關(guān)鍵要點(diǎn)
OTP非易失性存儲(chǔ)器在安全存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、加密密鑰和程序代碼方面至關(guān)重要。
先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)由于氧化層更薄、器件漏電流更高,對(duì)OTP的可靠性構(gòu)成挑戰(zhàn)。
新思科技提供經(jīng)過(guò)優(yōu)化的OTP NVM IP,包含穩(wěn)健的位單元設(shè)計(jì)與必要的模擬組件,可保障運(yùn)行的可靠性。
一次性可編程(OTP)非易失性存儲(chǔ)器問(wèn)世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比,OTP的占用面積更小,且無(wú)需額外的制造工序,因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽(tīng)起來(lái)簡(jiǎn)單,但隨著人工智能(AI)的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長(zhǎng),平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
這類器件在安全存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、敏感程序代碼、產(chǎn)品信息和身份驗(yàn)證加密密鑰方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,必須可靠運(yùn)行才能保證芯片的成功量產(chǎn),尤其是考慮到新技術(shù)成本的飆升,器件的可靠運(yùn)行至關(guān)重要。然而,先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)對(duì)于OTP存儲(chǔ)器的可靠運(yùn)行帶來(lái)了諸多挑戰(zhàn)。為此,需要在多方面進(jìn)行精細(xì)的平衡。值得慶幸的是,借助新思科技IP,我們能夠找到在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)中平衡OTP需求的解決方案。
有何風(fēng)險(xiǎn)?
在先進(jìn)的FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù)節(jié)點(diǎn)中,設(shè)計(jì)、掩模和晶圓成本急劇攀升,使得一次性流片成功變得空前重要。而IP的可靠運(yùn)行,尤其是OTP IP所支持的關(guān)鍵功能,正是通往成功的直接保障。下圖展示了先進(jìn)技術(shù)的成本增長(zhǎng)速度。

▲設(shè)計(jì)成本不斷攀升
OTP IP傳輸?shù)臄?shù)據(jù)很關(guān)鍵,能夠激活先進(jìn)AI設(shè)計(jì)的各項(xiàng)功能。由于這類數(shù)據(jù)高度敏感,因此必須確保信息的準(zhǔn)確傳輸,且絕不容許加密密鑰等信息出現(xiàn)泄露。在這些嚴(yán)苛要求之下,有諸多因素需要考量。我們來(lái)看看其中的一些因素。
成功路上的障礙
就從最基礎(chǔ)的知識(shí)說(shuō)起。對(duì)于典型的反熔絲型OTP存儲(chǔ)器而言,未編程的單元代表邏輯值0,已編程的單元代表邏輯值1。這類器件在剛制造出來(lái)時(shí),所有單元均處于未編程狀態(tài),因此都為邏輯0。對(duì)單元進(jìn)行編程時(shí),需要向其施加高壓,高壓會(huì)導(dǎo)致氧化層擊穿,形成導(dǎo)電溝道或細(xì)絲,從而產(chǎn)生可測(cè)量的電流通路。
因此,讀取OTP需要測(cè)量柵極漏電流,以判斷存儲(chǔ)單元是已編程(邏輯1)還是未編程(邏輯0)。該過(guò)程需要使用高于核心供電電壓的穩(wěn)定電壓,以便在位線上獲得足夠的電流,從而可靠地讀取數(shù)據(jù)。
到目前為止,這聽(tīng)起來(lái)頗為簡(jiǎn)單。但技術(shù)的進(jìn)步使這一過(guò)程變得極具挑戰(zhàn)性。
先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的氧化層更薄,因此在高于核心供電電壓的穩(wěn)壓下進(jìn)行讀取時(shí),OTP更容易出現(xiàn)位泄漏問(wèn)題,甚至?xí)⑽淳幊痰奈徽`讀為邏輯1。同時(shí),氧化層變薄還會(huì)給正在讀取的字線中未編程的單元帶來(lái)更大的器件應(yīng)力。
