美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴展其RF功率產品線，推出了DRF1400功率MOSFET。
2012-06-05 15:02:24
1616 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業應用，包括電
2012-12-04 22:17:341675 東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451596 聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于東芝（TOSHIBA）的車載以太網橋接解決方案。
2019-04-17 11:18:092260 器件可在+125 °C高溫下工作，經過500小時85 °C/相對濕度85 %條件下溫濕度偏壓測試。
2021-11-15 11:12:251431 
東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。
2021-11-30 15:24:191919 
東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271633 
中國上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471486 
中國上海， 2023 年 2 月 28 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機柵極驅動IC[1]---“TB9083FTG”，該IC適用于電動轉向助力
2023-02-28 14:17:30918 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品
2023-06-13 16:38:501327 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:141126 
電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為
2024-03-14 11:07:581205 
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
支持以相當于240fps錄制高速高清視頻東京—東芝公司（TOKYO：6502）推出一款800萬像素的BSI [1] CMOS圖像傳感器“T4KA3”,該傳感器使智能手機和平板電腦能夠以業界最高的[2]幀率，即相當于240幀/秒（fps），錄制高清（HD）視頻。樣品出貨即日啟動。
2020-04-27 06:44:29
東芝推出了TZ1041MBG，希望滿足市場對能夠支持多個外部傳感器的物聯網設備日益增長的需求，其提供一個利用藍牙的擴展集線器功能的多功能通信環境。
2020-05-18 06:20:47
的情況下，功率因數值大于0.8-0.9,LED輸出電流精度為+/-5%. LED照明設備具有功耗低、壽命長等特點，正在取代白熾燈。東芝正在開發可控制大功率LED,支持調光和高PF,并且輸出電流精度
2018-09-26 16:05:07
東芝推出的三相無刷電機控制預驅IC“TC78B027FTG”的特性是什么
2021-07-09 08:00:42
之前拍攝的照片就要作廢。不過等到東芝研發的全新相機模塊推出之后，我們就能在拍照完畢后，直接在照片上調整焦點了。http://www.hds668.com東芝研發全新相機模塊可在拍攝后直接調整照片焦點
2012-12-31 09:17:23
日本電子產品制造企業東芝(Toshiba Corp.)周五公布，將在年底前推出使用谷歌(Google Inc.)Android操作系統的平板電腦，因東芝希望在蘋果(Apple Inc.)iPad引領
2011-03-03 16:36:39
中國上海，2023年2月28日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機柵極驅動IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，該IC適用于電動轉向助力系統（EPS
2023-02-28 14:11:51
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
），那么，對于耐壓100V功率MOSFET管，工作在105V是否安全，110V是否安全？如果加上110V電壓不會損壞，那么，安全原則是什么呢？
從設計角度，要求在最極端條件下，設計參數有一定余量，保持系
2025-11-19 06:35:56
`功率Mosfet參數介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
半導體相比，損耗更低，高溫環境條件下工作特性優異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導體已經開始實際應用，并且還應用在對品質可靠性要求很嚴苛的車載設備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標準和最終系統要求的推動，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應用電源的外形尺寸且有效解決方案是當下電源設計人
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現改變了這一
2019-07-08 08:28:02
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
` 本帖最后由 CHIPSPOWER-Anne 于 2016-10-25 10:26 編輯
東芝新推出了一款步進電機驅動芯片，TB67S109AFNAG。各位做機器人的朋友可以考慮測試下試試
2016-10-25 10:13:51
MOSFET不能完全開通，系統不能正常工作。另一方面，溫度越高，VTH的電壓就會越低，功率MOSFET在高負載或高溫環境下VTH的電壓就會降低，在感應VGS尖峰電壓的作用下，就增加了柵極誤觸發的可能性，導致
2019-08-08 21:40:31
某一個30A單相的設計實例，進一步闡明這些概念。 計算MOSFET的耗散功率 為了確定一個MOSFET是否適合于某特定應用，你必須計算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關損耗兩部分
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
導讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產品
2018-11-29 17:13:53
最大的連續漏極電流ID的計算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結溫TJ下，功率MOSFET的導通電阻；通常，硅片允許的最大工作結溫為150℃。熱阻RqJC的測量可以參見文章：功率
2016-08-15 14:31:59
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET并聯均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:074092 
Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準
2010-01-14 09:01:43942 德州儀器推出面向高電流DC/DC應用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標準封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:051039 TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監控特性的數字雙路同步降壓功率驅動器，
2010-02-23 09:26:571007 CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
CISSOID，在高溫半導體解決方案的領導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操
2010-02-23 10:42:591969 英飛凌推出可擴展的全套高溫8位MCU系列
在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術展會上，英飛凌科技股份公司宣布推出可擴展的全套高溫8位微控制器(MCU)系列。該系列可在高
2010-03-10 10:56:54866 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391734 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 車載功放的額定功率 額定功率是車載功放在不產生失真的情況下，能夠持續穩定工作的功率。只有這
2010-01-04 11:03:552044 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011353 
東芝光耦 MOSFET Output，Photorelays (MOSFET Output)
2012-03-16 13:44:59769 
新近，東芝公司（Toshiba Corporation）推出新款單通道單刀雙擲（SPDT）總線開關IC，支持PCI Express Gen3 （8Gbps），可在-3dB時實現11.5GHz的寬廣帶寬。
