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電子發燒友網>電源/新能源>電源新聞>Diodes柵極驅動器可在半橋或全橋配置下 開關功率MOSFET與IGBT

Diodes柵極驅動器可在半橋或全橋配置下 開關功率MOSFET與IGBT

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2024-10-24 08:03:521298

高壓柵極驅動器功率損耗分析

高頻率開關MOSFETIGBT柵極驅動器,可能會產生大量的耗散功率。因此,需要確認驅動器功率耗散和由此產生的結溫,確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動集成電路(HVIC)是專為開關
2024-11-11 17:21:201606

LN4304 200V驅動器中文手冊

LN4304 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的200V 高壓驅動器,具有高低邊輸出,用來驅動電路中的兩個高壓大功率 MOSFET IGBT。LN4304 的輸入信號兼容 CMOS
2024-12-23 17:08:1120

PT5619柵極驅動器的特點

PT5619 在同一顆芯片中同時集成了三個 90V 柵極驅動器,特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFETIGBT柵極驅動. 特點·Feature //內置死區時間 //內置直通保護
2024-12-24 14:12:55734

ST 意法半導體 STDRIVEG611QTR 用于 GaN 功率開關的高壓和高速柵極驅動器

用于 GaN 功率開關的高壓和高速柵極驅動器產品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強型 GaN 的新型高壓柵極驅動器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:160

LM5108 具有使能和互鎖功能的 2.6A、110V 柵極驅動器數據手冊

LM5108 是一款高頻柵極驅動器,最大開關節點 (HS) 額定電壓為 100V。它允許在基于配置的拓撲結構中控制兩個 N 溝道 MOSFET,例如同步降壓、、有源鉗位正激、LLC 和同步升壓。
2025-05-24 14:57:00612

HPD2606X 600V柵極驅動器技術手冊:高壓高速MOSFETIGBT驅動設計

內容概要:HPD2606X是一款600V柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFETIGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

Analog Devices Inc. LTC7068 150 V驅動器數據手冊

Analog Devices Inc. LTC7068 150V驅動器是一款雙N溝道MOSFET柵極驅動器,在高達150V的輸入電壓下工作,具有獨立于電源的三態脈寬調制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16714

Analog Devices Inc. LTC7063驅動器數據手冊

Analog Devices Inc. LTC7063驅動器驅動兩個采用配置的N溝道MOSFET,供電電壓高達140V。高側和低側驅動器可以通過提供瞬態抗擾度和噪聲來驅動具有不同接地
2025-06-14 16:36:57831

Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1驅動器是穩健的柵極驅動器,設計用于驅動采用同步降壓配置的兩個N溝道MOSFET,絕對最大自舉電壓為120V
2025-07-25 15:23:14564

LM2005 107V柵極驅動器技術解析與應用指南

Texas Instrument LM2005柵極驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器,設計用于驅動同步降壓配置中的高側和低側N溝道MOSFET。集成自舉二極管無需外部分立二極管,從而節省了電路板空間并降低了系統成本。
2025-08-08 14:36:111002

德州儀器LM2104柵極驅動器技術解析

Texas Instruments LM2104柵極驅動器設計用于驅動高側和低側N溝道MOSFET,具有同步降壓配置。 此柵極驅動器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965

LM2103 107V驅動器技術解析與應用指南

Texas Instruments LM2103驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器,設計用于驅動同步降壓配置中的高側和低側N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅動器用于雙單PWM輸入應用。
2025-08-15 15:03:49915

LM2105柵極驅動器技術解析與應用指南

Texas Instruments LM2105柵極驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器,設計用于驅動同步降壓配置中的高側和低側N溝道MOSFET。集成的自舉二極管無需使用外部分立式二極管,從而節省電路板空間并降低系統成本。
2025-08-21 09:35:57808

?UCC27735-Q1 汽車級高速柵極驅動器技術文檔總結

UCC2773x-Q1 是一款 700V 柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅動功率 MOSFETIGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道
2025-09-24 14:47:351199

?UCC2773x-Q1 汽車級700V柵極驅動器技術文檔總結

UCC2773x-Q1 是一款 700V 柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅動功率 MOSFETIGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道
2025-10-10 14:58:35463

UCC27735 700V柵極驅動器技術文檔總結

UCC2773x 是一款 700V 柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,適用于驅動功率 MOSFETIGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道 (HO
2025-10-10 15:05:041378

?STDRIVEG210柵極驅動器技術解析與應用指南

,并集成了低壓差穩壓 (LDO)。這使得它們非常適合驅動高速GaN。STDRIVEG210柵極驅動器具有針對快速啟動和低功耗軟開關應用量身定制的電源UVLO功能。高側穩壓的特點是喚醒時間非常短
2025-10-15 10:41:20437

?STDRIVEG211柵極驅動器深度解析與設計指南

,并集成了低壓差穩壓 (LDO)。這使得它們非常適合驅動高速GaN。STDRIVEG211柵極驅動器具有專為硬開關應用設計的電源UVLO、防止交叉導通的互鎖功能以及集成SmartSD技術的過流
2025-10-15 10:46:11523

DRV8702D-Q1 汽車用 47V 智能柵極驅動器技術手冊

DRV870xD-Q1 器件是小型柵極驅動器,使用兩個外部 N 溝道 MOSFET,用于驅動單向有刷直流電機螺線管負載。 PWM接口允許與控制電路進行簡單的接口。內部檢測放大器提供可調
2025-10-16 14:35:31467

DRV8703D-Q1 汽車用 47V 智能柵極驅動器技術手冊

DRV870xD-Q1 器件是小型柵極驅動器,使用兩個外部 N 溝道 MOSFET,用于驅動單向有刷直流電機螺線管負載。 PWM接口允許與控制電路進行簡單的接口。內部檢測放大器提供可調
2025-10-16 14:39:58461

STDRIVEG611柵極驅動器技術解析與應用指南

STMicroelectronics STDRIVEG611柵極驅動器是用于N溝道增強模式GaN的高壓柵極驅動器。高側驅動器部分設計能夠承受高達600V的電壓軌,并且可以輕松由集成自舉二極管
2025-10-16 17:42:30655

?STDRIVEG610柵極驅動器技術解析與應用指南

STMicroelectronics STDRIVEG610柵極驅動器是高性能設備,專為在各種電源轉換應用中驅動N溝道MOSFETIGBT設計。STMicroelectronics
2025-10-17 14:12:56390

?基于onsemi FAD8253MX-1柵極驅動器的技術深度解析

onsemi FAD8253MX-1柵極驅動器IC是一款單片式器件,專為高壓、高速驅動、工作電壓高達+1200V的IGBT而設計。onsemi的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高驅動器在高dV
2025-11-25 16:50:18607

2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V柵極驅動器的卓越之選

EiceDRIVER? 1200V高壓側和低壓側驅動器.pdf 產品概述 這兩款驅動器屬于2ED132x系列,專為控制配置中最大阻斷電壓為+1200V的IGBTSiC MOSFET功率器件而設計
2025-12-20 11:15:12666

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V柵極驅動器的卓越之選

Technologies EiceDRIVER? 1200V柵極驅動器.pdf 產品概述 這兩款器件屬于2ED132x系列,能夠在配置中控制最大阻斷電壓為+1200V的IGBTSiC MOSFET功率器件。其獨
2025-12-20 11:30:021309

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