羅姆試制出漏電流減少95%的SiC制MOSFET

　　羅姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細(xì)井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點(diǎn)是將透過柵極絕緣膜的漏電流減小了90％，并將絕緣耐壓提高到了原來的1.5倍。

　　此次是通過采用介電常數(shù)高的鋁氧化物作為柵極絕緣膜，減小了漏電流并提高了耐壓的。原來采用的是SiO2。

　　詳細(xì)技術(shù)已在“International Electron Device Meeting（IEDM） 2012”上公開發(fā)表。

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MOSFET(230957) MOSFET(230957)
SiC(68646) SiC(68646)
羅姆(67630) 羅姆(67630)
電源公司(7625) 電源公司(7625)

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2025-09-17 15:59:47

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BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹

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派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品

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一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

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2025-08-04 16:31:12

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羅姆與獵芯網(wǎng)簽署正式代理銷售協(xié)議

~同步啟動面向中國市場的“ROHM官方技術(shù)論壇(Engineer Social Hub?)”技術(shù)支持服務(wù)~ 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，與中國電子元器件平臺型電商*獵芯網(wǎng)

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標(biāo)志著數(shù)據(jù)中心設(shè)計的關(guān)鍵轉(zhuǎn)變，使兆瓦級人工智能工廠變得更加高效、可擴(kuò)展和可持續(xù)。羅姆不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計提供更優(yōu)解決方

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Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素

Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素

2025-06-06 08:25:17

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硅基時代的黃昏：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？

革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn)，IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊

2025-05-30 16:24:03

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SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題

在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題。

2025-05-30 14:33:43

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SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項

通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項。

2025-05-23 10:52:48

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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊?被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體

2025-05-15 17:34:42

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羅姆與獵芯網(wǎng)簽訂授權(quán)分銷合同

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布已與中國的電子元器件網(wǎng)絡(luò)電商獵芯網(wǎng)（以下簡稱“ICHunt”）簽訂了授權(quán)分銷合同。

2025-05-12 09:51:02

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國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應(yīng)用

2025-05-10 13:38:19

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SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計的關(guān)鍵點(diǎn)

柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動電壓的影響以及驅(qū)動電源的要求。

2025-05-06 15:54:46

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破浪前行追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬

破浪前行追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬值此五一勞動節(jié)之際，我們向奮戰(zhàn)在國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、工程師、生產(chǎn)工人以及所有推動行業(yè)進(jìn)步的勞動者

2025-05-06 10:42:25

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基本半導(dǎo)體碳化硅（SiC）MOSFET低關(guān)斷損耗（Eoff）特性的應(yīng)用優(yōu)勢

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢：傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅

2025-05-04 09:42:31

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基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊

2025-05-03 10:45:12

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羅姆將攜電動交通與工業(yè)領(lǐng)域的最新解決方案亮相PCIM Europe 2025

頂級盛會。羅姆將在9號館304展位展示與知名合作伙伴的參考項目及其封裝設(shè)計與評估板的技術(shù)演進(jìn)。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“德國紐倫堡的PCIM 2025是電力電子領(lǐng)域創(chuàng)新與突破的盛會。在這里，業(yè)內(nèi)前沿人才匯聚一堂，共同擘畫電動交通和工業(yè)應(yīng)用的未來藍(lán)圖。我們將展示

2025-04-28 16:29:40

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SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計注意事項

柵極驅(qū)動器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計、驅(qū)動電阻選擇、死區(qū)時間等注意事項。

2025-04-24 17:00:43

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羅姆即將亮相PCIM Europe 2025

是電力電子、智能運(yùn)動、可再生能源及能源管理領(lǐng)域的國際頂級盛會。羅姆將在9號館304展位展示與知名合作伙伴的參考項目及其封裝設(shè)計與評估板的技術(shù)演進(jìn)。

2025-04-24 10:24:28

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SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快

2025-04-23 11:25:54

SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢

和高溫環(huán)境的電子器件中。SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET（絕緣柵雙極晶體管）便是其典型代表。本文將探討這兩種器件的應(yīng)用優(yōu)勢。

2025-04-17 16:20:38

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麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

的電壓信號出現(xiàn)明顯振蕩或過沖。同時，探頭的寄生電容可能引入位移電流，使被測電流信號疊加額外的寄生電流，影響測量準(zhǔn)確性。采用麥科信光隔離探頭MOIP200P的SiC MOSFET動態(tài)測試平臺測試效果

