通訊應用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓撲的電源模塊。這些拓撲使用高性能半橋驅動器實現高頻操作和高效率。半橋柵極驅動器采用的技術已在業界成功應用了數十年,UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
概述:PC318C046EQ 是一款高性能、高可靠性的半橋柵極驅動器,穩健可靠的電平轉換技術同時擁有高運行速度和低功耗特性,并且可提供從控制輸入邏輯到高側柵極驅動器的干凈電平轉換。該器件內置VDD
2025-08-21 15:48:19
;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。IGBT一般半橋式電路中的IGBT尤其多用于電機控制應用。圖騰柱式布局創造出
2015-12-30 09:27:49
DC-DC開關電源電路特性:· 輸入和輸出電壓感應提供欠壓和過壓保護,變壓器初級電流感應提供過載和短路保護。· 全橋MOSFET驅動器用于驅動主全橋MOSFET,半橋MOSFET驅動器用于實現同步
2025-05-23 15:09:58
電路(Rectifier)相對應,把直流電變成交流電稱為逆變。逆變電路可用于構成各種交流電源,在工業中得到廣泛應用。為了提高所設計的激勵電源輸出功率和工作頻率, **逆變電路采用全橋逆的方式,相對于單管和半橋逆變電路,全橋逆變的輸出功率更高、開關損耗更小、可接納的控制方式更多。**全橋逆變電路如下圖所示
2021-11-16 06:14:11
,隔離式柵極驅動器的輸出端主要從供電軌獲取電流。一旦IGBT或MOSFET的柵極電壓到達供電軌,功耗便降為最低,因為柵極本質上是一個電容。對于高端驅動器而言,高端MOSFET導通時,該吸電流與半橋電壓拉
2018-10-16 13:52:11
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
ADuM4121柵極驅動器的典型設置,其結合功率MOSFET使用,采用半橋配置,適合電源和電機驅動應用。在這種設置中,如果Q1 和 Q2同時導通,有可能因為電源和接地引腳短路而發生直通。這可能會永久損壞
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
描述DC-DC 轉換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項目最初旨在為驅動 BLDC 電機的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設計與柵極驅動器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
CK5G14 在同一顆芯片中同時集成了三個 250V 半橋柵極驅動器,特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區時間和上下管直通保護,非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
FAN73832 是一款半橋、柵極驅動 IC,帶關斷和可編程死區時間控制功能,能驅動 MOSFET 和 IGBT,工作電壓高達 +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
概述:IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器,它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
NCP5106BA36WGEVB,NCP5106,36 W鎮流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術,以確保正確驅動高端電源開關。該驅動程序使用2個獨立輸入
2019-10-12 10:31:24
采用半橋(或任何其他高側+低側)配置。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器采用2個獨立輸入,以適應任何拓撲結構(包括半橋,非對稱半橋,有源鉗位和全橋)
2019-10-12 10:29:07
。
SA2601A典型應用
馬達驅動
逆變器電源
LLC電源
柵極驅動器芯片是電源管理芯片中的重要組成部分,它能夠驅動功率MOSFET的柵極,控制電源的開關。其可分為單路、多路、高低側驅動等類型,根據應用場
2024-04-01 17:32:59
600V、4A/4A 半橋門極驅動SiLM2285,超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅設計三大核心優勢,解決工業開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅動難題,實現對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
、4A輸出的半橋門極驅動器,旨在通過增強抗擾性、提升驅動效率并簡化設計,幫助工程師更穩妥地駕馭MOSFET和IGBT,確保系統在高功率場景下穩定運行。產品主要特性:
寬工作電壓范圍:可承受高達600V
2025-12-23 08:36:15
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
柵極驅動器的 +16V/-8V 電壓,能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅動器輸入可選擇通過如下方式評估系統:柵極驅動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V(絕對最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
概述:(兼用UCC27301A-Q1)PC1209是一款半橋MOSFET驅動器,具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A,能夠最小化開關損耗地驅動大功率MOSFET。高側和低側兩個通道完全獨立,其導
2025-03-03 11:27:14
來設置單極或雙極 PWM 柵極驅動器延遲時間短,上升和下降時間短提供用于驅動半橋的信號和電源反激式恒定導通時間,無需環路補償可以在 24V±20% 范圍內寬松調節輸入此電路設計經過測試并包含測試結果
2018-12-21 11:39:19
闡述這些設計理念,以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,通過低輸出阻抗降低導通損耗,同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,由此來控制
2018-09-26 09:57:10
怎么實現MOSFET的半橋驅動電路的設計?
