電子發燒友網報道（文/黃晶晶）受益于AI浪潮帶動存儲行業的需求激增，疊加大廠轉產HBM縮減DRAM產能引發的供應短缺等狀況，近日，無論是HBM大廠還是利基存儲、存儲模組等廠商陸續又開始漲價或是暫停報價。SK海力士、三星電子等諸多廠商的業績也是屢創新高。多家機構預測存儲漲價形勢將延續到第四季度甚至明年。

漲價形勢

據韓媒報道，三星電子近日通知主要客戶，將在第四季度上調產品合約交易（大宗）價格，其中DRAM上漲15%-30%，NAND上漲5%-10%。據央視財經報道，同樣有觀測認為，SK海力士近期也將加入漲價行列。

9月初，SanDisk已宣布將NAND Flash報價上調10%。美光也通知客戶，對包括DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等內存產品全部停止報價，且相關產品價格可能調漲20%-30%

近日，威剛、十銓暫停報價，這是存儲器模組業2017年以來首次出現廠商暫停報價，意味市場嚴重供不應求，業界認為暫停報價或進一步推高價格。

威剛董事長陳立白證實，公司這波暫停報價措施將延續至10月中旬，主要考量DRAM貨源嚴重不足，因此要管控庫存和調整配售方式。陳立白表示，第四季度是存儲器大多頭的起點，也是嚴重缺貨的開始，2026年產業榮景可期。

針對漲價，多家國內存儲廠商也給出了判斷。北京君正認為，按照市場一些觀點，漲價周期可能會持續到明年。目前消費市場更加明顯，行業市場情況稍微復雜一些，很多是長期合作的客戶，對于長期合作的大客戶，要綜合考慮很多因素。總體上我們會參考市場情況進行一些價格策略的調整。目前DRAM產能能夠滿足需求，之前也有一些備貨，包括新制程的產品也提前下了一部分生產采購訂單。目前滿足供應需求是可控的。

普冉股份表示，晶圓廠產能目前處于持續緊張的狀態，但目前公司與其雙方協商的價格依然處于比較穩定的水平。未來是否影響成本價格要根據市場具體的供需關系去判斷和談判博弈。公司和各晶圓廠保持緊密合作，以保障公司相應產能，同時公司目前有充足庫存保障，對應具備一定性價比的wafer、半成品及成品等，可以確保公司后續規模的持續增長。

CFM閃存市場近日發布2025年Q4存儲市場展望報告。報告指出，預計四季度，服務器eSSD漲幅將達到10%以上，DDR5 RDIMM價格漲幅約10%~15%；Mobile嵌入式NAND漲幅約5%~10%，LPDDR4X/5X漲幅約10%~15%；PC端LPDDR5X/D5價格漲幅預計將落在10%~15%，cSSD價格漲幅達5%~10%。

AI基建將存儲帶入超級周期

分析認為，隨著人工智能投資大幅增加，AI服務器帶動存儲用半導體需求爆發式增長，預計未來2-3年內存儲半導體將進入價格穩步上漲的“超級周期”。

AI服務器對存儲芯片的需求呈現數量級增長。 單臺AI服務器的DRAM用量是傳統服務器的8倍，NAND用量則是傳統服務器的3倍。這種需求暴漲直接導致了市場供需失衡。

特別是HBM產品需求出現指數級增長。摩根士丹利預計，全球HBM市場規模將從2023年的30億美元增至2027年的530億美元。

花旗分析指出，HBM的毛利率約在50%到60%，而傳統的DRAM僅為30%左右。據央視財經報道，HBM的訂貨模式也發生根本性變化?，F在每一塊HBM芯片都需針對特定的AI GPU定制，客戶需要提前一年下單，合同通常為一年期。 這與傳統DRAM芯片形成鮮明對比，后者可以隨時采購，甚至當天交付，并且容易更換供應商。

生成式AI熱潮導致高容量、高速芯片的需求激增，存儲芯片的兩大龍頭企業三星電子和SK海力士正接獲大量訂單。

日前，三星電子和SK海力士分別與OpenAI簽署協議，宣布作為核心合作伙伴，參與全球人工智能基礎設施項目Stargate。該項目旨在到 2029 年在全球構建超大規模人工智能數據中心網絡。根據協議，三星和SK海力士為OpenAI提供人工智能加速器中使用的大部分HBM，其需求量相當于每月90萬片晶圓。這一需求預測是目前全球HBM產能的兩倍多。分析稱，這筆訂單將在未來四年為韓國芯片制造商帶來超過100萬億韓元（約合705億美元）的增量需求。

目前，SK海力士已建成HBM4量產體系，三星電子也在為HBM4量產做準備。

漲價預期之下，國內存儲廠商動態

江波龍

江波龍在自有核心知識產權、技術能力的基礎上，企業級存儲產品已獲得多個不同行業頭部客戶的廣泛認可。根據 IDC 數據，2024 年中國企業級 SATA SSD 總容量排名中，公司位列第三，在國產品牌中位列第一，同時，公司企業級PCIe SSD 與 RDIMM 產品已開始批量導入國內頭部企業。江波龍積極布局數據中心應用領域的高性能存儲產品，拓展 CXL2.0、MRDIMM 等多種新型內存，并正式發布SOCAMM2。SOCAMM2 是專為 AI 數據中心設計的內存產品，在帶寬、功耗上具有突破性的能效表現，能夠全面突破傳統RDIMM 的性能瓶頸及高溫痛點。

