電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）高帶寬存儲(chǔ)HBM因數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練而大熱，HBM三強(qiáng)不同程度地受益于這一存儲(chǔ)產(chǎn)品的營(yíng)收增長(zhǎng)，甚至就此改變了DRAM市場(chǎng)的格局。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)的分析數(shù)據(jù)，2025年一季度，SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，終結(jié)三星長(zhǎng)達(dá)四十多年的市場(chǎng)統(tǒng)治地位，以36.7%的市場(chǎng)份額首度登頂全球DRAM市場(chǎng)第一。

當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)大廠轉(zhuǎn)向更多投資HBM、并逐步放棄部分DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，疊加關(guān)稅出口等這些因素對(duì)存儲(chǔ)的后續(xù)市場(chǎng)產(chǎn)生影響。

HBM重構(gòu)DRAM市場(chǎng)格局，HBM仍是投入重點(diǎn)

CFM閃存市場(chǎng)指出，從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經(jīng)開(kāi)始減小，在4Q23和1Q24他們還保持有11%的份額差距，而到4Q24已經(jīng)減小到1%；與之相對(duì)應(yīng)的是，在HBM市場(chǎng)份額上，SK海力士與三星從最初的幾乎五五分，到2025年一季度已經(jīng)擴(kuò)大到兩倍以上的差距。

另一方面，HBM市場(chǎng)滲透率已經(jīng)從2023年的9%翻倍躍升至2024年的18%。經(jīng)歷數(shù)代的HBM產(chǎn)品演進(jìn)，當(dāng)前SK海力士、美光、三星主要聚焦于HBM3E的競(jìng)爭(zhēng)，預(yù)計(jì)到2025年隨著這三家存儲(chǔ)廠商HBM4量產(chǎn)落地，HBM產(chǎn)品在全部DRAM產(chǎn)業(yè)中的占比將接近30%，市場(chǎng)將達(dá)到2880億Gb當(dāng)量，并且在服務(wù)器內(nèi)存消耗方面，其應(yīng)用還在持續(xù)增長(zhǎng)。

SK海力士2025財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)顯示，公司2025財(cái)年第一季度結(jié)合并收入為17.6391萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為7.4405萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)為8.1082萬(wàn)億韓元。2025財(cái)年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為42%，凈利潤(rùn)率為46%。公司本季度的收入和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)是在繼前一季度創(chuàng)下歷史最高業(yè)績(jī)后，達(dá)到了第二高的業(yè)績(jī)水平。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率環(huán)比改善了1個(gè)百分點(diǎn)，增至42%，并以連續(xù)八個(gè)季度呈現(xiàn)出穩(wěn)健上升趨勢(shì)。

SK海力士表示：“第一季度，受人工智能開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)加劇和庫(kù)存補(bǔ)充需求等影響，存儲(chǔ)器市場(chǎng)情況改善速度顯著快于預(yù)期。順應(yīng)這一趨勢(shì)，公司擴(kuò)大了12層HBM3E、DDR5等高附加值產(chǎn)品的銷(xiāo)售。”

SK海力士認(rèn)為，全球不確定性加劇，導(dǎo)致需求前景的多變性增加。為滿足客戶要求，公司決定加強(qiáng)與供應(yīng)鏈的協(xié)作。

公司針對(duì)HBM需求，因其產(chǎn)品特性，通常需要提前一年與客戶進(jìn)行供應(yīng)量協(xié)商。預(yù)計(jì)今年該產(chǎn)品將持續(xù)保持同比增長(zhǎng)約一倍。因此，12層HBM3E的銷(xiāo)售將穩(wěn)步增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)在第二季度其銷(xiāo)售將占整個(gè)HBM3E比重的一半以上。

財(cái)報(bào)顯示，2024年三星電子公司實(shí)現(xiàn)收入300.9萬(wàn)億韓元 （約1.52萬(wàn)億元人民幣），同比增長(zhǎng)16%；而歸母凈利潤(rùn)則飆升至33.6萬(wàn)億韓元 （約1692.43億元人民幣），同比增長(zhǎng)131%。其中，三星內(nèi)存業(yè)務(wù)成為主要增長(zhǎng)引擎，銷(xiāo)售額達(dá)84.5萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)91%，HBM及DDR5產(chǎn)品貢獻(xiàn)顯著。

三星電子Q1存儲(chǔ)營(yíng)收為19.1萬(wàn)億韓元(約合133.8億美元)，環(huán)比減少17%，同比增長(zhǎng)9%；存儲(chǔ)業(yè)務(wù)所在的DS部門(mén)Q1經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)為1.1萬(wàn)億韓元(約合7.7億美元)，環(huán)比減少62%，同比減少42%。

對(duì)于存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，三星表示，營(yíng)收同比實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)主要得益于服務(wù)器 DRAM 銷(xiāo)售的擴(kuò)大以及市場(chǎng)價(jià)格觸底反彈下滿足了額外的NAND需求。然而，由于平均售價(jià)（ASP）下降、AI 芯片出口管制和對(duì)即將推出的增強(qiáng)型 HBM3E 產(chǎn)品需求延遲導(dǎo)致HBM 銷(xiāo)售下降，從而影響了整體盈利。