2013-04-01 11:11:341221 東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅動光電耦合器，用于直接驅動中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061788 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導體&存儲產品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）柵極驅動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362105 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出車載直流無刷電機（BLDC電機）無傳感器預驅動器IC“TB9062FNG”，該IC適用于車載電動泵等汽車應用。樣品現已上市，批量生產定于今年12月開始。
2019-03-30 11:08:202301 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出車載直流無刷電機（BLDC電機）無傳感器預驅動器IC“TB9062FNG”，該IC適用于車載電動泵等汽車應用。樣品現已上市，批量生產定于今年12月開始。
2019-05-16 16:00:492902 新產品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463654 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車和工業市場的挑戰，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。
2020-03-07 09:31:301412 中國上海，2020年5月14日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出柵驅動器開關IPD“TPD7107F”。該產品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。
2020-05-14 17:12:572994 %的情況下飽和電流高達420 A。Vishay Dale IHXL-1500VZ-51適用于再生能源、工業和通信應用，DCR典型值非常低，僅為0.12 mW，可在+155 ℃ 高溫下連續工作。
2021-01-15 17:23:572386 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
的能力主要通過實踐培養起來的。 近日，東芝針對汽車應用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產品，進一步擴充了產品線。這些產品符合AEC-Q101標準，應用于汽車設計中，有助于縮小汽車設備體積，滿足當前市
2021-10-25 14:16:292312 
的能力主要通過實踐培養起來的。 新品 近日，東芝針對汽車應用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產品，進一步擴充了產品線。這些產品符合AEC-Q101標準，應用于汽車設計中，有助于縮小汽車設備體積，滿足當
2021-11-26 15:22:502814 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已經推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅動集成電路(IC)的首款產品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。
2022-02-12 09:18:512151 東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3612278 如今，市場對于高效率電源的需求日益增漲，在此背景下，東芝拓展了新一代650V超結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:292040 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅動器IC 的產品陣容增加面向可穿戴設備等移動設備的五款新品。該系列的新產品配備了過壓鎖定功能，并根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:302567 
隨著科技的不斷革新發展，MOSFET產品也經過技術的迭代升級有了更加優越的表現。但如何提升器件性能的同時進一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導體拓展了MOSFET產品線，推出
2022-08-26 11:01:071847 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴大其智能柵極驅動光耦產品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅動IC，內置保護操作自動恢復的功能。該產品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:552258 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:453724 線性模式下的功率 MOSFET-AN50006
2023-02-09 21:42:07
12 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30802 
摘要：碳化硅（SiC）由于其優異的電學及熱學特性而成為一種很有發展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:343040 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:211439 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:322086 
MOSFET也已經發展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:021787 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:541530 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:101320 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:412195 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源，展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:361310 東芝近日發布了兩款專為車載環境設計的N溝道功率MOSFET產品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導通電阻達到極低水平，極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新推出一款輸出耐壓為900 V（最小值）的車載光繼電器[1]——TLX9150M，采用小型SO12L-T封裝，非常適合400 V車載電池應用。現已開始批量供貨。
2024-11-12 11:52:231087 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。
2024-11-21 18:10:251354 
近年來，隨著汽車電子化的快速發展和電動汽車銷量的持續攀升，車載MOSFET市場增長迅速。在功率半導體技術不斷進步的推動下，車載MOSFET性能持續提升，器件的功率密度和可靠性越來越高，功耗也越來越低，為電動汽車的發展提供了強大動力。
2024-12-02 09:57:141396 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出東芝首批面向車載應用的4通道高速標準數字隔離器產品線——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件，具有100 kV/μs（典型值）[1
2025-02-27 17:38:151051 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導體工廠的車載功率半導體后道生產新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產能將比2022財年的水平增加一倍以上，并將于2025財年上半年開始全面生產。
2025-03-13 18:08:161279 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
隨著汽車電子化、智能化進程不斷加速，車載系統對元器件的可靠性、小型化及熱管理能力提出了前所未有的嚴苛要求。在此背景下，東芝推出DFN2020B（WF）封裝，在2.0mm×2.0mm的小型體積下，實現了1.84W的高耗散功率，為車載功率器件提供了高密度集成與熱性能優化的雙重解決方案。
2025-06-16 17:50:31901 
。同時，東芝還研發了半超結[4]肖特基勢壘二極管(SJ-SBD)，有效解決了高溫下導通電阻增大的問題。這兩項技術突破有望顯著提升功率轉換器件的可靠性與效率，尤其在電動汽車和可再生能源系統等領域。
2025-06-20 14:18:50957 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出一款車載光繼電器[1]“TLX9165T”，其采用10引腳SO16L-T封裝，支持輸出耐壓1800V（最小值）的高壓車載電池。該產品于今日開始支持批量出貨。
2025-07-18 14:14:231039 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出一款采用小型SO12L-T封裝的車載光繼電器[1]“TLX9161T”，該產品輸出耐壓可達1500V（最小值），可滿足高壓車載電池應用所需。新產品于今日開始支持批量出貨。
2025-08-29 18:08:331236 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082 
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