2021-10-11 07:18:56
位功能,可用于各種開關拓撲控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳,為設計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
對MOS管的驅動電路形式,常用推挽式電路,增強驅動能力而功率放大的電路形式,常使用全橋或者半橋的電路形式,放大功率同樣是要接外接供電電源,為什么驅動用推挽,功放用全橋半橋?如果交換電路形式呢?謝謝
2020-07-15 01:34:51
對MOS管的驅動電路形式,常用推挽式電路,增強驅動能力而功率放大的電路形式,常使用全橋或者半橋的電路形式,放大功率同樣是要接外接供電電源,為什么驅動用推挽,功放用全橋半橋?如果交換電路形式呢?謝謝
2017-02-16 14:02:13
+LDO,可有效改善無線充電普遍存在的發熱高、效率低、外圍電路復雜等問題。這種方案除了少數電阻電容以外,只有兩個主要元器件:主控和高集成度的全橋/半橋芯片,其中SN-D06集成了全橋驅動芯片、功率
2018-12-07 15:30:46
求教各位大佬:MOSFET半橋驅動芯片空載時為什么HO和LO都沒有輸出波形?最近我在做D類放大,由于是分模塊做的,半橋驅動芯片沒有與mosfet相連,是空載。當我把pwm波輸入半橋驅動芯片后,半橋驅動器HO和LO無輸出。調試了半天也沒發現問題。各位大佬如果知道的話,請指點下小弟。萬分感謝!!!
2018-04-09 23:54:28
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案,可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源,其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
柵極驅動器,能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內置 VCC 和 VB 欠壓(UVLO)保護功能,防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS(低至 3.3V),方便與控制設備接口。該驅動器輸出具有最小驅動器跨導的高脈沖電流緩沖設計。
2021-09-14 07:29:33
源電壓均高于10 V,電源電壓降至7 V。對于極端的電池壓降條件,在電源電壓降至5.5 V,但柵極驅動電壓降低的情況下,可保證正常工作。A4940提供微控制器的邏輯級輸出和全橋配置的N通道功率
2020-09-29 16:51:51
L6390,用于工業應用的高壓半橋柵極驅動器。三相功率級三L6390半橋柵極驅動器之一的應用電路
2019-07-08 12:28:25
驅動器,特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區時間和上下管直通保護,非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產生損害
2019-12-06 13:13:21
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
通道的器件,此規格的表述方式相同,但被稱為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中予以補償。圖6顯示了ADuM4121柵極驅動器的典型設置,其結合功率MOSFET使用,采用半橋配置,適合電源和電機
2018-10-25 10:22:56
6顯示了ADuM4121柵極驅動器的典型設置,其結合功率MOSFET使用,采用半橋配置,適合電源和電機驅動應用。在這種設置中,如果Q1和Q2同時導通,有可能因為電源和接地引腳短路而發生直通。這可
2018-11-01 11:35:35
TF2184是一種高壓、高速柵極驅動器,能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2184的高側能夠在引導
2023-06-25 16:25:20
TFB0504是一個半橋式柵極驅動器,內部集成了自舉二極管,能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝,使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一個半橋式柵極驅動器,內部集成了自舉二極管,能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝,使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-28 17:08:12
全橋驅動器UBA2030T及其應用
飛利浦公司利用“BCD750功率邏輯工藝方法”制造的UBA2030T,是為驅動全橋拓撲結構中的功率MOSFET而專門
2009-05-13 15:29:21
1473 
NJW4800是一款能提供4A 電流的通用半橋驅動器。內置的柵極驅動器能驅動高端和低端的功率MOSFET,所以能
2010-12-30 11:51:56
1890 
本文將詳細闡述實現隔離式半橋柵極驅動器設計理念,以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2012-12-17 15:12:46
8864 
IR2103半橋驅動器The IR2103(S) are high voltage high speed power MOSFET and
IGBT drivers with dependent
2015-12-09 16:44:07
52 隔離式半橋柵極驅動器可用于許多應用,從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊,到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等,不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念,探索隔離式半橋柵極驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2017-02-09 17:40:11
3617 
許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率,從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊,到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等,不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念,以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2017-02-10 07:57:41
8497 
每個 H 橋的輸出驅動器模塊由 N 溝道功率 MOSFET 組成,這些 MOSFET 被配置成一個H橋,以驅動電機繞組。每個 H 橋都包括用于調節或限制繞組電流的電路。
2018-05-10 10:28:58
30 FD6287 是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片,專為高壓、高速驅動 MOSFET 和 IGBT 設計,可在高達+250V 電壓下工作。
2019-01-18 08:00:00
221 隔離式半橋柵極驅動器可用于許多應用,從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊,到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等,不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念,探索隔離式半橋柵極驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2019-02-23 10:53:58
