華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項參數均達到設計要求，并順利通過可靠性考核。加上去年成功量產的1200V Planar 和Trench NPT工藝平臺，華潤上華已成為國內首家具備包含前道和背面工藝的全套600V/1200V/1700V NPT IGBT加工能力的代工廠。

　　華潤上華已具備60μm以上的IGBT薄片加工能力。此次開發量產的600V Planar NPT IGBT工藝產品，其背面減薄后圓片厚度僅100μm。該工藝產品主要應用于UPS系統（不間斷電源）、太陽能逆變器、變頻家電、工業變頻驅動和電焊機等市場。華潤上華的1700V Planar NPT IGBT工藝平臺更解決了高壓IGBT存在的高溫漏電問題，產品主要應用于變頻器、風力變流器和智能電網等市場。

　　華潤上華IGBT工藝平臺的布局立足于滿足節能減排的需求，支持中國在十二五期間新能源政策如太陽能發電和風能發電以及智能電網的發展，同時切合國內電焊機、變頻器、UPS等巨大的市場需求。華潤上華近兩年在IGBT工藝平臺的布局已經取得不少豐碩成果。1200V Planar 和Trench NPT IGBT已于2011年初量產；600V Trench PT 以及600V 和1700V Planar NPT IGBT平臺已于近期開發完成；2500V Planar NPT IGBT的靜態參數和動態參數已經達到設計目標，并通過預考核。同時，600V 和 1700V Trench NPT IGBT、3300V/4500V Planar FS IGBT靜態參數DC如V（BR）CES 和VCE（on） 也已經達到預期結果。

　　華潤上華作為國內首家以晶圓代工模式立足中國半導體市場的產業先鋒，自2005年DMOS工藝量產以來，成功開發了量產6英寸高壓平面柵400-700V MOSFET、6英寸中壓平面柵50-200V MOSFET、8英寸低壓溝槽柵20-40V MOSFET、8英寸中壓溝槽柵50-80V MOSFET等豐富的功率器件工藝平臺。近兩年在IGBT各類工藝平臺的開發成果，使得華潤上華在功率器件代工的工藝平臺更為全面，將進一步促進國內功率器件產業的發展，提高節能減排關鍵部件的國產化水平和比重。