此外,先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的器件漏電流更高。這意味著需要使用更高的電壓才能驅(qū)動(dòng)足夠的電流對(duì)OTP進(jìn)行編程。而這些高電壓可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞,進(jìn)而造成編程失敗。并且,由于氧化層較薄,先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的OTP更易受高電壓影響,可能出現(xiàn)過(guò)度編程。OTP過(guò)度編程會(huì)導(dǎo)致編程質(zhì)量不佳,還會(huì)使存儲(chǔ)單元不必要地過(guò)度暴露于高電壓。更糟糕的是,高電壓可能會(huì)引發(fā)編程干擾,即相鄰的非目標(biāo)單元可能被意外編程,從而導(dǎo)致其他錯(cuò)誤。
此外,還有一系列功耗、性能和面積(PPA)方面的挑戰(zhàn)需要應(yīng)對(duì)。更高的漏電流會(huì)使OTP的面積競(jìng)爭(zhēng)力難以維持,還可能限制可靠運(yùn)行時(shí)的最大位容量。同時(shí),編程時(shí)間也會(huì)影響整體制造成本。對(duì)OTP編程需要大幅提升電壓,而先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的供電電壓更低,因此可能需要更長(zhǎng)時(shí)間才能將電壓提升至足以驅(qū)動(dòng)編程電流的水平,以實(shí)現(xiàn)OTP的成功編程,這會(huì)導(dǎo)致時(shí)間和成本的增加。
平衡需求以實(shí)現(xiàn)成功的技巧
以下列出了一部分要求。
可靠的解決方案始于位單元的設(shè)計(jì)。編程時(shí)形成的細(xì)絲質(zhì)量取決于氧化層的擊穿程度,而這又與位單元面積相關(guān)。如果面積過(guò)小,擊穿氧化層、形成細(xì)絲就會(huì)變得困難,進(jìn)而導(dǎo)致編程失敗。如果面積過(guò)大,編程時(shí)氧化層可能會(huì)出現(xiàn)多處斷裂。
所有這些都可能導(dǎo)致關(guān)鍵數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤。因此,必須謹(jǐn)慎選擇位單元面積,以便優(yōu)化編程時(shí)細(xì)絲的形成,避免錯(cuò)誤發(fā)生,確保編程的可靠性。
OTP的讀取和編程均依賴高壓,這些電壓由模擬集成電源(IPS)產(chǎn)生和調(diào)節(jié)。IPS的設(shè)計(jì)對(duì)OTP的正常工作至關(guān)重要,電壓的波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)保持問(wèn)題或錯(cuò)誤。
此外,在讀取時(shí),OTP輸出的數(shù)據(jù)必須始終可靠,確保所讀取的數(shù)據(jù)的完整性至關(guān)重要。用于標(biāo)識(shí)OTP輸出“可用”的信號(hào)必不可少,這類信號(hào)能排除讀取過(guò)程中因電壓不穩(wěn)定導(dǎo)致的非預(yù)期數(shù)據(jù)損壞。
再者,先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的器件漏電流較高,需要采取干預(yù)措施,不僅要保證OTP的可靠性,還要確保性能和功耗達(dá)到目標(biāo)。需要精心設(shè)計(jì)位線長(zhǎng)度和存儲(chǔ)陣列寬度,避免存儲(chǔ)器工作時(shí)出現(xiàn)過(guò)大的IR壓降。
最后,模擬設(shè)計(jì)的優(yōu)化是關(guān)鍵。例如,感測(cè)放大器必須對(duì)先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)特有的低電壓具有極高敏感性,以保證編程速度,編程速度會(huì)影響制造成本,需要通過(guò)高壓電路的專業(yè)設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化。但由于要同時(shí)滿足以下兩個(gè)相互沖突的要求,實(shí)現(xiàn)起來(lái)頗具挑戰(zhàn)性:既要盡量減小OTP的整體面積,又要確保IPS中的電荷泵能提供足夠電流以成功完成存儲(chǔ)器編程。
