国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

東芝發(fā)布TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)集成電路

文傳商訊 ? 來源:文傳商訊 ? 作者:文傳商訊 ? 2022-02-12 09:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)已經(jīng)推出面向20V電源線路的“TCK421G”,這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)的首款產(chǎn)品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓,并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。

通過聯(lián)合背對(duì)背連接的外部N溝道MOSFET,TCK421G適用于配置電源多路復(fù)用器電路或配備反向電流阻斷功能的負(fù)載開關(guān)電路。它嵌入一個(gè)電荷泵電路,支持2.7V至28V的寬電壓輸入范圍,并通過間歇式工作模式向外部MOSFET的柵源電壓提供穩(wěn)定的電壓,從而實(shí)現(xiàn)大電流的通斷。

TCK421G采用WCSP6G[1]封裝,這是業(yè)界超小型封裝之一[2],實(shí)現(xiàn)了在可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)等小型設(shè)備中的高密度安裝,有助于減少設(shè)備的尺寸。

東芝將繼續(xù)開發(fā)TCK42xG系列,并計(jì)劃推出總共六個(gè)版本。TCK42xG系列的過壓鎖定功能將支持5V至24V的輸入電壓。該產(chǎn)品將支持5.6V和10V兩種類型的柵極輸出電壓,用于匹配外部MOSFET的不同電壓。過壓鎖定電壓和柵極輸出電壓均可根據(jù)用戶的設(shè)備需求選擇。

注:

[1] 1.2mm x 0.8mm

[2] MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)集成電路。東芝調(diào)查,截至2022年2月。

應(yīng)用

可穿戴設(shè)備

智能手機(jī)

筆記本電腦、平板電腦

存儲(chǔ)設(shè)備等

新系列特點(diǎn)

柵源電壓設(shè)置(5.6V,10V)取決于帶內(nèi)置電荷泵電路的輸入電壓

過壓鎖定支持5V至24V

低輸入關(guān)斷電流IQ(OFF)= 0.5μA(最大值)@VIN=5V,Ta= -40 至85°C

主要規(guī)格

(除非另有約定,否則Ta=25°C)
部件編號(hào) TCK421G
封裝 名稱 WCSP6G
尺寸(mm) 1.2×0.8(典型值)

t=0.35(最大值)
工作

范圍
輸入電壓VIN(V) @Ta= -40 至 85°C 2.7至28
電氣 特性 VINUVLO閾值,Vout下降

VIN_UVLO典型值/最大值(V)
@Ta= -40至85°C時(shí)VIN_UVLO最大值 2.0/2.5
VIN UVLO滯后 VIN_UVhyst

典型值(V)
0.2
VIN OVLO閾值,Vout下降

VIN_OVLO最小/最大 (V)
@Ta= -40至 85°C 22.34/24.05
VIN OVLO滯后

VIN_OVhyst典型值(V)
0.12
輸入靜態(tài)電流

(通態(tài))[3]
IQ(ON)典型值(μA)
@VIN=5V 140
@VIN=12V 185
待機(jī)電流

(關(guān)斷)
IQ(OFF)最大值(μA)
@VIN=5V, Ta= -40 至 85°C 0.5
@VIN=12V, Ta= -40 至 85°C 0.9
柵極驅(qū)動(dòng)電壓

(VGATE1-VIN)
(VGATE2-VIN)
VGS最小值/典型值/最大值
(V)
@VIN=2.7V 8/9.2/10
@VIN=5V 9/10/11
@VIN=9V 9/10/11
@VIN=12V 9/10/11
@VIN=20V 9/10/11
VGS導(dǎo)通時(shí)間

tON典型值(ms)
@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF 2.9
VGS關(guān)斷時(shí)間

tOFF典型值(μs)
VIN=5V, @CGATE1,2=4000pF 52
OVLO VGS關(guān)斷時(shí)間

tOVP典型值(μs)
@CGATE1,2=4000pF 34
樣品查詢和庫存狀況 在線購買

注:

