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羅姆面向下一代800 VDC架構發布電源解決方案白皮書

jf_78421104 ? 來源:jf_78421104 ? 作者:jf_78421104 ? 2025-11-04 16:45 ? 次閱讀
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ROHM(羅姆半導體)宣布,作為半導體行業引領創新的主要企業,發布基于下一代800 VDC架構的AI數據中心用的先進電源解決方案白皮書。

本白皮書作為2025年6月發布的“羅姆為英偉達800V HVDC架構提供高性能電源解決方案”合作新聞中的組成部分,詳細闡述了羅姆為AI基礎設施中的800 VDC供電系統提供強力支持的理想電源解決方案。

800 VDC架構是高效且可擴展性強的供電系統,因其可助力實現千兆瓦級AI工廠而有望為未來數據中心設計帶來革命性轉變。

羅姆不僅提供硅(Si)功率元器件,還提供包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等在內的豐富的功率元器件產品群,而且是世界上少數擁有模擬IC(控制IC和電源IC,可以更大程度地激發出這些功率元器件的性能)技術開發能力的企業之一。

本白皮書不僅介紹了羅姆引以為傲的豐富的功率元器件和模擬IC技術,還介紹了熱設計等各種仿真、電路板設計以及實際應用案例等綜合電源解決方案。

<白皮書點擊這里>


<本白皮書的要點>
?在AI數據中心,每個機架的功耗激增,導致以往48V/12V的直流供電方式已接近極限。
?向800 VDC架構轉型,將會顯著提升數據中心的效率、功率密度及可持續發展能力。
?在800 VDC架構下,以往在服務器機架內進行的從交流電向直流電的轉換(PSU),將改為在獨立的電源機架內進行。
?對于800 VDC架構而言,SiC和GaN器件不可或缺。電源機架部分的AC/DC轉換單元因移至IT機架外部,使得可實現更高效率的拓撲變得尤為重要。另一方面,IT機架部分的DC/DC轉換單元,為提高其GPU集成度而采用可實現高功率密度的結構也非常重要。
?在各轉換單元(如從交流電向800V直流電的轉換,或IT機架部分從800V直流電的降壓)中,可支持800 VDC架構的拓撲通過采用羅姆推薦的SiC和GaN器件,可實現更高效率、更低噪聲及外圍元器件小型化,進而使功率密度得以大幅提升。
?羅姆的EcoSiC?系列產品以業界超低導通電阻著稱,其產品陣容中包括適用于AI服務器的頂部散熱型模塊等產品,非常有助于提升功率密度。另外,羅姆的EcoGaN?系列通過融合超高速脈沖控制技術"Nano Pulse Control?"、以及可更大程度地激發GaN性能的模擬IC技術,實現了穩定的高頻控制和柵極驅動,并已在市場上獲得高度好評。

向800V VDC架構的轉型意義重大,需要全行業的協同合作。羅姆作為實現下一代AI工廠的重要合作伙伴,不僅持續與NVIDIA等業界領導者保持緊密協作,還將與數據中心運營商及電源制造商開展深度合作。例如,羅姆于2022年就已經與臺達電子達成“電源系統用功率元器件戰略合作伙伴關系”。羅姆將通過提供自身擅長的SiC和GaN等寬禁帶半導體的先進技術,為構建可持續且高能效的數字化社會貢獻力量。


關于EcoSiC?


EcoSiC?是采用了因性能優于硅(Si)而在功率元器件領域備受關注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法,ROHM一直在自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外,ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產體系,已經確立了SiC領域先進企業的地位。
?EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。


關于EcoGaN?

EcoGaN?是通過更大程度地發揮GaN的性能,助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN器件,該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。
?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。


關于EcoMOS?


EcoMOS?是ROHM開發的Si功率MOSFET品牌,非常適用于功率元器件領域對節能要求高的應用。EcoMOS?產品陣容豐富,已被廣泛用于家用電器、工業設備和車載等領域。客戶可根據應用需求,通過噪聲性能和開關性能等各種參數從產品陣容中選擇產品。
?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

審核編輯 黃宇

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