第二季度預(yù)期與新產(chǎn)品規(guī)劃

SK海力士表示，從今年第一季度開(kāi)始，公司向部分PC領(lǐng)域客戶供應(yīng)面向人工智能PC的高性能存儲(chǔ)器模塊LPCAMM2。LPCAMM2（Low-Power Compression Attached Memory Module 2）是基于LPDDR5X的模組解決方案產(chǎn)品，其性能表現(xiàn)相當(dāng)于兩個(gè)現(xiàn)有DDR5 SODIMM的性能水平，同時(shí)能夠有效節(jié)省空間，且具備低功耗、高性能特性。

同時(shí)，公司也計(jì)劃與客戶緊密合作，在需求正式啟動(dòng)時(shí)，及時(shí)供應(yīng)面向人工智能服務(wù)器的低功耗DRAM模塊SOCAMM。SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）是一種基于低功耗DRAM的內(nèi)存模組，特別適用于AI服務(wù)器。

就NAND閃存業(yè)務(wù)領(lǐng)域，公司將積極響應(yīng)高容量企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（eSSD）的市場(chǎng)需求，同時(shí)秉持謹(jǐn)慎的投資基調(diào)，持續(xù)實(shí)施以盈利為導(dǎo)向的運(yùn)營(yíng)策略。

展望二季度，三星電子預(yù)計(jì)AI服務(wù)器需求將強(qiáng)勁，將通過(guò)以服務(wù)器為中心的產(chǎn)品組合，加強(qiáng)在高附加值市場(chǎng)的地位，并加大增強(qiáng)型12層堆疊HBM3E的產(chǎn)能以滿足初期需求。在NAND方面，致力于加速所有應(yīng)用向第八代V-NAND的過(guò)渡，以增強(qiáng)成本競(jìng)爭(zhēng)力。

另外，據(jù)公開(kāi)報(bào)道，2025年，三星將HBM3E產(chǎn)能提升三倍，并將QLC SSD的市場(chǎng)占比目標(biāo)設(shè)定為30%，相比2024年的15%大幅提高。

對(duì)于下半年，三星電子表示，隨著新款GPU的上市，預(yù)計(jì)AI相關(guān)需求將持續(xù)保持高位；將擴(kuò)大高附加值產(chǎn)品的銷(xiāo)售，包括增強(qiáng)型12層堆疊HBM3E產(chǎn)品和128GB及以上的高密度DDR5模塊。

在Mobile和PC市場(chǎng)，預(yù)計(jì)終端設(shè)備AI將得到普及，三星電子計(jì)劃通過(guò)其業(yè)界領(lǐng)先的10.7Gbps LPDDR5x產(chǎn)品積極響應(yīng)市場(chǎng)環(huán)境的轉(zhuǎn)變。

部分存儲(chǔ)產(chǎn)品停產(chǎn)

此前，市場(chǎng)傳三星電子通知客戶于2025年4月終止1z制程8Gb LPDDR4存儲(chǔ)器生產(chǎn)（End of Life），并要求客戶在6月前完成最后買(mǎi)進(jìn)訂單，預(yù)計(jì)最遲于10月前出貨，主要原因是國(guó)內(nèi)手機(jī)LPDDR4存儲(chǔ)芯片訂單轉(zhuǎn)到本土工廠制造，三星將聚焦LPDDR5以上的高端產(chǎn)品。對(duì)此傳聞，三星半導(dǎo)體回應(yīng)稱(chēng)，不評(píng)論業(yè)界傳言，生產(chǎn)在按序進(jìn)行。另外，消息稱(chēng)，公司計(jì)劃減少超過(guò)20%的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向生產(chǎn)LPDDR5x及HBM等高端產(chǎn)品。
近期，國(guó)際存儲(chǔ)大廠紛紛停產(chǎn)DDR3、DDR4，退出的市場(chǎng)無(wú)疑將為中小容量的存儲(chǔ)廠商帶來(lái)機(jī)會(huì)。

而另一方面，從數(shù)據(jù)來(lái)看，韓國(guó)銷(xiāo)往中國(guó)的半導(dǎo)體占比持續(xù)下降。韓國(guó)貿(mào)易協(xié)會(huì)（KITA）數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)大陸和中國(guó)香港2024年占韓國(guó)半導(dǎo)體出口的比率為51.7%，低于2020年的61.6%。其中，出口到中國(guó)內(nèi)地的份額從2020年的40.2%降至33.3%，出口到中國(guó)香港的份額從20.9%降至18.4%。

韓國(guó)貿(mào)易部發(fā)布的報(bào)告顯示，2月韓國(guó)芯片對(duì)中國(guó)大陸（包括中國(guó)香港）的出口額同比下降31.8%，這一降幅大于1月份報(bào)告的22.5%的降幅。同時(shí)，韓國(guó)對(duì)越南、美國(guó)的出口有所增加。也有韓國(guó)產(chǎn)業(yè)相關(guān)人士認(rèn)為，由于中國(guó)企業(yè)半導(dǎo)體技術(shù)和生產(chǎn)能力的提高，韓國(guó)以DRAM為主的出口大幅減少。

可以看到，當(dāng)前SK海力士、美光、三星主要投入到HBM的競(jìng)爭(zhēng)，此前HBM需求旺、價(jià)格上漲等讓廠商們收益頗豐，未來(lái)HBM也將是它們的重點(diǎn)。隨之而來(lái)的是對(duì)DRAM產(chǎn)能的重新分配、停產(chǎn)部分DDR產(chǎn)品等舉措。同時(shí)，從進(jìn)出口數(shù)據(jù)以及關(guān)稅對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)造成的不確定性來(lái)看，存儲(chǔ)大廠留下的市場(chǎng)空間給了其他存儲(chǔ)廠商更多的發(fā)展機(jī)會(huì)。