新思科技提供解決方案
為滿足先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的需求,新思科技OTP NVM IP基于一個(gè)穩(wěn)健且經(jīng)過(guò)優(yōu)化的反熔絲位單元。它已通過(guò)高溫工作壽命(HTOL)測(cè)試驗(yàn)證,能夠平衡前文所述的各項(xiàng)需求。
此解決方案包含由平鋪位單元組成的存儲(chǔ)陣列、解碼器、模擬元件(如感測(cè)放大器),以及生成讀取和編程所需電壓的IPS。其選定的讀取電壓既能確保位單元讀取可靠,又能保證數(shù)據(jù)至少保存10年。
該IP通過(guò)增加額外的位來(lái)增強(qiáng)性能,以應(yīng)對(duì)隨機(jī)制造缺陷和現(xiàn)場(chǎng)故障。在初始測(cè)試期間,每個(gè)字都能糾正漏電位和/或編程失敗錯(cuò)誤。如果一個(gè)字內(nèi)出現(xiàn)多個(gè)故障,可使用額外的修復(fù)資源,必要時(shí)可替換整個(gè)字。此外,OTP存儲(chǔ)陣列還包含用于存儲(chǔ)糾錯(cuò)碼(ECC)的額外位。
該IP提供多種配置選項(xiàng),可針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適方案。整體解決方案還包含一個(gè)控制器,負(fù)責(zé)管理讀寫操作、測(cè)試與修復(fù)功能以及ECC編碼和解碼過(guò)程。該控制器以RTL形式作為軟IP交付,OTP存儲(chǔ)陣列和IPS集成在單個(gè)硬宏中。
此外,該方案還具備強(qiáng)大的安全功能。
了解更多
關(guān)于新思科技在OTP存儲(chǔ)器優(yōu)化實(shí)現(xiàn)方面的能力,剛才所說(shuō)的不過(guò)是冰山一角。如今,幾乎所有設(shè)計(jì)都需要某種形式的OTP來(lái)確保正常運(yùn)行。抽些時(shí)間了解新思科技如何助力開發(fā)者應(yīng)對(duì)這種平衡挑戰(zhàn),從而在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行,無(wú)疑是極具價(jià)值的。
有一篇內(nèi)容詳實(shí)的文章《利用先進(jìn)OTP IP打造安全可靠的SoC設(shè)計(jì)》可供參考。這些資料將提供所需信息,助力開發(fā)者理解如何借助新思科技的IP,在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)中平衡OTP的各項(xiàng)需求。
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54007瀏覽量
465952 -
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
7738瀏覽量
171653 -
新思科技
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
956瀏覽量
52893
原文標(biāo)題:芯片安全的核心:OTP在AI時(shí)代的關(guān)鍵作用
文章出處:【微信號(hào):Synopsys_CN,微信公眾號(hào):新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)
打通“神經(jīng)”與“肌肉”:疆鴻智能EtherCAT轉(zhuǎn)DeviceNet在精密制造中的關(guān)鍵作用
ReRAM:AI時(shí)代的潛力存儲(chǔ)技術(shù)
VTI低功耗SRAM存儲(chǔ)器VTI508HB08
解析液晶模塊的技術(shù)架構(gòu)和關(guān)鍵作用
請(qǐng)問(wèn)CW32的22 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器一般都怎么使用?
晶體晶振在機(jī)器人五大核心模塊的關(guān)鍵作用
信號(hào)發(fā)生器在5G通信測(cè)試中的關(guān)鍵作用與應(yīng)用案例
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器
辰達(dá)MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用與優(yōu)化策略
工業(yè)相機(jī)在焊縫跟蹤中的關(guān)鍵作用有哪些
OTP存儲(chǔ)器在AI時(shí)代的關(guān)鍵作用
評(píng)論