電子發燒友網綜合報道據多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于2027年量產的1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在“SamsungFoundryForum2022”上首次公開了SF1.4（1.4nm級別）工藝，原預計2027年實現量產。按照三星當時的說法，SF1.4將納米片的數量從3個增加到4個，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現。?

三星在先進制程領域目前面臨重重困難。三星3nm（SF3）GAA工藝自2023年量產以來，由于良率未達預期，至今尚未獲得大客戶訂單。這一情況導致原計劃搭載第二代3nm的Exynos2500芯片推遲推出，GalaxyS25系列也全線改用高通驍龍8至尊版芯片?。此番情況讓三星前期巨額投入近乎打水漂，根據推算，三星在整個3nm項目中，投資高達共投資了1160億美元(約合人民幣8420億)。

同樣，2nm（SF2）工藝的良率表現也不理想，早期量產良率僅為30%，遠低于臺積電同期60%的水平。此外，英特爾18A制程在良率方面表現更優，進一步加劇了三星在尖端工藝上的競爭劣勢。?

目前，2nm工藝依然是三星重點攻克的方向。三星的2nm技術采用全環繞柵極（GAA）晶體管技術，旨在優化電力傳輸效率，減少信號干擾，從而提升芯片性能與能效。其量產計劃如下：?

·2025年：啟動2nm工藝量產，初期重點面向移動終端（如用于GalaxyS26系列的Exynos2600芯片）。?

·2026年：將應用領域擴展至高性能計算（HPC）領域，爭取AI芯片訂單。?

·2027年：進軍汽車芯片市場，推出專用工藝SF2Z。?

GAA技術曾被三星視為超越臺積電的關鍵技術。其溝道形態從FinFET的垂直“鰭片”轉變為水平堆疊的納米片（Nanosheet）或納米線（Nanowire），柵極材料（如高介電常數金屬柵）從四周完全包裹溝道，顯著增強了對電流的控制能力。同時，漏電極與源電極之間的溝道被柵極完全“鎖住”，大幅降低了漏電流（較FinFET減少50%以上）。?

三星是首個將GAA技術商用的廠商，其MBCFET技術最初應用于3nm工藝，通過調整納米片寬度（15-50nm）來滿足不同性能需求。然而，遺憾的是，三星3nm工藝的良率實在太低。?

因此，三星的2nm工藝不僅要與臺積電爭奪客戶，還需消除3nm工藝帶來的負面影響。據悉，三星2nm工藝已獲得日本AI公司PreferredNetworks（PFN）的訂單，首次從臺積電手中“奪食”，并計劃為高通、蘋果等客戶提供試產服務。2025年3月，三星斥資5000億韓元（約3.8億美元）在華城半導體園區部署了ASML的High-NAEUV光刻機（型號EXE:5000），這是全球首臺量產的高數值孔徑極紫外光刻機，將顯著提升2nm及以下制程的精度。?

三星的2nm戰略以GAA技術為核心，通過激進的量產時間表和價格策略來爭奪市場，但提升良率和獲取客戶信任仍是關鍵所在。如果三星能夠在2025年量產2nm之前將工藝良率提升至50%以上，那么在亞2nm制程領域或許仍有三星的一席之地。否則，繼續投入巨額資金研發1.4nm工藝的意義已不大。