 半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示:“德國(guó)紐倫堡的PCIM 2025是電力電子領(lǐng)域創(chuàng)新與突破的盛會(huì)。在這里,業(yè)內(nèi)前沿人才匯聚一堂,共同擘畫電動(dòng)交通和工業(yè)應(yīng)用的未來(lái)藍(lán)圖。我們將展示
2025-04-28 16:29:40518

通用變頻器中SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊改變工業(yè)能效格局

結(jié)合國(guó)家節(jié)能改造政策,SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電機(jī)通用變頻器中的應(yīng)用潛力巨大,其影響將深刻改變工業(yè)能效格局。以下從政策驅(qū)動(dòng)、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、經(jīng)濟(jì)性、行業(yè)
2025-04-27 16:18:561017

即將亮相PCIM Europe 2025

是電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源及能源管理領(lǐng)域的國(guó)際頂級(jí)盛會(huì)。將在9號(hào)館304展位展示與知名合作伙伴的參考項(xiàng)目及其封裝設(shè)計(jì)與評(píng)估板的技術(shù)演進(jìn)。
2025-04-24 10:24:28924

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡(jiǎn)稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

三菱電機(jī)開始提供SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布,將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)和混合SiC SLIMDIP
2025-04-16 14:58:371109

SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來(lái)顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC MOSFET模塊通過(guò)高效率、高頻化、高溫
2025-04-12 13:23:05799

質(zhì)量亂象:未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果

質(zhì)量亂象:未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果 國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊在APF(有源電力濾波器)和PCS(儲(chǔ)能變流器)等電力電子設(shè)備中的應(yīng)用趨勢(shì)日益顯著,主要受益于技術(shù)性
2025-04-02 18:24:49825

ROHM()傳感器_MEMS選型指南

ROHM()傳感器_MEMS選型指南
2025-04-01 15:58:373

中國(guó)電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊SiC模塊

中國(guó)電力電子客戶逐漸擺脫對(duì)國(guó)外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊SiC模塊,這一轉(zhuǎn)變是技術(shù)、市場(chǎng)、政策和信任危機(jī)等多重因素共同作用的結(jié)果
2025-03-28 09:50:49712

MOSFET系列產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心需求,憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能,為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案。
2025-03-27 14:15:261187

國(guó)產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)

進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價(jià)超過(guò)30%來(lái)絞殺國(guó)產(chǎn)功率模塊,面對(duì)外資功率模的瘋狂價(jià)格絞殺,國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊需通過(guò)技術(shù)、成本、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等多維度策略應(yīng)對(duì)
2025-03-21 07:00:50933

CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業(yè)級(jí)碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析 FP35R12N2T7_B67是集成有源PFC(維也納整流)和逆變
2025-03-16 17:19:071142

EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT被村田AI服務(wù)器電源采用

Power Solutions的AI(人工智能)服務(wù)器電源采用。的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關(guān)性能,助力Murata Power Solutions的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元實(shí)現(xiàn)小型化和高效率工作。預(yù)計(jì)該電源單元將于2025年開始量產(chǎn)
2025-02-26 15:41:25999

ROHM/ PMR25HZPFV1L00 SMD分流器芯片

特點(diǎn)1) 超低歐姆電阻范圍(1mΩ~)2) 通過(guò)微調(diào)較少的結(jié)構(gòu)提高了電流檢測(cè)精度。3) 特殊的低電阻溫度系數(shù)。4) 獨(dú)特的芯片結(jié)構(gòu)使溫度循環(huán)期間的熱應(yīng)力最小化,從而提高了可靠性。5) 電阻器已獲得ISO9001/IAFT16949認(rèn)證。6) 對(duì)應(yīng)AEC-Q200
2025-02-20 15:18:18

BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場(chǎng)景適配性等方面的綜合優(yōu)勢(shì),使其成為電力電子應(yīng)用中的首選,推動(dòng)了IGBT模塊SiC模塊的升級(jí)趨勢(shì)。國(guó)產(chǎn)SiC模塊(如BASiC
2025-02-13 19:19:52950

三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

SiC芯片可以高溫工作,與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn),本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-12 11:26:411207

高頻感應(yīng)電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-10 09:41:151007

高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-09 20:17:291126

典范轉(zhuǎn)移 EV生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.

典范轉(zhuǎn)移 EV生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
2025-01-22 17:23:47941

半導(dǎo)體宣布2025財(cái)年換帥

半導(dǎo)體表示,此次高層調(diào)整旨在加快構(gòu)建堅(jiān)實(shí)的管理基礎(chǔ),進(jìn)一步提升企業(yè)價(jià)值。東克己作為半導(dǎo)體的高級(jí)管理執(zhí)行官,目前負(fù)責(zé)質(zhì)量、生產(chǎn)、通用器件業(yè)務(wù)和模塊業(yè)務(wù),并兼任下屬公司阿波羅的負(fù)責(zé)人。 在新聞發(fā)布會(huì)上,東克己坦誠(chéng)地表
2025-01-22 14:01:481111

三菱電機(jī)工業(yè)用NX封裝SiC功率模塊解析

三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-22 10:58:423052

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

)排放量增加已成為嚴(yán)重的社會(huì)問(wèn)題。因此,為了實(shí)現(xiàn)零碳社會(huì),努力提高能源利用效率并實(shí)現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。 在這種背景下,致力于通過(guò)電子技術(shù)解決社會(huì)問(wèn)題,專注于開發(fā)在大功率應(yīng)用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導(dǎo)體,并提供相關(guān)的電源解決方
2025-01-15 17:26:42914

三菱電機(jī)超小型SiC DIPIPM解析

在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開發(fā)了超小型SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型SiC DIPIPM的優(yōu)勢(shì)。
2025-01-08 13:48:552318

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