2025-04-08 16:00:57

33V單通道數(shù)字隔離柵極驅(qū)動器拉/灌6A電流驅(qū)動SIC MOSFET及IGBT

33V，適合驅(qū)動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。集成的 UVLO 保護(hù)確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側(cè)供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)

2025-04-03 14:23:02

ROHM(羅姆)傳感器_MEMS選型指南

ROHM（羅姆）傳感器_MEMS選型指南

2025-04-01 15:58:37

羅姆MOSFET系列產(chǎn)品的優(yōu)勢和特點(diǎn)

高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計的核心需求，羅姆憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能，為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案。

2025-03-27 14:15:26

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SiC MOSFET的動態(tài)特性

本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外，還應(yīng)注意測試波形的準(zhǔn)確性。

2025-03-26 16:52:16

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如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度，逐漸成為高頻、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。然而，SiC

2025-03-24 17:43:27

2362

SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。

2025-03-12 15:53:22

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SiC MOSFET的短路特性和短路保護(hù)方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 10:35:58

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SiC模塊解決儲能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)

碳化硅（SiC） MOSFET的雙極性退化（Bipolar Degradation）是其在實際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問題，尤其在儲能變流器（PCS）等高功率、高頻應(yīng)用場景中矛盾尤為突出。在儲能變

2025-03-09 06:44:31

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東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“ TLP5814H ”，具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型

2025-03-06 19:24:01

4001

國產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對超結(jié)MOSFET的替代浪潮

碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超結(jié)（SJ）MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業(yè)的影響一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性性能優(yōu)勢顯著高頻高效：SiC

2025-03-02 11:57:01

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羅姆EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT被村田AI服務(wù)器電源采用

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata

2025-02-26 15:41:25

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SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。

2025-02-26 15:07:38

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ROHM/羅姆 PMR25HZPFV1L00 SMD分流器芯片

特點(diǎn)1）超低歐姆電阻范圍（1mΩ~）2）通過微調(diào)較少的結(jié)構(gòu)提高了電流檢測精度。3）特殊的低電阻溫度系數(shù)。4）獨(dú)特的芯片結(jié)構(gòu)使溫度循環(huán)期間的熱應(yīng)力最小化，從而提高了可靠性。5）羅姆電阻器已獲得ISO9001/IAFT16949認(rèn)證。6）對應(yīng)AEC-Q200

2025-02-20 15:18:18

安森美EliteSiC MOSFET技術(shù)解析

，有助于實現(xiàn)高功率密度設(shè)計、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。

2025-02-20 10:08:05

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Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-13 17:21:18

BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件

2025-02-12 06:41:45

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碳化硅（SiC）MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯

碳化硅（SiC）MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯:低價SiC器件的“致命性”在于性價比的絕對碾壓

2025-02-05 14:43:17

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溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。

2025-02-02 13:49:00

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SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性，并通過對比硅基MOSFET和IGBT，闡述其技術(shù)優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域。

2025-02-02 13:48:00

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為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 16:27:43

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SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面

2025-01-23 15:46:58

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羅姆半導(dǎo)體宣布2025財年換帥

近日，日本羅姆半導(dǎo)體宣布了一項重要人事變動，計劃在2025財年伊始(即2025年4月1日)進(jìn)行高層調(diào)整。現(xiàn)任董事會成員東克己將接替松本功，擔(dān)任羅姆半導(dǎo)體的總裁兼CEO，而松本功則將轉(zhuǎn)任執(zhí)行顧問一職

2025-01-22 14:01:48

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SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。

2025-01-22 11:03:22

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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET

2025-01-22 10:43:28

驅(qū)動Microchip SiC MOSFET

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-01-21 13:59:12

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用

2025-01-21 11:03:57

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產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf

2025-01-20 14:19:40

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹

2025-01-16 14:32:04

羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

）排放量增加已成為嚴(yán)重的社會問題。因此，為了實現(xiàn)零碳社會，努力提高能源利用效率并實現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。在這種背景下，羅姆致力于通過電子技術(shù)解決社會問題，專注于開發(fā)在大功率應(yīng)用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導(dǎo)體，并提供相關(guān)的電源解決方

2025-01-15 17:26:42

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