三星電子成功研發3D 晶圓封裝技術「X-Cube」，宣稱此種垂直堆疊的封裝方法，可用于7 納米制程，能提高晶圓代工能力，要借此和業界領袖臺積電一較高下。

三星官網13日新聞稿稱，三星3D IC封裝技術X-Cube，采用硅穿孔科技（through-silicon Via，TSV），能讓速度和能效大躍進，以協助解決新一代應用程式嚴苛的表現需求，如5G、人工智能（AI）、高性能運算、移動和可穿戴裝置等。

三星晶圓代工市場策略的資深副總Moonsoo Kang 說：「三星的新3D 整合技術，確保TSV 在先進的極紫外光（EUV）制程節點時，也能穩定聯通」。有了X-Cube，IC 設計師打造符合自身需求的客制化解決方案時，將有更多彈性。X-Cube 的測試芯片，以7 納米制程為基礎，使用TSV 技術在邏輯晶粒（logic die）堆疊SRAM，可釋放更多空間、塞入更多存儲器。

有了3D整合方案，晶粒間的訊號傳輸路徑將大為縮短，可加快數據傳送速度和能源效益。三星宣稱，X-Cube可用于7納米和5納米制程。

韓國時報13 日報導，封裝是晶圓生產的重要環節，過去幾年來，三星強化封裝技術，超薄封裝能縮短積體電路的訊號傳輸路徑，加快傳遞速度、提升能源效益。三星將在16~18 日的Hot Chips 峰會，公布更多X-Cube 的細節。