電子發燒友網綜合報道，近日Quinas Technology 和 IQE plc 宣布，新型存儲器ULTRARAM 已突破重大制造障礙，即將進入試生產階段。

ULTRARAM結合了DRAM的高速度、NAND的非易失性以及低能耗特性。IQE公司成功將Quinas創始人在蘭卡斯特大學首次開發的化合物半導體層技術擴展到工業化工藝。這個為期一年的項目開發了先進的銻化鎵和銻化鋁外延技術，被譽為可擴展存儲設備領域的世界首創。該項目獲得了英國創新署的資助。

在技術層面，ULTRARAM 依賴于銻化鎵和銻化鋁層內的共振隧穿效應。新的外延通道為工程師提供了原子層控制，允許使用標準光刻和蝕刻技術來形成可靠的存儲單元。在實驗室測試中，該設計表現出極快的開關速度、極低的開關功耗以及以年而非小時為單位的數據保存時間。如果這些特性能夠大規模復制，系統就可以消除服務器中的DRAM刷新功耗，縮短客戶端設備的啟動和恢復時間，并實現始終在線的功能。當時測試的原型機可提供1000年的數據保留時間和超過1000萬次的編程/擦除周期，比閃存高出100倍。

當然，從量產角度，從可擴展的外延方法轉向盈利的高良率制造，需要強大的供應鏈合作伙伴關系、細致的良率優化以及系統級集成，所有這些都將在試運行中進行驗證。目前正在與代工廠和其他合作伙伴就試點晶圓和封裝芯片進行洽談。

如果ULTRARAM取代需要持續刷新的DRAM，這部分電力消耗將被完全消除。Quinas表示，其最小設備能夠在100納秒內以低于1飛焦耳的能量進行切換，這比任何已知的存儲設備都要低。作為通用內存的候選技術，ULTRARAM有潛力從根本上改變整個數字技術格局，從小型自主物聯網設備到智能手機、筆記本電腦和數據中心。

ULTRARAM面臨的商業化挑戰主要是需要進入現有的DRAM和NAND供應鏈，這要求終端設備制造商在硬件、操作系統和系統級軟件方面做出改變。關鍵是要證明工業規模制造的可行性和可用產量，并展示出規模化盈利制造的可行路徑。

IQE首席執行官Jutta Meier表示："我們成功實現了為ULTRARAM開發可擴展外延工藝的目標，這是朝著封裝芯片工業化生產邁出的重要里程碑。這個項目為在英國將下一代化合物半導體材料產業化提供了獨特機會。"

Quinas首席執行官兼聯合創始人James Ashforth-Pook認為，"這個項目標志著從大學研究到商業內存產品轉化過程中的轉折點。借助IQE的工業化能力和英國創新署的支持，我們在構建內存主權能力方面邁出了關鍵一步——內存是英國半導體技術棧中最具戰略重要性但代表性不足的細分領域。ULTRARAM在人工智能、移動設備和數據中心應用中顯著提升能效的潛力，將使英國在下一代內存創新領域處于領先地位。"