隨著科技的不斷革新發展，MOSFET產品也經過技術的迭代升級有了更加優越的表現。但如何提升器件性能的同時進一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導體拓展了MOSFET產品線，推出了適用于頭燈控制開關等車載小型設備的N溝道30V MOSFET器件——SSM6K809R，該器件通過東芝新型工藝技術設計把設備功耗深度壓縮。

一、電氣屬性綜述

SSM6K809R采用東芝半導體獨有的新工藝技術(U-MOSⅧ-H)設計，具有行業先進的低導通電阻。并且通過扁平引腳封裝的設計，提升了器件安裝能力，降低了熱阻。該產品采用的小型TSOP6F封裝，減少了所占板載空間。額定功率損耗為1.5W，不會造成能源浪費。此外，SSM6K809R符合AEC-Q101車規級標準，通道溫度最高可達175℃，滿足車載環境要求。

二、動態特性分析

SSM6K809R的漏極電流最高可達6A，最大支持1KHz的PWM脈沖信號，對于車載燈的控制恰到好處。

得益于產品強大的負載能力，在設計中可以將其配合額外的多組輸入信號源做矩陣式LED控制電路，從而達到獨立控制多個LED的照明目的。具體可前往東芝官網，參考東芝矩陣式LED前照燈設計。

三、應用場景部署

隨著節能減排的大力發展，新能源車的產業得到了蓬勃發展，提高電池容納能力和降低車載器件設備功耗開銷是有效節能的一個重要措施。SSM6K809R適合用于車載應用，如前大燈、轉向燈、日間行車燈、USB充電器等，以低導通電阻降低功耗持續節能。

科技引領生活，東芝半導體堅持科技創新用更安全、更出色、更智能的電子產品服務市場大眾。作為全球知名的半導體企業，東芝擁有先進的實驗設備和專業的研發團隊，持續耕耘創新電子元器件的性能特性，致力打造一個可持續的未來迎接美好生活。

審核編輯：湯梓紅