特點
4Gb雙數據速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。
它內部配置為八進制存儲體DRAM。
4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體和32Mbit x16 I/O x 8個存儲體組成。這些同步
器件實現了高達2133Mb/sec/pin的高速雙倍數據速率傳輸速率，適用于一般應用。
該芯片的設計符合DDR3（L）DRAM的所有關鍵特性以及所有控制和地址
輸入與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入在十字處鎖定
差分時鐘點（CK上升和??下降）。所有I/O都與單端DQS同步，或
差分DQS以源同步方式配對。
這些設備使用單個1.5V±0.075V或1.35V-0.067V/+0.1V電源運行
BGA封裝。
