深入解析NCx57090y, NCx57091y:高性能IGBT/MOSFET門驅動器
在電力電子領域,IGBT和MOSFET作為關鍵的功率開關器件,其驅動電路的性能對整個系統的效率和可靠性起著至關重要的作用。今天,我們就來詳細探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅動器。
文件下載:onsemi NCx57091 IGBT,MOSFET柵極驅動器.pdf
產品概述
NCx57090y, NCx57091y(x = D or V, y = A, B, C, D, E or F)具備5 kVrms內部電流隔離,專為高功率應用中的高系統效率和可靠性而設計。該系列驅動器接受互補輸入,并根據引腳配置提供多種選項,如有源米勒鉗位(版本A/D/F)、負電源(版本B)以及單獨的高低(OUTH和OUTL)驅動器輸出(版本C/E),方便系統設計。它能適應3.3 V至20 V的寬范圍輸入偏置電壓和信號電平,采用寬體SOIC - 8封裝。
框圖

產品特性亮點
強大的輸出能力
具有高峰值輸出電流(+6.5 A/ - 6.5 A),低鉗位電壓降,無需負電源即可防止寄生柵極導通(版本A/D/F),能有效應對高功率需求。
精準的信號處理
短傳播延遲且匹配精確,在短路時能對IGBT/MOSFET柵極進行有效鉗位和主動下拉,確保信號處理的準確性和穩定性。
靈活的偏置設計
緊密的欠壓鎖定(UVLO)閾值提供偏置靈活性,寬偏置電壓范圍包括負VEE2(版本B),支持3.3 V、5 V和15 V邏輯輸入。
高抗干擾能力
具備高瞬態抗擾度和高電磁抗擾度,能在復雜的電磁環境中穩定工作。
環保與可靠性
采用無鉛、無鹵素/BFR且符合RoHS標準的設計,NCV前綴適用于汽車和其他需要獨特現場和控制變更要求的應用,通過AEC - Q100認證并具備PPAP能力。
引腳連接與功能描述
引腳連接
詳細的引腳連接信息可在數據手冊第2頁查看,不同版本的引腳功能有所差異,以適應不同的應用需求。
功能描述
- 電源引腳:VDD1和VDD2分別為輸入側和輸出側電源,需要連接高質量的旁路電容到相應的地引腳,以確保最佳性能。欠壓鎖定(UVLO)電路確保在電源電壓高于特定閾值時設備正常工作。
- 輸入引腳:IN +和IN -分別為非反相和反相門驅動器輸入,內部有鉗位和等效電阻,確保在無輸入信號時輸出為低電平,且需要最小的正或負脈沖寬度才能使輸出響應。
- 輸出引腳:OUT、OUTH和OUTL為驅動器輸出,為IGBT/MOSFET柵極提供合適的驅動電壓和源/灌電流。CLAMP引腳用于在關斷期間對IGBT/MOSFET柵極進行鉗位保護。
電氣特性分析
電源相關特性
在不同的電源電壓和輸入狀態下,驅動器的靜態電流表現穩定,如IDD1 - 0 - 3.3、IDD1 - 0 - 5和IDD1 - 0 - 15在輸入為低電平時均約為2 mA。
邏輯輸入與輸出特性
輸入電壓的高低電平閾值明確,低電平輸入電壓(VIL)為0 - 0.3 × VDD1,高電平輸入電壓(VIH)為0.7 × VDD1 - VDD1,且輸入電流在不同電壓下相對穩定。
驅動器輸出特性
輸出低態和高態的電壓降在不同的灌電流和源電流條件下有明確的范圍,如VoUTL1在灌電流為200 mA時典型值為0.15 V,最大值為0.3 V。
米勒鉗位與短路鉗位特性
在NCD57090A版本中,鉗位電壓(VCLAMP)和鉗位激活閾值(VCLAMP - THR)有特定的取值范圍,能有效防止IGBT/MOSFET的誤觸發。在IGBT短路鉗位時,不同的鉗位電壓(VCLAMP - OUTH、VCLAMP - OUTL和VCLAMP - CLAMP)能在特定電流和脈沖測試條件下保持穩定。
動態特性
傳播延遲、上升時間和下降時間等動態參數在不同的輸入電壓和負載條件下有明確的指標,如傳播延遲在不同VDD1電壓下典型值為60 ns,上升時間和下降時間在負載電容為1 nF時約為13 ns。
典型應用與使用注意事項
典型應用
該系列驅動器適用于多種應用場景,如電機控制、不間斷電源(UPS)、汽車應用、工業電源和太陽能逆變器等。
使用注意事項
- 欠壓鎖定(UVLO):UVLO確保連接到驅動器輸出的IGBT/MOSFET正確開關。當電源VDD1或VDD2低于特定閾值時,IGBT/MOSFET關斷且輸出禁用。在高負載柵極電容超過10 nF時,需遵循去耦電容布線指南,電容值至少為10 μF,并使用最小阻值為2 Ω的柵極電阻,以避免高di/dt對內部電路(如UVLO2)的干擾。
- 有源米勒鉗位保護(CLAMP):NCx5709yB支持雙極電源,通過負電壓防止IGBT/MOSFET因米勒效應而意外導通。版本A/D/F支持單極電源,通過有源米勒鉗位功能防止不必要的導通,CLAMP輸出應直接連接到IGBT/MOSFET柵極。
- 電源供應:驅動器變體A/C/D/E和F支持單極電源,變體B支持雙極電源。需要合適的外部電源電容來可靠驅動IGBT/MOSFET柵極,電容應盡可能靠近驅動器的電源引腳。
總結
NCx57090y, NCx57091y系列IGBT/MOSFET門驅動器憑借其豐富的功能、卓越的性能和高可靠性,為高功率應用提供了理想的解決方案。在實際設計中,工程師應根據具體應用需求選擇合適的版本,并嚴格遵循使用注意事項,以充分發揮該系列驅動器的優勢。大家在使用過程中遇到過哪些問題或者有什么獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區分享交流。
-
MOSFET
+關注
關注
150文章
9484瀏覽量
230169 -
驅動器
+關注
關注
54文章
9031瀏覽量
153684 -
IGBT
+關注
關注
1288文章
4275瀏覽量
260855 -
高性能
+關注
關注
0文章
418瀏覽量
21307
發布評論請先 登錄
N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
如何用碳化硅(SiC)MOSFET設計一個高性能門極驅動電路
特斯拉Model Y高性能版國內正式交付
安森美NCx703x系列單向電流檢測放大器技術深度解析
onsemi NCx57080y/NCx57081y:高性能IGBT/MOSFET柵極驅動器的卓越之選
深度解析NCD5703A/B/C:高性能IGBT門極驅動器的卓越之選
安森美隔離式雙通道IGBT柵極驅動器:NCx575y0系列的深度解析
深入解析 onsemi NCx57080y/NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅動器
深入解析 onsemi NCP51561:高性能隔離式雙通道柵極驅動器

深入解析NCx57090y, NCx57091y:高性能IGBT/MOSFET門驅動器
評論