8351 
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:39
6332 
以光耦合器和其他分立式解決方案為參照,了解基于iCoupler?數字隔離器技術的ADuM3223和ADuM4223隔離式柵極驅動器如何簡化強大的半橋MOSFET驅動器的設計。
2019-07-29 06:14:00
3151 FD2606S 是高壓、高速半橋柵極驅動器,能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內置 VCC 和 VB 欠壓(UVLO)保護功能,防止功率管在過低的電壓
2020-04-25 08:00:00
71 中的功率消耗或損耗、發送到功率半導體開關 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅動器 IC 和功率半導體開關之間的外部組件(例如外部柵極電阻器兩端)的功率損耗。在以下示例中,我們將討論使用 Avago ACPL-332J(2.5nApeak 智能柵極驅動器)的 IGBT 柵極驅動器設計。本
2021-06-14 03:51:00
5319 
LT1336:帶升壓穩壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅動器數據表
2021-05-19 16:12:34
1 LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅動器數據表
2021-05-20 18:32:19
4 AC 電機 全、半橋驅動器 SCM1241M
2021-12-09 15:21:37
1488 LN4303 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的200V 高壓半橋驅動器,具有高低邊輸出,用來驅動半橋電路中的兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。
2022-07-13 16:42:03
11315 
MS8844 提供四個可獨立控制的半 H 橋驅動器。可被用于驅動直流電機,一個步進電機,4 個螺線圈或者其他負載。每個輸出驅動器通道包含采用半 H 橋配置的 N 通道功率 MOSFET。
2022-07-30 09:02:28
3130 隔離式半橋柵極驅動器用于許多應用,從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊,到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器。本文將詳細討論這些設計概念,探討隔離式半橋柵極驅動器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。
2023-01-17 11:08:46
4711 
在本文中,我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:00
12140 
電子發燒友網站提供《實現隔離式半橋柵極驅動器的設計基礎.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:57:32
7 電子發燒友網站提供《半橋配置的高端柵極供電.pdf》資料免費下載
2023-11-22 15:09:40
1 全橋電路由四個功率開關元件(常用是晶體管或MOSFET)組成,通常為兩個上開關和兩個下開關。它們通過驅動電路控制開關狀態實現對輸入電壓的逆變和調節。全橋電路工作原理是:當某個上開關閉合時,與之對應的下開關必須打開,以
2024-03-12 11:18:08
20570 新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅動器驅動100VMOSFET評估套件用于電池供電應用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評估套件包括一塊三相逆變器功率板,該功率板
2024-03-13 08:13:07
1575 
開關電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅動器,具有0.3A拉電流和1A灌電流能力,專用于驅動功率MOSFETs或IGBTs。
2024-04-18 17:13:00
2195 新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅動功率MOSFET和IGBT。產品型號
2024-07-27 08:14:36
869 
半橋驅動器和全橋驅動器是電力電子領域中兩種常見的電路驅動器,它們在結構、工作原理、性能特點以及應用場景等方面存在顯著差異。
2024-08-28 15:16:07
9344 LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅動器,具有高低邊輸出,用來驅動半橋電路中的兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的輸入信號兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:02
4 FD6288 是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片,專為高壓、高速驅動MOSFET 和 IGBT 設計,可在高達+250V 電壓下工作。FD6288 內置 VCC/VBS 欠壓(UVLO
2024-09-21 11:34:02
0 開關和柵極驅動器接口的單半橋,可輕松構建任何基于半橋的功率拓撲。相關器件:IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)該系列還有各種功
2024-10-24 08:03:52
1298 
高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅動器,可能會產生大量的耗散功率。因此,需要確認驅動器功率耗散和由此產生的結溫,確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動集成電路(HVIC)是專為半橋開關
2024-11-11 17:21:20
1606 
LN4304 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的200V 高壓半橋驅動器,具有高低邊輸出,用來驅動半橋電路中的兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4304 的輸入信號兼容 CMOS
2024-12-23 17:08:11
20 PT5619 在同一顆芯片中同時集成了三個 90V 半橋柵極驅動器,特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET和 IGBT 的柵極驅動. 特點·Feature //內置死區時間 //內置直通保護
2024-12-24 14:12:55
734 用于 GaN 功率開關的高壓和高速半橋柵極驅動器產品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅動器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:16
