力旺電子宣布，其一次性可編程內(nèi)存（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse已于臺積電N3P制程完成可靠度驗證。N3P制程為臺積電3奈米技術(shù)平臺中，針對功耗、效能與密度進行優(yōu)化的先進制程，適用于高效能運算（HPC）、人工智能（AI）、行動裝置及數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域。NeoFuse OTP作為力旺首個在N3P制程完成驗證的OTP，再次彰顯力旺在先進制程內(nèi)存解決方案的領(lǐng)先地位，為先進AI與HPC芯片提供安全內(nèi)存支持。

本次于臺積電N3P先進制程完成可靠度驗證的NeoFuse OTP解決方案展現(xiàn)卓越效能，提供高達4K40的OTP密度，以及0.55V至0.96V的寬廣操作電壓范圍，這不僅支持高容量數(shù)據(jù)儲存，也提供充足空間來實現(xiàn)可靠性機制。這對于需要高密度SRAM的AI SoC、HPC或汽車應(yīng)用至關(guān)重要，亦能靈活適應(yīng)多元應(yīng)用場景。

在此基礎(chǔ)上，力旺亦提供整合NeoPUF技術(shù)的NeoFuse OTP安全強化版本，不僅顯著提升產(chǎn)品的安全性與應(yīng)用彈性，同時協(xié)助客戶節(jié)省開發(fā)資源、快速導(dǎo)入量產(chǎn)。此版本以一站式系統(tǒng)級設(shè)計為核心，具備高度整合性，可無縫對接經(jīng)過設(shè)計驗證的全功能控制器，支持錯誤校正碼（ECC）與投票機制（Voting Mechanism）的雙重可靠性設(shè)計，有效增強內(nèi)存系統(tǒng)可靠性與數(shù)據(jù)完整性。搭配通過驗證的系統(tǒng)級接口整合模塊（Wrapper），并結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)APB接口與SRAM修復(fù)專用的MBIST工具接口等相關(guān)API，此版本不僅可進一步實現(xiàn)真隨機數(shù)產(chǎn)生器（TRNG）的生成，提供硬件級的安全防護，更能強化系統(tǒng)整合、內(nèi)存自我測試與快速修復(fù)數(shù)據(jù)能力，對應(yīng)安全啟動、硬件信任根、裝置認(rèn)證與密鑰管理等關(guān)鍵功能，大幅提升芯片抗攻擊能力、提高良率并加速產(chǎn)品上市。

無論是NeoFuse OTP，或具備進階安全功能的強化版本，均符合TSMC9000的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，并憑借高度整合與可擴展架構(gòu)，廣泛應(yīng)用于微控制器（MCU）、網(wǎng)絡(luò)通訊芯片、現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）、固態(tài)硬盤控制器（SSD）、AI及HPC等各類裝置，涵蓋從終端應(yīng)用到高階運算平臺。目前，力旺NeoFuse OTP已獲多家客戶采用，并完成在N3P制程的設(shè)計導(dǎo)入，預(yù)計于近期進入芯片試產(chǎn)階段。

「NeoFuse OTP于臺積電N3P制程順利完成可靠度驗證，不僅展現(xiàn)其成熟穩(wěn)定的制程兼容性，也體現(xiàn)力旺與臺積攜手支持共同客戶的成果，進一步反映雙方對高效能與高安全性應(yīng)用市場的長期投入與承諾?！沽ν娮訄?zhí)行副總經(jīng)理暨營運長盧俊宏表示?！肝覀儗⒊掷m(xù)深化與臺積電的合作關(guān)系，推動先進制程內(nèi)存技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。」

「面對AI與高效能運算（HPC）等市場的快速發(fā)展，我們與力旺電子等臺積電開放創(chuàng)新平臺（OIP）伙伴的合作，充分展現(xiàn)了臺積公司賦能客戶的堅定承諾?！古_積公司北美生態(tài)系暨聯(lián)盟管理處資深處長Lluis Paris表示。「透過結(jié)合我們業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)以及來自O(shè)IP伙伴經(jīng)過驗證的設(shè)計解決方案，我們協(xié)助客戶克服日益復(fù)雜的設(shè)計挑戰(zhàn)，并共同推動這些關(guān)鍵領(lǐng)域的下一波創(chuàng)新。」