來源：電子工程世界

SiC（碳化硅），已經成為車企的一大賣點。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發生激烈輿論戰。可見，SiC這一市場在汽車領域頗有潛力。

不過，近幾年國內SiC MOSFET發展飛速，誕生了眾多產品，同時陸續過車規，讓人眼花繚亂。所以我們邀請到了眾多工程師，分享自己曾經接觸過，或者從其他廠商中聽到過的SiC產品，并且分享自己對于MOSFET選型時的一些心得，看看有沒有心中的那一顆。

備受好評的汽車SiC產品

基本半導體的碳化硅MOSFET B2M系列產品備受工程師好評，它是一款可用于新能源汽車電機控制器的國產SiC產品。其具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。比如，典型型號B2M065120H，其Vds為1200V，Id（Tc=25°C）為47A，典型Rdson為65mΩ@Vgs=18V，Rth（jc）為0.6K/W，Qs（Gate to Source Charg）為18nC，Qsd（Gate to Drain Charge）為30nC，Qg（Total Gate Charge）為60nC。

據工程師評價，基本半導體的產品目前在國內滲透率非常高。其中，汽車級SiC功率模塊產線已實現全面量產，目前年產能達25萬只。

比肩國際的光伏、UPS SiC產品

泰科天潤的1200V 80mΩ SiC MOSFET也受到了EEWorld工程師的推薦，該產品具有更低的導通電阻，更低的開關損耗，更高的開關頻率，更高的工作溫度， Vth典型值超過3V。應用場景包括，光伏、OBC、UPS及電機驅動等。據工程師評論，泰科天潤的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業解決方案。目前泰科天潤的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的產品已經投入批量生產，產品質量完全可以比肩國際同行業的先進水平。產能方面，泰科天潤湖南6寸晶圓線已累計完成超３萬片流片和銷售，此外北京8寸晶圓線已開工建設，2025年可實現通線投產。

自產自用的SiC產品

比亞迪在新能源時代無疑逐漸成為王者，而在SiC方面，其表現也非常強勁，甚至有著“車圈Wolfspeed”的稱號。從產品上面來看，工程師們都非常推薦比亞迪半導體的碳化硅MOSFET BSKE040S120。據介紹，比亞迪SiC功率器件包含單管和功率模組兩種封裝形式。單管產品應用于新能源汽車DC-DC轉換模組及AC-DC雙向逆變模組；模塊產品應用于新能源汽車使電機驅動控制器體積大幅縮小，整車性能在現有基礎上大幅提升。今年，比亞迪宣稱，比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業最大的工廠，該工廠將會在今年下半年投產，產能規模全球第一，是第二名的十倍。同時，在今年5月還公布，全新一代SiC功率模塊采用了“全球首創”的疊層激光焊技術。取代了傳統的螺栓連接工藝，從而使得他們HPD模塊的雜散電感大幅降低75%，電控最高效率達99.86%，過流能力提高了10%，實現碳化硅功率模塊性能全面躍升。

我國SiC MOSFET正在極速上車

我國SiC MOSFET增速和成長非常明顯，同時在汽車領域也取得了重大的進展：

2023年7月10日，派恩杰宣布1700V/1Ω SiC MOSFET產品已成功應用于國內知名能源汽車企業的主驅逆變器輔助電源項目，并收獲該知名新能源車企訂單。

2023年7月10日，納芯微宣布了他們的SiC MOSFET產品，全系列具有1200V的耐壓能力。該系列產品包括四種規格的Rdson（Vgs=18V），分別為14/22/40/60mΩ，并計劃經過全面的車規級認證，以確保完全符合汽車級應用的需求。

2023年10月，國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了AEC-Q101車規級認證并通過高壓960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核。

2024年3月8日，瞻芯電子宣布開發的三款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證。

2024年3月，蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT近日順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB。

2024年12月，昕感科技面向新能源領域推出一款重量級SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0），實現了業界領先的超低導通電阻規格1200V/7mΩ。新品基于車規級工藝平臺，兼容18V柵壓驅動。

此外，在溝槽型SiC上，國內也有著新突破。今年9月，國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷經四年自主研發，成功突破了溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造的關鍵技術，標志著我國在這一領域實現了首次重大突破。

審核編輯 黃宇