[3] 不含控制端電流(ICT)。

點(diǎn)擊下面的鏈接了解更多關(guān)于新產(chǎn)品的信息。

TCK421G

東芝:新的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)集成電路TCK421G可助力縮小器件尺寸。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18840

    瀏覽量

    263499
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5452

    文章

    12571

    瀏覽量

    374523
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9661

    瀏覽量

    233488
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    為什么MOSFET柵極前面要加一個(gè)100Ω電阻

    是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度,降低其導(dǎo)通和截止過程中的產(chǎn)生損耗,柵極上的等效電阻是應(yīng)該越小越好,最好為0。 但我們卻經(jīng)常會(huì)看到關(guān)于MOSFET電路
    發(fā)表于 12-02 06:00

    基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化

    PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動(dòng)中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,MOSFET作為功率開關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 09-27 10:17 ?1074次閱讀
    基于仁懋<b class='flag-5'>MOSFET</b>的直流電機(jī)<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>:<b class='flag-5'>柵極</b>電阻選型與VGS波形優(yōu)化

    東芝SmartMCD系列柵極驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品概述

    在電動(dòng)汽車(xEV)市場蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,電氣化、零部件集成化、電子控制單元(ECU)小型化以及低噪音電機(jī)等需求日益凸顯。為順應(yīng)這一趨勢(shì),東芝推出帶有嵌入式MCU的SmartMCD柵極驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 09-06 17:05 ?1422次閱讀

    MOSFET柵極應(yīng)用電路分析匯總(驅(qū)動(dòng)、加速、保護(hù)、自舉等等)

    MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等
    發(fā)表于 05-06 17:13

    SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

    柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:54 ?1641次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

    SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

    柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括
    的頭像 發(fā)表于 04-24 17:00 ?2417次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

    中國集成電路大全 接口集成電路

    資料介紹本文系《中國集成電路大全》的接口集成電路分冊(cè),是國內(nèi)第一次比較系統(tǒng)地介紹國產(chǎn)接口集成電路系列、品種、特性和應(yīng)用方而知識(shí)的書籍。全書共有總表、正文和附錄三部分內(nèi)容。總表部分列有
    發(fā)表于 04-21 16:33

    驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(十)——柵極電荷和應(yīng)用

    驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路
    的頭像 發(fā)表于 04-14 17:04 ?1226次閱讀
    <b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>設(shè)計(jì)(十)——<b class='flag-5'>柵極</b>電荷和應(yīng)用

    在EMC中,MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路常見類型

    在EMC中,MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路常見類型
    的頭像 發(fā)表于 04-14 16:48 ?1141次閱讀
    在EMC中,<b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>常見類型

    驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(九)——柵極鉗位

    驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路
    的頭像 發(fā)表于 04-07 18:06 ?1237次閱讀
    <b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>設(shè)計(jì)(九)——<b class='flag-5'>柵極</b>鉗位

    互補(bǔ)MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

    電路設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路。 功率 MOSFET 對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求: 功率
    發(fā)表于 03-27 14:48

    東芝推出全新柵極驅(qū)動(dòng)IC TB9103FTG

    東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,量產(chǎn)面向車載直流有刷電機(jī)應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)IC[1]——“TB9103FTG”,其典型應(yīng)用包括用于電動(dòng)后門和電動(dòng)滑門的閂鎖電機(jī)[2]和鎖定電
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:06 ?1274次閱讀
    <b class='flag-5'>東芝</b>推出全新<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>IC TB9103FTG

    東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

    東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社今日宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器
    的頭像 發(fā)表于 03-11 15:11 ?610次閱讀
    <b class='flag-5'>東芝</b>推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>光電耦合器

    集成雙極晶體管的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路以及外圍器件選型設(shè)計(jì)講解

    前言 在MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中,經(jīng)常會(huì)遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅(qū)動(dòng)器的情況。這種設(shè)計(jì)
    發(fā)表于 03-11 11:14

    東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

    東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET柵極
    的頭像 發(fā)表于 03-06 19:24 ?4696次閱讀
    <b class='flag-5'>東芝</b>TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>光電耦合器