隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經成為推動電動汽車高效能的重要技術之一。本章節主要帶你探究三菱電機的SiC MOSFET模塊在電動汽車主驅中的應用。

1綜述

從1997年開始三菱電機開始進行硅基車載功率模塊的開發和量產。最新開發的J3系列SiC模塊搭載了三菱電機最新的溝槽柵SiC MOSFET芯片，采用壓注模封裝工藝和直接端子綁定（DLB）技術，包括T-PM，HEXA-S和HEXA-L三個封裝，為電動汽車的主驅逆變器提供高效化、小型化和輕量化的解決方案，可以滿足不同客戶的需求。

2芯片

J3系列碳化硅模塊采用三菱電機最新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片，如圖1所示，該芯片采用了溝槽底部p阱結構，側壁p型柱結構和JFET摻雜技術，在確保柵極可靠性的同時實現了低通態電阻，低開關損耗和高柵極閾值電壓。與平面柵相比，通態電阻降低了50%以上。由于柵極閾值電壓高，即使有噪音，也很難發生誤導通，高溫下也可以實現安全穩定運行。

（1）溝槽底部p阱結構(BPW)；（2）側壁p型柱(SP)；（3）JFET摻雜技術；

圖1：芯片橫截面示意圖

3內部結構及封裝

J3系列SiC模塊采用壓注模封裝工藝（硬樹脂），如圖2內部結構所示，既增加了抗震性，又提高了生產效率。功率芯片和絕緣基板的連接采用了銀燒結技術，更可靠，熱阻更低。主端子采用直接端子綁定（DLB）技術，使芯片表面溫度分布更均勻，提高了功率循環壽命。

圖2：內部結構

J3 T-PM如圖3所示，支持焊接安裝在散熱器（針翅底板）上，不需要額外固定配件。

圖3：T-PM

J3 T-PM支持并聯使用，可組成多樣化產品陣容：HEXA-S和HEXA-L。圖4為HEXA-S，尺寸（包括針翅底板）為111mm×87mm。圖5為HEXA-L，尺寸（包括針翅底板）為193mm×87mm，有助于客戶縮小逆變器體積。

圖4：HEXA-S

圖5：HEXA-L

4短路保護技術

由于SiC芯片面積小，與Si芯片對比，更易發生短路破壞。在短路時，需要比Si產品更快速地切斷電流。J3系列產品配備了短路檢測管腳（SCM），通過檢測主回路的di/dt，來控制柵極電壓（圖6）。使用SCM功能可以抑制短路電流，減小短路能量，如圖7所示。該技術使得用戶能夠更容易進行短路保護。此外，J3系列T-PM內部集成了DESAT二極管，用戶不需要在驅動板上額外安裝DESAT二極管，可以幫助客戶節約布線空間，縮小驅動板尺寸。

圖6：J3 T-PM短路保護過程

圖7：SCM短路保護波形

正文完

<關于三菱電機>

三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業。截止2025年3月31日的財年，集團營收55217億日元（約合美元368億）。作為一家技術主導型企業，三菱電機擁有多項專利技術，并憑借強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發和生產半導體已有69年。其半導體產品更是在變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車、模擬/數字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。