全球目前僅少數企業具備在芯片層面開發UFS4.1產品的能力，江波龍憑借自研主控芯片成功實現UFS4.1 產品的突破。經原廠及第三方測試驗證，搭載公司自研主控的UFS4.1 產品在制程、讀寫速度以及穩定性上優于市場可比產品，在獲得以閃迪代表的存儲原廠認可的基礎上，還獲得多家 Tier1 大客戶的認可，相關導入工作正加速進行。UFS4.1 作為當前嵌入式存儲領域的高端產品，是Tier1 大客戶旗艦機型的主流存儲配置，伴隨嵌入式存儲市場由eMMC向 UFS 加速演進，整體市場高度集中且具備廣闊空間。

目前江波龍各系列主控芯片采用領先于主流主控芯片的頭部 Foundry 工藝，采用自研核心IP，搭配公司自研固件算法，使得公司各類存儲產品具有明顯的性能和功耗優勢。

截止至 7 月底，江波龍主控芯片全系列產品累計實現超過8000 萬顆的批量部署，并且部署規模仍在保持快速增長。搭載自研主控的 UFS4.1 產品正處于多家Tier1 廠商的導入驗證階段，全年來看，自研主控芯片部署規模將實現放量增長。

北京君正

今年上半年北京君正計算芯片增長15.59%，存儲芯片增長5.20%，模擬與互聯增長 5.02%。下半年從市場發展趨勢上，預計汽車工業仍然保持緩慢復蘇的態勢，消費電子市場需求影響因素較多，比如由于國補方面的變化。

北京君正的計算業務有兩塊業務，一塊是智能安防，包括網絡攝像頭、門鈴等產品，在智能穿戴等泛視頻領域也有一些應用；另一塊是嵌入式 MPU 芯片所面向的智能 IOT 領域，包括二維碼設備、打印機、掃地機等。目前發展趨勢良好，比如在打印機領域，可以應用在多類打印機產品中，如激光、噴墨、3D等，不斷有更多客戶拓展進來。

目前北京君正已有的NPU是一個多 T，預計明年中會投帶有4T算力的 IPC 產品，更大算力的NPU模塊也將繼續研發。AI MCU今年中已經投了一版MPW。

北京君正的LPDDR4于幾年前量產銷售，有不少客戶采用，但由于之前產品是25nm，成本較高，影響了產品的性價比競爭力，從去年到今年，公司20nm、18nm、16nm 的產品陸續送樣，更具性價比優勢的產品開始陸續向客戶推廣，同時產品容量也在提升，4G、8G、16G、32G 的 LPDDR4 產品將逐漸到位，預計明年開始LPDDR4 產品的銷售占比會逐漸增加。

汽車市場方面，NOR FLASH大容量的產品增速優于DRAM。LPDDR5目前在規劃中。3D DRAM 尚在研發中，對標市場和友商類似，不會只是面向汽車市場。

普冉股份

普冉股份表示，公司存儲類車載產品完成 AEC-Q100 Grade1 標準的全面考核，在車身攝像頭、車載中控、娛樂系統等應用上實現了海內外客戶的批量交付，汽車電子產品營收占比持續提升；同時公司持續推進 EEPROM 產品全系列的車規認證。

普冉中小容量 SONOS NOR Flash 車載產品已陸續完成 AECQ100 認證，主要應用于部分品牌車型的前裝車載導航、中控娛樂等。同時，公司全容量 ETOX NOR Flash 系列產品通過 AEC-Q100車規認證，為公司在汽車電子領域的進一步發展奠定了堅實的基礎，打開了更加廣闊的市場空間。

普冉股份籌劃收購珠海諾亞長天存儲控股權，對于本次收購，普冉表示，主要是為了增強公司在存儲器芯片領域的核心競爭力，進一步豐富產品線。珠海諾亞長天存儲技術有限公司持有SkyHigh Memory Limited（SHM）100%的股權。SHM 專注于提供中高端應用的高性能 2D NAND 及衍生存儲器（SLC NAND，eMMC，MCP）產品及方案，其產品與普冉股份現有的 NOR Flash、EEPROM、MCU等產品形成互補，可完善公司非易失性存儲產品布局。同時，SHM在全球建立了較為成熟的銷售網絡，與公司主要來源于中國市場的銷售渠道形成互補，有助于公司拓展全球市場。此外，雙方在設計及產品工程能力方面也能相互補充，產生良好的業務協同效應。

普冉堅持存儲和“存儲+”并行戰略，一方面鞏固 NOR Flash和 EEPROM 在現有市場的優勢，拓展工業、車規等增量市場；另一方面大力發展 MCU 和模擬產品。此次收購與發展戰略高度契合，收購完成后，納入新的 2D NAND 及衍生存儲器產品，進一步豐富“存儲+” 戰略下的產品矩陣，完善非易失性存儲產品布局，增強在存儲器芯片領域的核心競爭力，助力公司在全球存儲市場取得更有利的競爭地位。

小結：

摩根士丹利預測，到2026年NAND閃存將出現高達8%的供應缺口。該機構還預計，今年第四季度DRAM的價格將環比上漲約9%。

另外據SEMI最新報告稱，存儲領域未來3年設備支出總額將達1360 億美元，標志著該細分領域開啟新一輪增長周期。預計2026 -2028 年，DRAM 相關設備投資將超過 790 億美元，3D NAND 投資將達到 560 億美元。

2025年4月以來，隨著三星、SK海力士、美光等頭部廠商相繼將產能轉向高加值存儲，存儲產品的供應已經發生結構性變化。一方面是AI基建大量需要高端存儲如HBM，另一方面端側AI的爆發也在刺激各類規格存儲的需求（相關內容可閱覽筆者多篇端側AI存儲的報道以及報告等）。這無疑在造就存儲行業如今的高景氣度行情。