概述
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被禁止以實現(xiàn)寫保護，并且電池會開啟以向SRAM提供不間斷電源。特殊電路采用低泄漏CMOS工藝，能夠以超低的電池消耗提供高精度的電壓檢測。一個DS1321可支持多達四個以三種存儲器配置中的任意一種排列的SRAM。

除了備用電池支持之外，DS1321執(zhí)行的重要功能還包括監(jiān)控鋰電池剩余電量并在電池電量耗盡之前發(fā)出警告。由于鋰備用電池的開路電壓在其使用壽命的大部分時間內(nèi)保持相對恒定，因此準確的電池監(jiān)控需要測量裝載電池電壓。為了執(zhí)行此類測量，DS1321會定期將電池電壓與精心選擇的基準電壓進行比較，因為它支持內(nèi)部阻性負載。如果在這種情況下電池電壓降至基準電壓以下，電池電量很快就會耗盡。因此，電池警告引腳會被激活，以發(fā)出需要更換電池的信號。
數(shù)據(jù)表：*附件：DS1321靈活的非易失控制器，帶有鋰電池技術(shù)手冊.pdf
特性

• 將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器
• 當VCC超出容差時，對SRAM實施無條件寫保護
• 發(fā)生VCC電源故障時自動切換至電池備用電源
• 靈活的存儲器結(jié)構(gòu)
  • 模式0：4組，每組1個SRAM
  • 模式1：2組，每組2個SRAM
  • 模式2：1組，每組4個SRAM
• 監(jiān)控鋰電池的電壓并在即將發(fā)生電池故障時發(fā)出預(yù)警
• 低電平有效時發(fā)出低電池電量狀態(tài)信號電池警告輸出信號
• 發(fā)生電源故障時復(fù)位處理器，并在系統(tǒng)上電期間使處理器保持復(fù)位狀態(tài)
• 可選5%或10%電源故障檢測
• 16引腳PDIP、16引腳SO和20引腳TSSOP封裝
• 工業(yè)溫度范圍：?40°C至+85°C
  引腳配置
  
  DS1321可以通過MODE引腳配置四個附加程序的三種不同排列。上電時，MODE引腳的狀態(tài)鎖存為Vcci = VccTP。詳情見圖1。
  
  DS1321執(zhí)行為多達四個ram提供備用電池所需的所有電路功能。首先，該設(shè)備提供了一個開關(guān)來直接從電池或系統(tǒng)電源(Vcc)供電。每當Vcci小于Vccrp跳變點且Vcci小于電池電壓VBAr時，電池就會切換到為SRAM提供備用電源。該開關(guān)的電壓降小于0.2伏。
  其次，DS1321處理電源故障檢測和SRAM寫保護。Vcci受到持續(xù)監(jiān)控，當電源超出容差范圍時，精密比較器會檢測到電源故障，并禁止四個芯片使能輸出，以便對SRAMs進行寫保護。當Vcci超出容差時，通過將CEO1至CEO4保持在Vcco的0.2范圍內(nèi)來實現(xiàn)這一點。如果在檢測到電源故障時，任何CEI有效(低電平),則相應(yīng)的CEO信號保持低電平，直到CEI信號再次變?yōu)楦唠娖健Ｒ坏〤EI信號被拉高，CEO信號就被拉高并保持高電平，直到Vcci回到其標稱電壓電平。如果在檢測到電源故障后1.5 us內(nèi)CEI信號未被拉高，則相應(yīng)的CEO此時會被強制拉高。這種用于將寫保護延遲長達1.5 us的特定方案保證了當電源故障發(fā)生時，任何正在進行的存儲器訪問都將正確完成。當TOL引腳連接到GND時，電源故障檢測發(fā)生在4.75至4.5伏范圍內(nèi)(5%容差)，當TOL連接到Vcco時，電源故障檢測發(fā)生在4.5至4.25伏范圍內(nèi)(10%容差)。