SiC器件具有低開關損耗，可以使用更小的散熱器，同時可以在更高開關頻率下運行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業電源，可以實現高效率和高功率密度。三菱電機開發了一系列適合工業電源應用的SiC MOSFET模塊，本章節帶你詳細了解。

1 產品介紹

三菱電機于2013年開始量產第一代SiC模塊。為了進一步提高工業電源設備的效率，實現小型化和減輕重量，我們開發了第二代工業用SiC模塊并已批量生產。第二代工業用SiC模塊如下表1所示，包含額定電壓1200V和1700V，電流等級從300A到1200A。

表1：第二代SiC MOSFET模型

2產品性能

2.1 低損耗

以表1的1200V/400A SiC模塊FMF400DY-24B為例，在相同的工況下（VCC=600V. Io=200Arms, PF=0.8, Modulation=1, SPWM調制），與Si IGBT器件（1200V/450A, CM450DY-24T）相比，損耗可以降低大概70%(如圖1), 從而散熱系統的體積可以減小。如果設定在相同的運行結溫（圖1中紅點），那么SiC模塊FMF400DY-24B的開關頻率可以提升至原來的6倍，也即90kHz，這樣變流器輸出波形會變得更加平滑。

圖1：Si IGBT模塊與SiC MOSFET模塊對比

2.2 低內部雜散電感

為了降低SiC模塊的內部雜散電感，表1所示的1200V/600A SiC模塊FMF600DXE-24BN和1700V/600A SiC模塊FMF600DXE-34BN采用主端子疊層設計，使PN之間的雜散電感從傳統封裝的17nH降低為9nH（如下圖2），帶來更快的開關速度及更低的浪涌電壓。

圖2：NX封裝SiC MOSFET模塊

3產品應用

鐵路列車輔助變流器（APS，Auxiliary Power Supply）正朝著小型化、輕量化的趨勢發展，用高頻變壓器替代傳統的工頻變壓器，可以減小APS的體積、重量及THD，并提高效率。高頻APS的典型拓撲如下圖3所示。前級的三電平DC/DC變換、中間環節的隔離DC/DC變換及輸出逆變的DC/AC所使用的開關器件均可以采用SiC器件。

圖3：一種高頻APS拓撲

隨著數據中心產業規模的逐漸增長，其供電電源高能耗的問題也日益凸顯。SST（Solid-state transformers，固態變壓器）采用模塊化設計，具有控制靈活、無功補償、效率高、新能源可接入等優點，是數據中心供電系統的重要發展方向。其典型拓撲如下圖4所示。如果開關器件采用SiC器件，同樣可以提升變換效率。同時SiC器件的高頻運行特性可以減小變壓器體積，提高系統功率密度。

圖4：一種SST拓撲

正文完

<關于三菱電機>

三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業。截止2025年3月31日的財年，集團營收55217億日元（約合美元368億）。作為一家技術主導型企業，三菱電機擁有多項專利技術，并憑借強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發和生產半導體已有69年。其半導體產品更是在變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車、模擬/數字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。