0 LM5108 是一款高頻半橋柵極驅動器,最大開關節點 (HS) 額定電壓為 100V。它允許在基于半橋配置的拓撲結構中控制兩個 N 溝道 MOSFET,例如同步降壓、全橋、有源鉗位正激、LLC 和同步升壓。
2025-05-24 14:57:00
612 
內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:30
0 Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅動器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅動器,在高達150V的輸入電壓下工作,具有獨立于電源的三態脈寬調制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16
714 
Analog Devices Inc. LTC7063半橋驅動器驅動兩個采用半橋配置的N溝道MOSFET,供電電壓高達140V。高側和低側驅動器可以通過提供瞬態抗擾度和噪聲來驅動具有不同接地
2025-06-14 16:36:57
831 
Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1半橋驅動器是穩健的柵極驅動器,設計用于驅動采用半橋或同步降壓配置的兩個N溝道MOSFET,絕對最大自舉電壓為120V
2025-07-25 15:23:14
564 
Texas Instrument LM2005半橋柵極驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器,設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高側和低側N溝道MOSFET。集成自舉二極管無需外部分立二極管,從而節省了電路板空間并降低了系統成本。
2025-08-08 14:36:11
1002 
Texas Instruments LM2104半橋柵極驅動器設計用于驅動高側和低側N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅動器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14
965 
Texas Instruments LM2103半橋驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器,設計用于驅動半橋或同步降壓配置中的高側和低側N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅動器用于雙或單PWM輸入應用。
2025-08-15 15:03:49
915 
Texas Instruments LM2105半橋柵極驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器,設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高側和低側N溝道MOSFET。集成的自舉二極管無需使用外部分立式二極管,從而節省電路板空間并降低系統成本。
2025-08-21 09:35:57
808 
UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道
2025-09-24 14:47:35
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UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道
2025-10-10 14:58:35
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UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,適用于驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道 (HO
2025-10-10 15:05:04
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,并集成了低壓差穩壓器 (LDO)。這使得它們非常適合驅動高速GaN。STDRIVEG210半橋柵極驅動器具有針對快速啟動和低功耗軟開關應用量身定制的電源UVLO功能。高側穩壓器的特點是喚醒時間非常短
2025-10-15 10:41:20
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,并集成了低壓差穩壓器 (LDO)。這使得它們非常適合驅動高速GaN。STDRIVEG211半橋柵極驅動器具有專為硬開關應用設計的電源UVLO、防止交叉導通的互鎖功能以及集成SmartSD技術的過流
2025-10-15 10:46:11
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DRV870xD-Q1 器件是小型半橋柵極驅動器,使用兩個外部 N 溝道 MOSFET,用于驅動單向有刷直流電機或螺線管負載。
PWM接口允許與控制器電路進行簡單的接口。內部檢測放大器提供可調
2025-10-16 14:35:31
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DRV870xD-Q1 器件是小型半橋柵極驅動器,使用兩個外部 N 溝道 MOSFET,用于驅動單向有刷直流電機或螺線管負載。
PWM接口允許與控制器電路進行簡單的接口。內部檢測放大器提供可調
2025-10-16 14:39:58
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STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅動器是用于N溝道增強模式GaN的高壓半橋柵極驅動器。高側驅動器部分設計能夠承受高達600V的電壓軌,并且可以輕松由集成自舉二極管
2025-10-16 17:42:30
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STMicroelectronics STDRIVEG610半橋柵極驅動器是高性能設備,專為在各種電源轉換應用中驅動N溝道MOSFET或IGBT設計。STMicroelectronics
2025-10-17 14:12:56
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onsemi FAD8253MX-1半橋柵極驅動器IC是一款單片式器件,專為高壓、高速驅動、工作電壓高達+1200V的IGBT而設計。onsemi的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高驅動器在高dV
2025-11-25 16:50:18
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EiceDRIVER? 1200V高壓側和低壓側驅動器.pdf 產品概述 這兩款驅動器屬于2ED132x系列,專為控制半橋配置中最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件而設計
2025-12-20 11:15:12
666 Technologies EiceDRIVER? 1200V半橋柵極驅動器.pdf 產品概述 這兩款器件屬于2ED132x系列,能夠在半橋配置中控制最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件。其獨
2025-12-20 11:30:02
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