編者按：最新，長江存儲發布128層NAND引起業內的高度關注，作為全球存儲業的領先企業三星電子毫不示弱，4月17日，外媒消息顯示，三星即將完成業界首批160層以上的NAND閃存芯片的開發。這家韓國半導體巨頭正在利用其“超級缺口”戰略來開發該公司的第七代NAND閃存芯片，從而使其在競爭中處于優勢地位。此外，在5G毫米波的技術開發上，三星電子也首次實現了業界最快的5G速度，該演示使用載波聚合技術將毫米波頻譜的多個信道與800MHz頻譜進行了合并。

4月17日，據ET新聞最新消息，三星電子正在將其“超間隙”策略應用于其NAND閃存技術。三星即將完成業界首批160層以上的NAND閃存芯片的開發。這家韓國半導體巨頭正在利用其“超級缺口”戰略來開發該公司的第七代NAND閃存芯片，從而使其在競爭中處于優勢地位。

160層數將是業內最多的。隨著層數的增加，用于存儲數據的NAND閃存將有更多用途，從而導致更大的容量。

最近，中國半導體公司長江存儲最近宣布了其計劃在今年年底前批量生產128層NAND閃存的計劃，但三星電子已經在為下一代做準備。

據業內人士了解，三星電子正在開發具有160層或更高層的第七代V-NAND閃存。據悉，三星電子已經在加快開發過程中取得了重大進展。

三星電子正在尋求將“雙堆棧”技術應用于第七代V-NAND閃存。這項技術在兩個不同的時間產生了孔，因此電流可以流過電路。

三星電子一直在使用“單堆疊”技術，一次制造出所有孔。由于層數的增加，三星電子似乎正在考慮采用“雙堆棧”技術。

三星公司正在使用雙堆棧技術在其V-NAND（也稱為3D NAND）閃存芯片中創建160層或更高的層。可以理解，NAND閃存芯片中的層數越高，意味著存儲容量越高。此前，存儲芯片中使用的最高層數為128，而三星現在已接近生產160層或更高層的芯片。

160層或更高級別的NAND閃存將是業內首創。當前商業化的NAND閃存的最高層數為128。

尚未有公司宣布已成功開發出160層或更高級別的NAND閃存。三星電子和SK海力士去年宣布，他們開發了128層NAND閃存。長江存儲最近也成功開發了128層存儲器，并宣布了其計劃在今年年底開始批量生產該存儲器的計劃。

三星電子展示5G毫米波最快下載速度

據外媒報道，三星電子4月14日表示，該公司在實驗室演示中實現了業界最快的5G速度，該演示使用載波聚合技術將毫米波頻譜的多個信道與800MHz頻譜進行了合并。

該試驗使用了三星的5G毫米波接入單元，該接入單元包含傳統的基帶、射頻和天線。三星在2019年10月舉行的MWC洛杉磯大會上推出了其5G NR毫米波接入單元。該接入單元采用了MIMO技術，在單個單元中擁有1000多個天線組件。

圖片來自三星網站

在最近的測試中，三星使用了兩個搭載其最新5Gmodem芯片組的測試終端。這些終端將信號發送至毫米波接入單元，每個終端達到了約4.3 Gbps的傳輸速率，并且在兩款終端都達到了8.5 Gbps的業界最高速率。

今年早些時候，三星與Verizon合作進行了一項試驗，使用的是位于德克薩斯州一張商用網絡中的基站。在該試驗中，Verizon使用三星的5G NR接入單元將28GHz頻段上的800MHz帶寬頻譜進行了聚合。但是，雙方并未透露該基站處理了多大的流量。考慮到消費者使用的5G手機數量并不多，它可能并沒有處理太多的商用流量。

三星正在韓國和美國研究毫米波技術。該公司表示，它也已經開始支持5G在日本的商用部署。

本文資料來自ET News和三星網站，本文整理發布。