7月3日，氮化鎵（GaN）制造商納微半導體（Navitas）宣布，其650V元件產品將在未來1到2年內，從當前供應商臺積電（TSMC）逐步過渡至力積電半導體（PSMC）。臺積電回應稱，經全面評估，考慮到市場條件和長期業務戰略，決定在未來2年內逐步退出GaN業務。臺積電強調，這一決定不會影響先前公布的財務目標。

據供應鏈消息，臺積電決定退出第三類半導體之一的氮化鎵市場，其位于竹科的晶圓廠相關產線已停止生產。臺積電已向DIGITIMES證實這一消息，并表示正與客戶緊密合作，確保過渡期間的順利銜接，致力于滿足客戶需求。

事實上，納微半導體已與力積電擴大合作，將生產100V至650V的GaN產品組合。其中，650V相關產品將在未來12至24個月內，從臺積電逐步轉由力積電代工，這也間接證實了臺積電退場的消息。

臺積電投入矽基氮化鎵（GaN-on-Si）研發多年，并提供6寸晶圓代工服務。除與意法半導體（STM）合作加速GaN制程技術的開發，還將分離式與整合式GaN元件導入市場。Navitas及GaN Systems等公司也在臺積電投片生產高壓功率元件，而臺積電旗下的世界先進則專注于8寸矽基氮化鎵相關研發。

面對產業市況的劇烈變動，臺積電自2025年初以來持續調整晶圓廠和先進封裝廠的藍圖。在各廠區，迅速進行各產線所投入的制程技術、產能規模與人力的重新規劃。供應鏈業者解讀，臺積電退出GaN市場，凸顯了中國低價戰對第三類半導體發展造成的巨大競爭壓力。臺積電不愿降價接單，且投片、出貨規模不大，因此決定逐步淡出這一競爭格局。

對于退出GaN業務，臺積電提出了相關影響與解決方案。在生產方面，將提供「最后下單」（Last Time Buy；LTB）選項，客戶須于2025年第3季前，確認LTB的數量與時程。若有試產（New Tape-Out；NTO）需要，臺積電會恢復6寸產線的新產品導入服務。

Navitas表示，力積電具備0.18微米制程的CMOS制程能力，在0.18微米制程節點上進行8寸矽基氮化鎵的生產，將能實現更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時提升成本控制、規模化能力和制造良率。

臺積電逐步退出GaN晶圓代工業務，不僅反映了其自身業務戰略的調整，也將對整個氮化鎵產業鏈產生深遠影響。未來，隨著力積電等廠商承接相關業務，氮化鎵市場的格局可能會發生新的變化。

來源：半導體芯科技

審核編輯 黃宇