珠海創飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術領域再獲突破——基于40nm標準工藝平臺開發的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證！這一成果進一步展現了創飛芯科技有限公司在先進工藝節點上的技術實力與工程化能力。

技術領先，滿足多樣化市場需求

本次發布的40nm eNT嵌入式eFlash IP采用創新的存儲架構設計，具備高性能、高可靠性和低功耗等核心優勢，可廣泛應用于MCU（微控制器）、物聯網芯片、智能傳感器等領域。尤其在MCU應用中，該IP能夠為客戶提供靈活的存儲解決方案，支持代碼存儲、數據保存及固件升級等關鍵功能，滿足工業控制、消費電子對高可靠性和長壽命的嚴苛需求。

核心優勢

高可靠性:擦寫次數可達十萬次以上，85°情況下，數據保持時間超過十年，符合消費級和工業級標準。

低功耗設計：優化的電路架構顯著降低讀寫功耗，特別適合電池供電的物聯網設備及便攜式電子產品。

面積高效:通過創新的單元布局與工藝集成技術，在40nm節點實現更小的硅片面積，助力客戶降低芯片成本，提升集成度。

成本低：基于成熟的40nm eNT技術開發，mask少，為客戶提供長期穩定的技術支持。

關于MCU應用的突出價值

在MCU領域，嵌入式eFlash是不可或缺的核心模塊，直接影響芯片的性能與功能擴展能力。創飛芯的40nm eNT eFlash IP可為MCU廠商提供以下支持：

靈活的容量配置：支持從16KB至數MB的存儲容量，滿足不同應用場景需求。

快速啟動與高效運行：低延遲讀寫特性顯著提升MCU的啟動速度和實時響應能力。

高安全性：可集成硬件加密與寫保護功能，保障固件與數據安全，適用于金融支付、智能家居等高安全要求的場景。

關于珠海創飛芯科技有限公司

珠海創飛芯科技有限公司，國內領先的一站式存儲NVM IP 供應商，作為國內自主知識產權的非易失存儲IP 龍頭企業，產品涵蓋OTP/MTP、eFlash、Nor/Nand IP、EEPROM IP與SOC 設計服務等。總部位于珠海市清華科技園，在北京、成都、沈陽設有研發機構。公司在電路設計、器件優化、工藝集成等方面擁有雄厚的技術研發實力，持有多項國內外發明專利。創始團隊均來自Micron、Spansion、AMD、Intel 等全球一流半導體公司，擁有成功的創業經驗。