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兆易創新Flash存儲技術賦能AI IPC產業升級

兆易創新GigaDevice ? 來源:兆易創新GigaDevice ? 2025-07-14 09:40 ? 次閱讀
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AIoT技術快速演進的時代背景下,AI IPC行業正在經歷前所未有的技術變革。作為中國存儲芯片行業的領軍者,兆易創新憑借其在NOR/NAND Flash領域二十年的技術沉淀和持續創新,正為AI IPC產業的技術升級注入強大動能。

7月4日,在第九屆集微半導體大會“端側AI技術與應用創新論壇”上,兆易創新存儲事業部資深市場經理丁沖發表了題為《兆易創新Flash在AI IPC行業的應用及創新》的主題演講,系統介紹了公司Flash產品在AI IPC領域的創新應用。他從技術積累、產品矩陣和場景方案三個維度,展示了兆易創新在工藝制程、產品性能和可靠性方面的最新突破。

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▲兆易創新存儲事業部資深市場經理丁沖

十年復合增長率超20%

穩居全球SPI NOR Flash第一陣營

半導體行業快速發展的背景下,兆易創新作為中國存儲芯片領域的領軍企業,展現了強勁的發展勢頭和創新能力。2024年,兆易創新實現營收73.56億元,十年復合增長率達到20%以上。公司2024年研發投入12.56億元人民幣,目前已服務超過2萬家客戶。

在核心產品線SPI NOR Flash領域,兆易創新展現出強勁的市場競爭力,已穩居全球第二的市場份額,累計出貨量超過270億顆,年出貨量突破40億顆,這相當于每天向市場供應超1000萬顆芯片。依托持續的技術積累與產品布局,兆易創新已構建了完整的存儲解決方案矩陣,其產品容量覆蓋從512Kb到2Gb的全范圍,可充分滿足不同應用的存儲需求。

兆易創新以技術創新為核心驅動力,在存儲芯片性能指標上實現多項突破。其SPI NOR Flash產品最高主頻已支持200MHz;可靠性方面,產品擦寫壽命達10萬次,64Mb及以上容量產品中具備ECC糾錯功能,可全面滿足工業級和車載應用的嚴苛需求。

針對不同應用場景,公司推出一系列創新解決方案:GD25LE系列憑借其低功耗特性可顯著延長設備待機時間;1.2V超低電壓產品和1.8V VCC 1.2V VIO雙電壓設計產品可充分滿足1.2V SoC對電壓和性能的多重需求;1.2x1.2mm USON6等創新性封裝技術,能夠為小型化設備提供支持。

在質量管理方面,據丁沖介紹,兆易創新建立了完善的產品認證體系,獲得包括ISO 26262、IEC 61508等多項國際認證。在合肥投資建設的3000+平方米國家級實驗室,具備包括可靠性、失效分析、晶圓測試及成品測試等在內的27項主要測試能力。

前瞻布局AI IPC場景

創新方案解決行業痛點

隨著AI技術的快速迭代和智能安防應用的持續滲透,中國AI IPC產業正迎來持續增長。目前中國企業在全球安防市場占據主導地位,行業整體保持5%-8%的穩定增長。值得注意的是,消費級安防市場增速顯著高于行業級市場,達到15%-20%,帶動NAND Flash存儲需求快速增長。

面對安防行業的發展趨勢,兆易創新深入分析市場需求,積極推動技術升級。在消費類安防領域,公司的SPI NOR Flash加速從55nm向45nm工藝切換,推出GD25Q64H/GD25Q128H等系列產品,以更低功耗、更小的尺寸和更優的成本優勢滿足市場需求,目前已在行業頭部廠商實現批量應用。

針對AI技術推廣帶來的NVR需求的快速增長,兆易創新推出具有革命性的GD5F1GM9系列QSPI NAND產品,通過集成低功耗運行、快速讀取、壞塊管理等核心功能,精準解決存儲產品在智能安防場景中的性能瓶頸。該系列產品支持SDR(速率最高達166MHz)和DTR(速率達104 MHz)模式,并通過引入二級緩存架構,極大提高數據傳輸的吞吐速率,有效支撐需要在100~200毫秒內啟動的快啟應用。此外,產品還具備靈活的壞塊管理功能,出廠時保證前256個塊為完好狀態,并且生命周期內允許用戶替換最多20個壞塊,極大提升了系統穩定性和用戶操作便捷性。憑借以上出色的產品特性,GD5F1GM9系列在智能門鎖、智能安防等應用場景中獲得廣泛認可。

“我們始終以解決行業痛點為出發點,”丁沖表示,“從工藝升級到產品創新,都在為客戶創造更大價值。”隨著AI技術的普及,兆易創新將持續加大研發投入,推動存儲芯片技術的創新發展,為中國半導體產業核心競爭力的提升注入持續動能。

*文章來源:集微網

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:兆易創新Flash存儲技術賦能AI IPC產業升級

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